题名 一种非校正14位CMOS A/D转换器
1
作者
高炜祺 蒲佳 舒辉然
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期404-406,410,共4页
文摘
设计了一种高精度A/D转换器电路。为了提高匹配精度,内部DAC采用一种电容DAC的新型分段结构;通过版图设计优化,可在不进行数字校正的情况下达到14位的分辨率,最大程度地减小了设计复杂性和功耗。整体电路采用0.6μm标准CMOS工艺线进行投片验证,实现了14位转换,转换时间达到2.5μs。
关键词
逐次逼近 A/D转换器 分段结构 CMOS
Keywords
Successive approximation A/D converter Segmented structure CMOS
分类号
TN792
[电子电信—电路与系统]
题名 一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析
2
作者
高炜祺 刘虹宏
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《空间电子技术》
2019年第2期79-82,共4页
文摘
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO_2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO_2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。
关键词
高压PMOS器件 低剂量辐照 PMOS版图 漏源击穿电压
Keywords
High-voltage PMOS Low dose radiation Layout of PMOS Drain-source breakdown voltage
分类号
V474
[航空宇航科学与技术—飞行器设计]
题名 一种基于新型寄存器结构的逐次逼近A/D转换器
被引量：3
3
作者
张红 高炜祺 张正璠 张官兴
机构
重庆邮电大学 中国电子科技集团公司第二十四研究所 西安电子科技大学
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期337-339,343,共4页
文摘
介绍了一种10位CMOS逐次逼近型A／D转换器。在25kSPS采样频率以下，根据模拟输入端输入的0～10V模拟信号，通过逐次逼近逻辑，将其转化为10位无极性数字码。转换器的SAR寄存器结构采用了一种新的结构来实现D触发器。该转换器采用3μmCMOS工艺制作，信噪比为49dB，积分非线性为±0．5LSB。
关键词
A/D转换器 逐次逼近 寄存器
Keywords
A/D converter Successive approximation Register
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 铝外壳密封激光焊接技术探讨
被引量：5
4
作者
曾大富 高炜祺 白景成
机构
电子工业部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期202-205,共4页
文摘
对采用激光焊接技术密封铝合金外壳实验中出现的问题，如铝表面对激光束的反射，接头坡口的几何形状要求，保护气体的种类与流量，焊接参数选择以及焊接时焊缝产生的裂纹和气孔等，进行了探讨。结果发现，对于Ｌ３型铝外壳，选用正确的焊接参数和合适的接头形状。
关键词
半导体制造 封装 电路组装 激光焊接
分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
TG456.7
[金属学及工艺—焊接]
题名 一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源
被引量：2
5
作者
尹洪剑 万辉 高炜祺
机构
重庆电子工程职业学院应用电子学院 中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第4期461-464,共4页
文摘
基于XFAB 0.6μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 m A以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55℃～125℃温度范围内的温度系数是3.1×10^(-6)/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 d B;供电电压在4～6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0～10m A范围内,基准输出电压波动为219μV,电流源负载调整率为0.022 m V/m A。
关键词
带隙基准 曲率补偿 电流驱动
Keywords
Bandgap reference Curvature compensation Current driving
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 某模/数转换器低温下输出异常失效分析
被引量：1
6
作者
白璐 朱恒静 高炜祺
机构
中国电子科技集团第 中国空间技术研究院
出处
《环境技术》
2021年第2期129-133,共5页
文摘
近些年来,关于电子元器件的失效分析的研究正变得越来越重要。通过电子元器件的失效分析,不仅可以发现设计与工艺制造的问题,且从中获取的经验还可以在相似产品上得到应用,避免后续相同或相似问题再次发生,使得同类产品可靠性得以提升。本文是关于某10位模/数转换器输出异常的失效分析。该批产品在进行筛选以及质量一致性检验过程中未发现异常,但用户在低温下测试时发现异常。将该产品退回所后用原测试系统、按照原测试方法复测仍然合格,在分析仪器有限的情况下,借助于试验、仿真等手段进行分析,发现产品存在固有缺陷,而所用测试方法由于不能发现该异常现象,因此筛选时未剔除此类缺陷。本篇文章对失效原因、失效机理进行了详细的分析,并提出了后续改进建议,对提高同类产品的可靠性具有借鉴意义。
关键词
模/数转换器 低温 失效分析
Keywords
A/D converter low temperature failure analysis
分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
题名 一种抗辐照加固高压DAC的设计
7
作者
苏晨 雷郎成 高炜祺
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《空间电子技术》
2021年第3期49-52,共4页
文摘
高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等。通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响。文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了MOS器件的不同阈值变化对DAC影响的机理。并提出一种低电源电压的设计思路,有效提高了高压DAC的抗辐照能力。最后,利用内置LDO和输出运放钳位降压的设计,将高压DAC的抗辐照能力提高至50k rad(Si)。
关键词
高压DAC MOS管阈值 NMOS管环栅 总剂量辐照
Keywords
high-voltage DAC threshold volt of MOS transistor ring-gate NMOS transistor total dose radiation
分类号
V443.4
[航空宇航科学与技术—飞行器设计]
题名 混合型高分辨率高速A/D转换器用的铝合金封装
8
作者
曾大富 高炜祺
机构
信息产业部电子第二十四研究所
出处
《电子与封装》
2001年第1期24-25,共2页
文摘
众所周知,现代先进的电子系统中都广泛应用 A/D 或 D/A 来改善数字处理技术的性能,而混合集成的 A/D 转换器,在动态特性要求高的应用场合,有着广阔的使用前景。高分辨率、高速 A/D 转换器,在封装上有特殊要求,传输延迟,串扰,散热,特性阻抗等都得在封装结构设计中认真考虑。本文介绍用铝合金封装将外壳与散热器融为一体,对缩小体积,减轻重量,提高可靠性,在一些军事应用领域中具有重要意义。
关键词
模数转换器 铝合金封装 混合集成
分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
题名 一种可实现非均匀校正和盲元补偿的像元ADC
被引量：3
9
作者
曾岩 黄文刚 马敏舒 高炜祺
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期938-943,共6页
文摘
像元ADC可将红外探测器的电流信号直接转换成对应数字量,在像元阵列之间以数字的方式进行传输和最终输出。本文设计了一种可实现非均匀校正和盲元补偿算法的像元级ADC,避免了在算法级进行非均匀校正和盲元补偿的方式,降低了后续图像处理算法实现的难度,减少了图像处理算法消耗的资源。所提出的像元ADC基于64×64探测器阵列进行了红外焦平面读出芯片的设计,并采用40 nm CMOS工艺进行了流片,单个像元级ADC面积≤30μm×30μm,读出芯片面积约4.5 mm×4.5 mm。流片测试结果表示该像元ADC可实现非均匀校正与盲元补偿,非均匀校正范围可达到34%。
关键词
焦平面阵列 像元数模转换器 非均匀校正 盲元补偿
Keywords
FPA pixel-ADC non-uniformity correction blind element compensation
分类号
TN219
[电子电信—物理电子学]
题名 一种新型电压电流混合加权12位DAC
被引量：1
10
作者
刘虹宏 陈隆章 高炜祺 万辉
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆西南集成电路设计有限责任公司
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期443-447,共5页
文摘
设计并实现了一种双路12位电压输出型数模转换器(DAC)。采用"10+2"分段式结构,高10位采用开关树电阻串DAC架构,保证了DAC良好的单调性。低2位采用电流舵DAC架构,从整体上减小了DAC的面积。12位DAC未经修调即可实现12位转换精度。该DAC采用0.35μm标准CMOS工艺实现,芯片尺寸为2.59mm×2.09mm。测试结果表明,在电源电压为5V时,DAC的功耗为19.5mW,DNL为-0.2LSB,INL为-2.2LSB,输出建立时间为2.5μs。在采样频率为480kS/s、输出频率为1kHz的条件下,DAC的SFDR为65dB。
关键词
数模转换器 轨轨输出缓冲 内部基准
Keywords
DAC rail to rail output buffer internal reference
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN792
[电子电信—电路与系统]
题名 应用于三维IC的积累型NMOS变容二极管
11
作者
王凤娟 陈佳俊 万辉 高炜祺 余宁梅 杨媛
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院 中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第4期582-586,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61774127,61771388) 霍英东教育基金会第十七届高等院校青年教师基金资助项目(171112) 陕西省创新能力支撑计划-青年科技新星项目(2020KJXX-093)。
文摘
基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管。通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型NMOS变容二极管具有电容密度大、集成度高的优点。分析了TSV高度、TSV直径、源区和漏区结深、源区和漏区宽度对所提出变容二极管性能的影响。结果表明,通过增加TSV高度或增大TSV直径都可以提高电容密度;通过减小源、漏区的结深可以提升电压灵敏度;通过增大源、漏区的宽度可以提高空穴对沟道中产生的电子抑制能力。在上述比较中加入了解析模型。最后给出了该变容二极管的工艺流程。
关键词
TSV 积累型NMOS变容管 三维集成电路
Keywords
TSV cumulative NMOS varactor three-dimensional IC
分类号
TN31
[电子电信—物理电子学]
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计
12
作者
曹梦琦 王晓晖 高炜祺
机构
重庆吉芯科技有限公司 西安电子科技大学
出处
《空间电子技术》
2023年第4期45-49,共5页
文摘
由于γ射线对SiO_(2)的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图,但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理,并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路,同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后,通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析,高压ADC在50 k rad(Si)总剂量条件下仍能达到设计要求。
关键词
高压直采ADC MOS管阈值电压 二极管死区漏电 总剂量
Keywords
high voltage direct sampling ADC threshold voltage of MOS transistor dead zone leakage current of diode total dose radiation
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
V443
[航空宇航科学与技术—飞行器设计]
题名 多晶硅电阻线性度补偿方法研究
13
作者
杨洋 雷郎成 高炜祺 胡永菲 刘虹宏 付东兵
机构
重庆吉芯科技有限公司
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第1期33-37,共5页
文摘
介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因。提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法。采用仿真和测试,对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能。结果表明,经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了更优的线性度。
关键词
多晶硅电阻 非线性补偿 自热效应 D/A转换器
Keywords
polysilicon resistor nonlinear compensation self-heating effect D/A converter
分类号
TN792
[电子电信—电路与系统]
题名 芯片封装技术知多少
14
作者
曾大富 高炜祺
出处
《微型计算机》
北大核心
1999年第3期22-23,共2页
关键词
微机处理器芯片 封装 CPU 制造工艺
分类号
TP332.05
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
