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VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性
1
作者 韩家贤 韦华 +5 位作者 刘汉保 惠峰 雷云 何永彬 唐康中 王茺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期825-831,共7页
针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化... 针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化了坩埚的旋转和下降速度,以调节掺杂剂Fe在熔体中的分凝、固液界面形状及晶体头部与尾部的生长速度。这些措施不仅改善了晶体的固液界面形状,使其由较凹变得平缓,同时实现了晶体生长速率的合理匹配与温度梯度的精确控制,显著提升了晶体的位错密度和电学参数的均匀性。与传统VGF法相比,VB/VGF法掺Fe InP晶体的轴向电阻率差值降低了259%,径向电阻率均匀性提高了2.0%~7.1%。 展开更多
关键词 INP 晶体生长 垂直布里奇曼(VB)法 垂直梯度凝固(VGF)法 电阻率 均匀性
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GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及应用
2
作者 韩家贤 韦华 +7 位作者 刘建良 叶晓达 赵兴凯 牛应硕 孙清 李芳艳 王茺 无 《云南化工》 CAS 2023年第12期16-20,共5页
第二代半导体材料砷化镓和磷化铟广泛应用于5G通信、数据中心、新一代显示设备、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域,在光电领域的应用日渐成熟,国内上中下游产业布局趋于完善,下游市场规模将快速增长。对GaAs和InP化合物半导体的发展趋... 第二代半导体材料砷化镓和磷化铟广泛应用于5G通信、数据中心、新一代显示设备、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域,在光电领域的应用日渐成熟,国内上中下游产业布局趋于完善,下游市场规模将快速增长。对GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及路线进行了综述。 展开更多
关键词 磷化铟 砷化镓 半导体光电器件
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梯度凝固法晶体生长应用磁场的研究进展
3
作者 赵兴凯 韦华 +3 位作者 叶晓达 王顺金 韩家贤 柳廷龙 《云南化工》 CAS 2023年第4期15-20,共6页
在梯度凝固法晶体生长中应用磁场可以有效提高溶质分布的均匀性,改善生长界面的形貌。主要综述了在VGF法或VB法晶体生长中应用磁场的研究进展,包括行波磁场、旋转磁场和交变磁场的产生原理,以及三种磁场在熔体中形成的对流模式和对晶体... 在梯度凝固法晶体生长中应用磁场可以有效提高溶质分布的均匀性,改善生长界面的形貌。主要综述了在VGF法或VB法晶体生长中应用磁场的研究进展,包括行波磁场、旋转磁场和交变磁场的产生原理,以及三种磁场在熔体中形成的对流模式和对晶体生长的影响。提出了三种磁场各自的优势和在实际晶体生产上的应用前景。 展开更多
关键词 磁场垂直温度梯度 垂直布里奇曼 晶体生长 熔体对流 生长界面形貌 溶质分布
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VGF法生长InP单晶循环水的影响分析 被引量：1
4
作者 叶晓达 赵兴凯 +6 位作者 韩家贤 韦华 王顺金 邱锋 柳廷龙 刘汉保 黄平 《云南化工》 CAS 2022年第10期24-28,共5页
磷化铟与砷化镓同为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,广泛应用于光通信、微波毫米波通信等领域。由于垂直温度梯度凝固(VGF)技术中,晶体受到的温度梯度小,能生长出低位错,甚至零位错的单晶,而被广泛应用于磷化铟单晶的制备中。影响磷化铟单晶... 磷化铟与砷化镓同为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,广泛应用于光通信、微波毫米波通信等领域。由于垂直温度梯度凝固(VGF)技术中,晶体受到的温度梯度小,能生长出低位错,甚至零位错的单晶,而被广泛应用于磷化铟单晶的制备中。影响磷化铟单晶生长的因素很多,其中最重要的是热场环境,而冷却循环水能够起到调节热场梯度的作用,有较大的研究意义。通过控制单晶炉循环水进水温度及进水流量,探究了进水温度22~34℃与进水流量60~300 L/h的不同组合条件下,InP单晶生长的不同结果,并对不同进水温度和水流量对单晶生长的影响规律进行了分析。结果表明,循环水的温度和流量对热场温度梯度有影响,在进水温度30℃,流量100 L/h时,磷化铟的单晶率有所提升,位错密度在50/cm^(2)以下。 展开更多
关键词 垂直温度梯度凝固技术 INP单晶 循环水 水流量 温度
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