GaAs／Ge的MOCVD生长研究 被引量：4

1

作者 高鸿楷 赵星 +2 位作者 何益民 杨青 朱李安 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第6期518-521,共4页

用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽达１６弧秒。１０Ｋ下ＰＬ谱半峰... 用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽达１６弧秒。１０Ｋ下ＰＬ谱半峰宽为７ｍｅＶ．讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和ＧａＡｓ－Ｇｅ界面的Ｇａ、Ｇｅ原子互扩散问题。 展开更多

关键词 MOCVD 砷化镓 异质外延

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透射式GaAs光电阴极材料的MOCVD生长 被引量：1

2

作者 高鸿楷 张济康 +3 位作者 云峰 龚平 王海滨 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 1992年第2期133-137,共5页

用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10^(18)-10^(19)cm^(-3),少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限与设计值基本符合。利用此材料进行了阴极激活实验,制成了透射... 用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10^(18)-10^(19)cm^(-3),少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限与设计值基本符合。利用此材料进行了阴极激活实验,制成了透射式GaAs光阴极。 展开更多

关键词 GAAS 半导体 光阴极 气相沉积

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MOCVD法透射式GaAs光阴极材料生长及性能研究 被引量：1

3

作者 高鸿楷 张济康 云峰 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期382-385,共4页

应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10^(19)cm^(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱吸收波长范围与设计值基本符合。用此方法生成的材料进行了... 应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10^(19)cm^(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱吸收波长范围与设计值基本符合。用此方法生成的材料进行了阴极激活实验,制成了透射式 GaAs 光电阴极。 展开更多

关键词 砷化镓 光电阴极 生长 性能 MOCVD

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优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究

4

作者 高鸿楷 龚平 +2 位作者 王海滨 朱作云 李跃进 《光子学报》 EI CAS CSCD 1993年第2期189-192,共4页

用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲... 用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。 展开更多

关键词 MOCVD 异质结 砷化镓 硅 外延生长

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实用化微机全自动控制XG60-1型MOCVD装置的研制

5

作者 高鸿楷 张济康 +5 位作者 叶亚仙 李秀如 云峰 刘瑛 张增颜 侯洵 《高速摄影与光子学》 CSCD 1990年第4期360-365,共6页

本文介绍的是自行设计与制造的高度自动化MOCVD装置。该装置设有9路流量控制管路,6路源,1路HCl气源及氯气旁路,装置气密性好,8 kg/cm^2正压时,用Snoop溶液检测无泄露。配有真空机组,反应室可抽至10^(-5)乇。反应室为高频加热,控温精度&#... 本文介绍的是自行设计与制造的高度自动化MOCVD装置。该装置设有9路流量控制管路,6路源,1路HCl气源及氯气旁路,装置气密性好,8 kg/cm^2正压时,用Snoop溶液检测无泄露。配有真空机组,反应室可抽至10^(-5)乇。反应室为高频加热,控温精度±0.2℃,有机源冷井控温精度±0.1℃,设有压力,H_2、AsH_3、PH_3报警及自动处置系统,有断水,断电保护,全部控制量均为数字显示,温度及全部流量的设置与调整均实现微机自动控制,配有GaAs,AlGaAs单层及多层结构生长工艺的专用软件,实现完全自动化生长。该装置性能稳定,重复性好,安全可靠,对操作者及环境无危害,设有手动及自动转换开关,适合于科研和生产使用。 展开更多

关键词 微机 MOCVD装置 半导体设备

原文传递

用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计 被引量：10

6

作者 汪韬 李辉 +2 位作者 李宝霞 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期196-199,共4页

根据边缘光线原理 ,优化设计太阳电池及光伏系统的菲涅耳线聚焦聚光透镜 .设计光学聚光率为 1 8× ,可用于空间、地面光伏系统的聚光系统 .分析了其集光角特性 ,表明该菲涅耳线聚焦棱镜具有大的集光角 (±

关键词 太阳电池 菲涅耳线聚焦聚光透镜 集光角 边缘光线 光伏系统 设计

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三代管MCP离子阻挡膜研究 被引量：11

7

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1496-1499,共4页

三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的... 三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的表面 Cs- O层 ,使阴极的灵敏度衰退 .所以在 MCP的输入端制作一层 Al2 O3 离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用 .本文介绍了 MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理 ,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺 . 展开更多

关键词 GAAS MCP 光电阴极 离子阻挡膜 三代管 砷化镓 电子透射 Al2O3 三氧化二铝

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新型菲涅尔线聚光太阳电池组件特性分析 被引量：7

8

作者 汪韬 李晓婷 +2 位作者 李宝霞 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1138-1141,共4页

以PMMA为材料 ,采用热压成型工艺加工线聚焦菲涅尔聚光棱镜 ,对在其聚光条件下不同入射角度情况下太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 :该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率 ,而且具有比较宽泛的集光角的特性 。

关键词 聚光太阳电池 组件特性 热压成型工艺 电流电压特性 PMMA 菲涅尔聚光棱镜

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新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究 被引量：6

9

作者 汪韬 赛小锋 +2 位作者 李晓婷 李宝霞 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期625-627,共3页

以聚甲基丙烯酸甲脂为材料 ,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜 (8× ) ,可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统 ,并对在其聚光条件下 ,太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 ,该菲涅尔线聚焦棱镜能有... 以聚甲基丙烯酸甲脂为材料 ,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜 (8× ) ,可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统 ,并对在其聚光条件下 ,太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 ,该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率 模具的机械加工精度和光学抛光精度低 。 展开更多

关键词 菲涅尔透镜 太阳聚光器 聚甲基丙烯酸甲脂 热压成型工艺 菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层内应力的种类及其表征与测量 被引量：6

10

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期88-92,共5页

本文介绍了透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射外延层内应力的种类及其表征方法和测量方法 。

关键词 GAAS/ALGAAS 光电阴极 X射线衍射 应力 外延 测量方法 表征方法 砷化镓 铝砷镓化合物 半导体

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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 被引量：3

11

作者 汪韬 李宝霞 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页

采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴... 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关 展开更多

关键词 生长速率 低压MOCVD 外延生长 异质结 液相金属氧化物化学汽相沉积 GAAS/GE 反向畴 砷化镓 锗 半导体 太阳电池

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析 被引量：4

12

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期312-316,共5页

本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .

关键词 ALGAAS/GAAS X射线衍射 光电阴极 倒易点二维图 砷化镓 透射式GAAS光电阴极 外延层 镓铝砷化合物

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GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长 被引量：4

13

作者 李辉 汪韬 +2 位作者 李宝霞 赛晓峰 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期209-212,共4页

本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 ... 本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 . 展开更多

关键词 LP-MOCVD CaInP2/GaAs/Ge 叠层太阳电池 外延生长 镓铟磷化合物 砷化镓 锗

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GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究 被引量：4

14

作者 李晓婷 王一丁 +5 位作者 汪韬 殷景致 王警卫 赛小锋 高鸿楷 张志勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1363-1366,共4页

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影... 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层. 展开更多

关键词 LP-MOCVD GASB INASSB 生长温度

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半峰宽研究 被引量：3

15

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期93-97,共5页

本文研究了晶体 X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系 ,外延层之间

关键词 ALGAAS/GAAS X射线衍射 应力 光电阴极 砷化镓 铝镓砷化合物 摇摆曲线半峰宽 外延层 半导体

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MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究 被引量：3

16

作者 李宝霞 汪韬 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期249-252,共4页

利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaIn... 利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaInP/GaAs/Ge太阳能电池的隧道结 . 展开更多

关键词 GAAS 碳掺杂 GaAs隧道结

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透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析 被引量：2

17

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期778-780,共3页

介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后 。

关键词 透射式GAAS光电阴极 组件 表面氧化 XPS分析 真空 砷化镓 高温烘烤

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GaAs光阴极材料的液相外延 被引量：2

18

作者 张冰阳 何益民 +3 位作者 朱李安 张济康 高鸿楷 侯洵 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期130-133,共4页

利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、... 利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10^(16)cm^(-3),少子扩散长度达2.1μm。 展开更多

关键词 砷化镓 光阴极 液相处延

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究 被引量：1

19

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期200-204,共5页

本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外... 本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的实测倒易点二维图 ,最后提出了降低 Al Ga As/ Ga 展开更多

关键词 倒易点 二维图 热应力 半导体 透射式GAAS光电阴极 砷化镓 AlGaAs/GaAs外延层 镓铝砷化合物 晶格弯曲 X射线衍射

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析 被引量：1

20

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期454-457,共4页

研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。

关键词 GAAS ALGAAS 光电阴极 晶格常量 X线射衍射 砷化镓 镓铝砷化合物

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