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Au掺杂Hg_(3)In_(2)Te_(6)成键机制与电子性质的第一性原理研究
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作者 高求 罗燕 +4 位作者 罗江波 刘米丰 杨榛 赵涛 傅莉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第3期428-435,共8页
Hg_(3)In_(2)Te_(6)(简称MIT)是Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体Hg_(3-3x)In_(2x)Te_(3)中x=0.5时对应的稳定相。本文采用第一性原理方法,系统地探究了Au在MIT中的稳定性和掺杂效率。计算结果表明:Au—Te键具有与Hg—Te相似的极性共价键特性... Hg_(3)In_(2)Te_(6)(简称MIT)是Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体Hg_(3-3x)In_(2x)Te_(3)中x=0.5时对应的稳定相。本文采用第一性原理方法,系统地探究了Au在MIT中的稳定性和掺杂效率。计算结果表明:Au—Te键具有与Hg—Te相似的极性共价键特性,表明Au在MIT中具有一定掺杂稳定性。此外,发现Au在MIT中存在两性掺杂特性:Au在Au_(Hg)和Au_(In)体系中表现受主特性,Au-5d电子轨道分别在价带顶和-4 eV位置与Te-5p电子轨道形成共振,形成受主杂质能级;而Au在Au_(Te)和Au_(I)体系中表现施主特性,Au-5d与Hg-6s、In-5s电子轨道在导带底产生共振,形成施主杂质能级。富Hg条件下,Au_(I)、Au_(Te)与Au_(Hg)之间会产生自我补偿效应,费米能级被钉扎在价带顶,而富Te条件下,上述自我补偿效应将会得到有效消除。 展开更多
关键词 MIT 掺杂 结构弛豫 自我补偿效应 杂质能级 第一性原理
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碳化硅颗粒强化铜基双梯度纳米结构复合材料的制备及性能 被引量：3
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作者 杨雷 高求 +3 位作者 刘鸿 陈何昊 肖寒月 程南璞 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期428-433,共6页
本研究通过改变β-SiC强化颗粒空间体积分数分布以及Cu基体晶粒尺寸大小分布,结合粉末冶金技术制备出碳化硅颗粒强化铜基双梯度纳米结构复合材料(Cu/SiC),实验结果表明Cu/SiC复合材料强化体与基体界面结合良好,材料的结构与性能呈明显... 本研究通过改变β-SiC强化颗粒空间体积分数分布以及Cu基体晶粒尺寸大小分布,结合粉末冶金技术制备出碳化硅颗粒强化铜基双梯度纳米结构复合材料(Cu/SiC),实验结果表明Cu/SiC复合材料强化体与基体界面结合良好,材料的结构与性能呈明显的梯度变化特征,该复合材料的强化是主要由载荷转移、加工硬化、细晶强化三者共同作用的结果。 展开更多
关键词 双梯度结构 纳米结构 Cu/SiC复合 粉末冶金
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