现代电子封装技术 被引量：17

1

作者 高尚通 毕克允 《半导体情报》 1998年第2期9-13,共5页

根据国际电子封装的发展，论述了电子封装的地位和作用，回顾了电子封装的发展简史，提出现代电子封装的概念，并就发展我国电子封装发表几点建议。

关键词 表面安装技术 单芯片封装 多芯片封装

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微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践——微波器件封装之一 被引量：3

2

作者 高尚通 王文琴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期51-54,共4页

总结了微波器件金属陶瓷外壳的电性能设计理论和实践成果,给出了研制微波器件金属陶瓷外壳的基本流程及设计要素;详细介绍了用于微波器件外壳设计时电容、电感、特性阻抗、延迟等参数的计算公式;根据多年的实践经验,给出了几种行之有效... 总结了微波器件金属陶瓷外壳的电性能设计理论和实践成果,给出了研制微波器件金属陶瓷外壳的基本流程及设计要素;详细介绍了用于微波器件外壳设计时电容、电感、特性阻抗、延迟等参数的计算公式;根据多年的实践经验,给出了几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式;最后就技改项目、研究装备、外壳所需的基础材料的研究开发和生产、高新技术产业化等问题提出了建议。 展开更多

关键词 微波器件 金属陶瓷 电性能 多层陶瓷 金属-陶瓷封装

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新型微电子封装技术 被引量：22

3

作者 高尚通 杨克武 《电子与封装》 2004年第1期10-15,23,共7页

本论文综述了自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封... 本论文综述了自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。 展开更多

关键词 微电子 封装技术 芯片尺寸封装 圆片级封装 三维封装 焊球阵列封装 系统封装

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电子封装在中国的发展趋势 被引量：9

4

作者 高尚通 赵正平 《世界电子元器件》 1999年第6期32-35,共4页

一、引言 自从1947年世界发明第一只晶体管至今,以半导体和集成电路为基础的微电子以惊人的速度发展,短短的五十多年,使整个时代,从工业时代向信息化时代迈进。勿庸置疑,以微电子为其础的信息产业将成为世界第一产业。要发展微电子。

关键词 电子封装 半导体器件 IC 芯片

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跨世纪的微电子封装 被引量：18

5

作者 高尚通 《半导体情报》 2000年第6期1-7,共7页

介绍了近几年国际微电子封装的特点和发展趋势 ,简述了我国微电子封装的现状和发展特点 ,并提出几点建议。

关键词 微电子封装 焊球阵列封装 芯片尺寸封装

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先进封装技术的发展与机遇 被引量：8

6

作者 高尚通 《中国集成电路》 2006年第10期47-53,共7页

论文综述了自1990年代以来迅速发展的先进封装技术,包括球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SiP)等项新技术;同时,叙述了我国封装产业的状况和发展趋势;并对我国快速发展先进封装技术提出... 论文综述了自1990年代以来迅速发展的先进封装技术,包括球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SiP)等项新技术;同时,叙述了我国封装产业的状况和发展趋势;并对我国快速发展先进封装技术提出了一些思索和建议。 展开更多

关键词 先进封装 BGA CSP WLP 3D封装 SiP

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微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践(续)——微波器件封装之一

7

作者 高尚通 王文琴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期66-68,76,共4页

关键词 微波器件 金属陶瓷外壳 电性能设计 封装

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微电子封装与设备 被引量：3

8

作者 高尚通 《电子与封装》 2002年第6期1-5,共5页

本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议。

关键词 微电子封装 封装设备 发展趋势

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莫来石基板陶瓷的组成对结构与性能的影响 被引量：5

9

作者 靳正国 徐廷献 +3 位作者 胡宗民 高尚通 王文琴 刘志平 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期20-27,共8页

研究了ＭｇＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｉＯ＿２系和ＢａＯ－ＭｇＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｉＯ＿２系添加物的组成对莫来石电子基板陶瓷结构与性能的影响。莫来石含量（质量，下同）为７０％到９０％，样品经１５５０～１６００℃烧成。结果... 研究了ＭｇＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｉＯ＿２系和ＢａＯ－ＭｇＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｉＯ＿２系添加物的组成对莫来石电子基板陶瓷结构与性能的影响。莫来石含量（质量，下同）为７０％到９０％，样品经１５５０～１６００℃烧成。结果表明：莫来石－富硅玻璃系样品有效低的介电常数ε，但介质损耗ｔｇδ偏高。莫来石－堇青石系ｔｇδ较小，莫来石含量超过８０％的样品的抗弯强度大于２００ＭＰａ。随着添加组分含量的提高，热膨胀系数α趋于降低，莫来石含量为７５％，α（ＲＴ～２００℃）接近４．０×１０－６／℃。实验发现，ＢａＯ不仅具有显著改善ｔｇδ的作用，而且对于促进致密化和提高力学性能也有一定的贡献。引入少量的ＢａＣＯ３（１％）可使莫来石－富硅玻璃系ｔｇδ下降３０％～４０％。莫来石－堇青石系中引入一定量的ＢａＣＯ＿３，可使δ和ｔｇδ分别达到６．７和１５×１０￣－４。ＸＲＤ分析揭示ＢａＯ的引入已导致少量次晶相的生成，如钡长石、刚玉和α石英。由ＳＥＭ观察到：富硅玻璃系样品显微结构中晶粒多呈粒状，而堇青石系样品中莫来石晶粒一维发育程度较为明显。 展开更多

关键词 莫来石 陶瓷 结构 性能

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美日封装技术考察及思考

10

作者 高尚通 《半导体情报》 1996年第1期37-42,共6页

介绍了所考察的ＩＢＭ等公司的概况，描述了考察到的氧化铝多层陶瓷技术、带光窗光电器件外壳制造技术、引线框架制作技术、Ｃ４技术和金属热沉制作技术，并提出了作者的思考和建议。

关键词 微电子 封装 氧化铝多层陶瓷 引线框架 芯片互连

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用于ASIC的PGA外壳设计与工艺

11

作者 高尚通 《半导体情报》 1992年第6期44-50,共7页

本文叙述了用于ASIC的高密度封装之———PGA外壳的设计和工艺方法。

关键词 集成电路 陶瓷封装 ASIC PGA外壳 设计

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现代电子封装技术

12

作者 毕克允 高尚通 《航空军转民技术与产品》 1999年第4期27-29,共3页

关键词 电子封装技术 类型 发展特点

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超高速GaAs集成电路封装材料、工艺和结构的研究 被引量：2

13

作者 刘志平 高尚通 +1 位作者 王文琴 周世平 《半导体情报》 1996年第4期38-41,共4页

着重描述了新型莫来石材料的性能、工艺方面的进展情况，探讨了新的封装结构对封装性能的影响，最后得到的封装外壳可很好地满足ＧａＡｓ超高速集成电路的封装要求。

关键词 集成电路 封装 新型莫来石材料 砷化镓

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CMOS门阵列电路用封装外壳的研制

14

作者 郑宏宇 高尚通 +4 位作者 王文琴 高岭 赵平 付花亮 郑升灵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期206-208,共3页

介绍了一种用于封装万门至十万门级 CMOS门阵列电路的 PCA1 32多层陶瓷外壳的研制。该外壳的设计采用了 CAD设计布线 ,模拟并优化外壳的信号线电阻、线间电容、电感及传输延迟等参数 ,使其满足电路要求。并且通过结构可靠性设计 ,使外... 介绍了一种用于封装万门至十万门级 CMOS门阵列电路的 PCA1 32多层陶瓷外壳的研制。该外壳的设计采用了 CAD设计布线 ,模拟并优化外壳的信号线电阻、线间电容、电感及传输延迟等参数 ,使其满足电路要求。并且通过结构可靠性设计 ,使外壳抗机械冲击、温度冲击能力大大提高 ,满足了高可靠应用要求。 展开更多

关键词 封装 CMOS电路 门阵列 外壳

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新型莫来石瓷在高密度封装中的应用

15

作者 刘志平 高尚通 王文琴 《半导体情报》 1996年第1期33-36,共4页

描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑、封装结构、工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高速、超高速集成电路使用要求的高性能封装。

关键词 封装 设计 电性能 莫来石瓷 半导体器件

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LSI高密度封装技术 被引量：2

16

作者 高尚通 《LSI制造与测试》 1989年第1期27-33,共7页

关键词 LSI 高密度 封装 集成电路

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LSI高密度封装的类型

17

作者 高尚通 《半导体情报》 1990年第6期9-19,共11页

随着LSI和VLSI的飞速发展,LSI高密度封装技术变得越来越重要。本文叙述了高密度封装的类型,介绍了它们的一般结构,并提供了封装的外形标准。

关键词 LSI 高密度 封装 类型

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中国第一代用于LSI的无引线陶瓷芯片载体

18

作者 高尚通 王文琴 赵平 《半导体情报》 1990年第2期54-58,50,共6页

本文介绍了我国首批设计定型的三种用于LSI的无引线陶瓷芯片载体LC68A、LC68B和LC44B。文章叙述了芯片载体的设计考虑、工艺概况、达到的水平和使用结果。

关键词 LSI 无引线 陶瓷芯片 载体

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先进封装关键工艺设备面临的机遇和挑战 被引量：9

19

作者 王志越 易辉 高尚通 《电子工业专用设备》 2012年第4期1-6,12,共7页

随着信息技术的发展,集成电路封装工艺技术发展为先进封装技术。先进封装关键工艺设备作为实现先进封装工艺的基础和保证,已经成为制约半导体工业发展的瓶颈之一,面临良好的机遇和严峻的挑战。

关键词 封装工艺 减薄机 键合机 倒装

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