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超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
1
作者 曹文彧 张雅婷 +5 位作者 魏彦锋 朱丽娟 徐可 颜家圣 周书星 胡晓东 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期292-299,共8页
在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InG... 在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InGaN/GaN超晶格插入层的外延结构及其对照样品.变温光致发光谱测试表明引入n型InGaN/GaN超晶格插入层的样品发光波长更短且内量子效率提升,相应的电致发光谱积分强度也显著增加且半宽减小,说明引入超晶格应变插入层可以在一定程度上抑制影响发光效率的量子限制Stark效应.理论计算结果表明:在生长有源区量子阱前引入超晶格应变层,可以削弱有源区量子阱内极化内建电场,减弱有源区量子阱能带倾斜,增加电子空穴波函数交叠,提高发射几率,缩短辐射复合寿命,有利于辐射复合与非辐射复合的竞争,实现更高的复合效率,从而提高发光强度.本文从实验和理论两方面验证了超晶格应变调制插入层可以有效改善器件性能,为器件的结构设计优化指明方向. 展开更多
关键词 GAN 多量子阱 超晶格 应变调制
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芽孢杆菌与化学杀菌剂复配防治葡萄灰霉病的研究
2
作者 尹向田 迟军利 +5 位作者 韩星 李廷刚 刘其宝 魏彦锋 杨国伟 袁丽芳 《中外葡萄与葡萄酒》 北大核心 2024年第4期95-101,共7页
为了减少防治葡萄灰霉病化学农药的使用,提高生防芽孢杆菌防治灰霉病的作用效果,本研究采用平板对峙法和生长速率法筛选出防治葡萄灰霉病的有效化学杀菌剂和生防芽孢杆菌,并对二者进行复配,通过室内离体接种和盆栽试验明确复配药剂对灰... 为了减少防治葡萄灰霉病化学农药的使用,提高生防芽孢杆菌防治灰霉病的作用效果,本研究采用平板对峙法和生长速率法筛选出防治葡萄灰霉病的有效化学杀菌剂和生防芽孢杆菌,并对二者进行复配,通过室内离体接种和盆栽试验明确复配药剂对灰霉病的防治效果。结果表明,化学杀菌剂异菌脲和贝莱斯芽孢杆菌GSBZ09对灰霉病菌的抑制效果较好,异菌脲的EC_(50)值最低,为6.46 mg·L^(-1);贝莱斯芽孢杆菌GSBZ09的拮抗作用最强,且异菌脲对贝莱斯芽孢杆菌GSBZ09的生长无影响。本研究中异菌脲和贝莱斯芽孢杆菌GSBZ09的复配体积比为3∶1时,防治效果最好,对葡萄灰霉病离体果实防治效果高达92.93%;对盆栽植株的防效为80.63%,均优于异菌脲单剂和贝莱斯芽孢杆菌GSBZ09单剂的防治效果。 展开更多
关键词 葡萄灰霉病 杀菌剂 生防芽孢杆菌 复配 防治
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设施葡萄大棚灰霉病调查及空气中灰葡萄孢的致病性分析
3
作者 陈子荷 尹向田 +5 位作者 刘其宝 李廷刚 韩星 魏彦锋 王素娜 袁丽芳 《中外葡萄与葡萄酒》 北大核心 2024年第5期62-68,共7页
为了明确设施葡萄灰霉病的发生情况,以及设施大棚空气中灰葡萄孢对葡萄的致病性,本研究对山东济阳和招远两地的6个葡萄大棚进行了灰霉病调查,利用大流量空气采样器采集棚内空气样品,对其中的灰葡萄孢进行分离、鉴定和致病力检测。结果显... 为了明确设施葡萄灰霉病的发生情况,以及设施大棚空气中灰葡萄孢对葡萄的致病性,本研究对山东济阳和招远两地的6个葡萄大棚进行了灰霉病调查,利用大流量空气采样器采集棚内空气样品,对其中的灰葡萄孢进行分离、鉴定和致病力检测。结果显示,葡萄灰霉病在两基地的葡萄生长季均有发生,且8月灰霉病的病情指数最高,为11.22。通过对空气样本中的真菌进行分离鉴定和致病性分析发现,设施葡萄大棚空气中存在大量的灰霉病菌,该病原菌的分离率最高,为38.89%,且对多个葡萄品种具有致病力,但在不同葡萄品种间存在差异,其中对‘红地球’的致病力最强,对‘阳光玫瑰’的致病力最弱。本研究为设施葡萄灰霉病在空气中的传播提供了有力证据,为设施葡萄中病害的预警和防治奠定了一定的基础。 展开更多
关键词 设施葡萄 灰霉病 空气微生物 病原鉴定 致病性
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玫瑰花渣中黄酮的提取与纯化工艺研究
4
作者 高德艳 朱双全 +2 位作者 王超萍 蒋锡龙 魏彦锋 《中国果菜》 2024年第2期35-40,76,共7页
玫瑰花含有多糖、黄酮、花青素等多种生物活性物质,应用价值高。本研究以提取精油后的玫瑰花渣为原料,研究玫瑰花渣中黄酮的提取、纯化工艺。结果表明,玫瑰花渣中黄酮最佳提取工艺为乙醇浓度70%、料液比1∶20,提取温度75℃,提取时间2 h... 玫瑰花含有多糖、黄酮、花青素等多种生物活性物质,应用价值高。本研究以提取精油后的玫瑰花渣为原料,研究玫瑰花渣中黄酮的提取、纯化工艺。结果表明,玫瑰花渣中黄酮最佳提取工艺为乙醇浓度70%、料液比1∶20,提取温度75℃,提取时间2 h,在该工艺条件下,提取液中黄酮的提取率为49.75%;最适合玫瑰黄酮纯化的树脂为AB-8树脂,优化了吸附和解吸工艺,吸附时进样流速为3 BV/h,进样浓度为3 mg/mL,水洗体积为3 BV;解吸剂为60%乙醇,解吸流速为2 BV/h,解吸液浓缩干燥后黄酮纯度达80%以上。 展开更多
关键词 玫瑰花渣 黄酮 提取工艺 纯化工艺
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垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟 被引量：11
5
作者 魏彦锋 方维政 +2 位作者 张小平 杨建荣 何力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期853-859,共7页
采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区... 采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区域的温度梯度也是改善固液界面形状的一个有效方法 .同时 ,通过对生长系统中的热流分析 ,表明在生长过程的中间阶段 ,热量交换主要集中在梯度区附近 。 展开更多
关键词 CDTE 垂直Bridgman方法 有限元法 数值模拟
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HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制 被引量：5
6
作者 魏彦锋 徐庆庆 +4 位作者 陈晓静 张传杰 孙士文 方维政 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期246-248,共3页
研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑... 研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜. 展开更多
关键词 碲镉汞 液相外延 表面缺陷
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HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征 被引量：8
7
作者 魏彦锋 陈新强 曹妩媚 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期294-296,313,共4页
液相外延是制备HgCdTe薄膜材料的一项成熟技术,大尺寸的外延薄膜是研制HgCdTe红外焦平面列阵的基础。探讨了尺寸为30mm×40mm的HgCdTe液相外延薄膜生长技术,用红外透射光谱和X光貌相技术对材料进行了评价。并对HgCdTe薄膜表面的黑... 液相外延是制备HgCdTe薄膜材料的一项成熟技术,大尺寸的外延薄膜是研制HgCdTe红外焦平面列阵的基础。探讨了尺寸为30mm×40mm的HgCdTe液相外延薄膜生长技术,用红外透射光谱和X光貌相技术对材料进行了评价。并对HgCdTe薄膜表面的黑点缺陷、波纹起伏等特征形貌进行了讨论,指出黑点缺陷是杂质粒子在薄膜表面形成的包裹体,而表面波纹是由生长母液中的对流引起的。 展开更多
关键词 液相外延 碲镉汞 缺陷
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Cd1-xZnxTe合金的退火研究 被引量：3
8
作者 魏彦锋 方维政 +5 位作者 刘从峰 杨建荣 何力 王福建 王兴军 黄大鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期992-995,共4页
用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ... 用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ,选择合适的退火温度和退火时间 ,可以有效地消除晶片中大尺寸的 Te沉淀 ,却难以消除晶片中小尺寸的微量 展开更多
关键词 CDZNTE 红外透射谱 喇曼散射 退火
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Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的X射线衍射 被引量：2
9
作者 魏彦锋 王庆学 +2 位作者 陈新强 杨建荣 何力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期946-950,共5页
采用高分辨 X射线衍射的方法 ,研究了 Hg1 - x Cdx Te液相外延材料的 X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系 .实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响 .衬底与外延层之间的互扩散区约为 2～ 3μm,在... 采用高分辨 X射线衍射的方法 ,研究了 Hg1 - x Cdx Te液相外延材料的 X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系 .实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响 .衬底与外延层之间的互扩散区约为 2～ 3μm,在此区域 ,摇摆曲线半峰宽变窄 ,表明从衬底扩散来的 Zn元素降低了界面处的位错密度 .通过测量晶格常数随厚度的变化 ,得到了 Cd组分的纵向分布 ,表面组分低 ,越靠近衬底组分越高 ,组分分布呈非线性变化 。 展开更多
关键词 Hg1-χCdχTe 液相外延 X射线衍射
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Au掺杂HgCdTe材料的光电特性 被引量：1
10
作者 魏彦锋 孙权志 +1 位作者 张娟 孙瑞赟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第4期30-36,共7页
Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),... Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),通过富Hg退火技术来抑制材料中的Hg空位,Hg空位的浓度控制在1~2×10^(15)/cm^(3)。变温霍尔测试表明,退火材料中的受主杂质能级为8~12 meV,并且与退火条件相关。采用Au掺杂材料和离子注入成结工艺制备了截止波长为14μm的甚长波红外焦平面器件,测试结果显示,用Au掺杂取代Hg空位掺杂,可以显著提高红外探测器的光响应率,探测器的内量子效率可以达到95%以上。 展开更多
关键词 HgCdTe液相外延 Au掺杂 少子扩散长度
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Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究
11
作者 魏彦锋 黄大鸣 +3 位作者 王东红 靳彩霞 王杰 沈孝良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期881-887,共7页
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，... 用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相． 展开更多
关键词 分子束延法 外延生长 三元合金薄膜 半导体材料
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ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱
12
作者 魏彦锋 黄大鸣 +3 位作者 王兴军 俞根才 诸长生 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期492-496,共5页
在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自... 在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光． 展开更多
关键词 半导体量子阱 双激子发光谱 分子束外延生长
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液相外延生长过程中外延层厚度的卷积计算方法
13
作者 魏彦锋 孙权志 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期161-165,共5页
讨论了液相外延生长过程中外延层厚度与生长条件的关系。在生长速率决定于溶质扩散的前提下,推导出了外延层厚度的卷积表达式。利用这一表达式,可以得出不同液相外延工艺中外延层厚度与生长时间、冷却速率的关系。并且,外延层厚度的卷... 讨论了液相外延生长过程中外延层厚度与生长条件的关系。在生长速率决定于溶质扩散的前提下,推导出了外延层厚度的卷积表达式。利用这一表达式,可以得出不同液相外延工艺中外延层厚度与生长时间、冷却速率的关系。并且,外延层厚度的卷积算法可以应用于更为复杂的生长条件,例如:非均匀的降温速率、非线性的液相线形状以及有限的生长溶液等。 展开更多
关键词 生长模型 扩散 液相外延
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红外光电探测器的前沿热点与变革趋势 被引量：21
14
作者 叶振华 李辉豪 +17 位作者 王进东 陈星 孙常鸿 廖清君 黄爱波 李辉 周松敏 林加木 潘建珍 王晨飞 陈洪雷 陈路 魏彦锋 林春 胡晓宁 丁瑞军 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期15-39,共25页
红外光电探测技术通常工作在无源被动的传感模式,具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、全天时工作等优点,在航天遥感、军事装备、天文探测等方面都有广泛应用。至今,二代、三代红外光电探测器已大规模进入装备,高端三代也... 红外光电探测技术通常工作在无源被动的传感模式,具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、全天时工作等优点,在航天遥感、军事装备、天文探测等方面都有广泛应用。至今,二代、三代红外光电探测器已大规模进入装备,高端三代也在逐步推进实用化,并出现了前沿前瞻性的新概念、新技术、新器件。本文聚焦国内外的红外技术研究现状,重点介绍红外光电探测器当前的研究热点与未来的发展趋势。首先,介绍针对战术泛在化、战略高性能的SWaP^(3)概念。其次,综述以超高空间分辨率、超高能量分辨率、超高时间分辨率、超高光谱分辨率为特征的高端三代红外光电探测器,分析挑战光强探测能力极限的红外探测器的技术特征与实现方法。然后,论述基于人工微结构的四代红外光电探测器,重点介绍偏振、光谱、相位等多维信息融合的实现途径与技术挑战。最后,从片上数字化升级为片上智能化的角度,探讨未来极具变革性趋势的红外探测器。 展开更多
关键词 红外光电探测器 SWaP^(3) 多维信息融合 片上智能化 曲面/柔性探测器
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碲镉汞红外焦平面器件技术进展 被引量：19
15
作者 丁瑞军 杨建荣 +7 位作者 何力 胡晓宁 陈路 林春 廖清君 叶振华 陈洪雷 魏彦锋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期85-91,共7页
近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技... 近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。 展开更多
关键词 红外焦平面 碲镉汞 分子束外延 液相外延 读出电路
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B^+注入HgCdTe外延材料的红外透射光谱分析 被引量：11
16
作者 王庆学 魏彦锋 +2 位作者 朱建妹 杨建荣 何力 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1179-1182,共4页
运用多层模型和膜系传递矩阵以及非线性二乘法,模拟了B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱,结果表明B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱能够很好地理论再现,并由此获得了结区的自由载流子浓度分布、迁移率、面自由载流子浓度以及折射... 运用多层模型和膜系传递矩阵以及非线性二乘法,模拟了B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱,结果表明B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱能够很好地理论再现,并由此获得了结区的自由载流子浓度分布、迁移率、面自由载流子浓度以及折射率和消光系数等相关参量,所得结果与微分Hall法测试的结果是一致的.计算结果也表明B+注入HgCdTe导致红外透射率变化的根本原因是注入层的高载流子浓度的等离子效应改变了该层的折射率和消光系数. 展开更多
关键词 离子注入 碲镉汞外延材料 红外光谱 载流子浓度分布
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50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术 被引量：11
17
作者 孙权志 孙瑞赟 +5 位作者 魏彦锋 孙士文 周昌鹤 徐超 虞慧娴 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期49-53,59,共6页
采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控... 采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm×50 mm外延材料的组分均方差达到了0.000 4,厚度均方差达到了0.4μm.在批量生产技术中,加强了对单轮次生长环境的均匀性和生长轮次之间生长条件一致性的控制,同一轮次生长的3片材料之间的组分偏差小于0.000 4,厚度偏差小于0.1μm,不同生长轮次之间材料的组分之间的波动在±0.002左右,厚度之间的波动在±2μm左右.工艺中对碲锌镉衬底的Zn组分、缺陷尺寸和缺陷密度也加强了控制,以控制大面积外延材料的缺陷,晶体双晶衍射半峰宽(FWHM)小于30弧秒,外延材料的位错密度小于1×105cm^(-2),表面缺陷密度小于5 cm^(-2).外延材料经过热处理后,汞空位型的P型Hg0.78Cd0.22Te外延材料77 K温度下的载流子浓度被控制在8~20×1015cm-3,空穴迁移率大于600 cm2/Vs.材料整体性能和批生产能力已能满足大规模碲镉汞红外焦平面探测器的研制需求. 展开更多
关键词 碲镉汞 液相外延 大尺寸 高性能
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液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响 被引量：9
18
作者 王庆学 魏彦锋 +1 位作者 杨建荣 何力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期904-909,共6页
用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱,结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10%的区域,而组分梯度区则影响吸收边斜率.横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率,当组分均方差小... 用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱,结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10%的区域,而组分梯度区则影响吸收边斜率.横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率,当组分均方差小于0. 005时,横向组分波动对透射光谱影响可以忽略.用新的组分分布模型计算了HgCdTe/CdZnTe液相外延薄膜的理论透射光谱,并运用非线性二乘法使理论曲线能够很好地与实验结果吻合,从而获得了更加可信的HgCdTe外延薄膜的纵向组分分布和厚度参数. 展开更多
关键词 多层模型 膜系传递矩阵 HgCdTe外延薄膜 纵向组分分布 横向组分波动
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碲镉汞雪崩焦平面器件 被引量：5
19
作者 李浩 林春 +7 位作者 周松敏 郭慧君 王溪 陈洪雷 魏彦锋 陈路 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期587-590,共4页
碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小... 碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2. 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩光电二极管 焦平面 噪声等效光子数 过剩噪声因子
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HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响 被引量：6
20
作者 崔宝双 魏彦锋 +1 位作者 孙权志 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期225-230,共6页
研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgC... 研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgCdTe液相外延薄膜的组分梯度及其产生的内建电场可以显著地提高器件的响应率.通过与实验数据进行比较,验证了模型的适用性. 展开更多
关键词 HGCDTE红外探测器 纵向组分分布 响应光谱 光传输模型
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