期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到101篇文章
< 1 2 … 6 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
多晶硅CWAr^+激光再结晶功率窗的探讨
1
作者 黄信凡 鲍希茂 +1 位作者 陈坚 梁美龙 《应用科学学报》 CAS CSCD 1989年第3期267-270,共4页
近年来在绝缘衬底上激光再结晶的多晶硅膜内制作SOI器件受到广泛重视.人们对SOI结构的制备及性质,尤其是对多晶硅层和绝缘衬底间的界面面性质进行了广泛的研究.作者曾提出激光功率窗口的概念,激光功率在这个窗口内,才能制出性能良好的SO... 近年来在绝缘衬底上激光再结晶的多晶硅膜内制作SOI器件受到广泛重视.人们对SOI结构的制备及性质,尤其是对多晶硅层和绝缘衬底间的界面面性质进行了广泛的研究.作者曾提出激光功率窗口的概念,激光功率在这个窗口内,才能制出性能良好的SOI再结晶材料.降低窗口对应的功率,拓宽功率窗口是SOI材料和器件制备中的重要问题. 展开更多
关键词 多晶硅 激光 再结晶 功率 窗
下载PDF
测定a-Si:H结晶膜平均晶粒尺寸的一种新方法
2
作者 黄信凡 华雪梅 +1 位作者 徐骏 陈迎迎 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第3期391-396,共6页
本文提出一种测定氢化非晶硅(a-Si:H)结晶膜平均晶粒尺寸的新方法。首先测量结晶膜的电流—电压特性的实验曲线,然后与按照理论模型由计算机模拟作图所得一组曲线进行比较,我们能够得到结晶膜的平均晶粒尺寸。该方法也适用于多晶硅的结... 本文提出一种测定氢化非晶硅(a-Si:H)结晶膜平均晶粒尺寸的新方法。首先测量结晶膜的电流—电压特性的实验曲线,然后与按照理论模型由计算机模拟作图所得一组曲线进行比较,我们能够得到结晶膜的平均晶粒尺寸。该方法也适用于多晶硅的结晶膜。 展开更多
关键词 氢化 非晶硅 激光 结晶 晶粒尺寸
下载PDF
氢化非晶硅结晶膜的微结构研究
3
作者 黄信凡 华雪梅 +2 位作者 朱伟英 郑虹 陈坤基 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1991年第5期370-376,共7页
本文利用连续波Ar^+激光和卤钨灯光对等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)淀积的未掺杂和掺磷的α-Si:H膜进行结晶。对于Ar^+激光辐照结晶情况由转靶X射线衍射分析和透射电子显微镜(TEM)分析表明,上述两种薄膜无明显差异,均呈现<111&... 本文利用连续波Ar^+激光和卤钨灯光对等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)淀积的未掺杂和掺磷的α-Si:H膜进行结晶。对于Ar^+激光辐照结晶情况由转靶X射线衍射分析和透射电子显微镜(TEM)分析表明,上述两种薄膜无明显差异,均呈现<111>择优取向,平均晶粒尺寸约数十微米。对于灯光结晶情况,在700℃/4min条件下,也均呈现<111>择优取向,但掺磷样品的结晶程度更强一些,X射线衍射峰更尖锐,相应的平均晶粒尺寸较大,达亚微米量级。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 结晶膜 微结构
下载PDF
离子注入硅CWCO_2激光退火的几个重要参数研究
4
作者 黄信凡 鲍希茂 +1 位作者 张梅 郭禾 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第2期204-210,共7页
本文以CWCO_2激光为热源对不同剂量硼离子注入硅进行快速热退火。某些条件下在退火样品中会引进各种缺陷。本文讨论了注入剂量,激光功率及衬底温度对硅表面形貌的影响。
关键词 硅 离子注入 退火 激光 CO2 缺陷
下载PDF
a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光 被引量：4
5
作者 成步文 余金中 +3 位作者 于卓 王启明 陈坤基 黄信凡 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期217-222,共6页
本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料．用激光扫描退火方法使其晶化，当ａ... 本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料．用激光扫描退火方法使其晶化，当ａ－Ｓｉ和ＳｉＯ２层厚度分别为４ｎｍ和６ｎｍ时，形成了颗粒大小为３．８ｎｍ的硅晶粒．晶化后的样品在１０Ｋ下可以观察到较强的光荧光发射，三个峰值波长分别为８１０、８２５和８４５ｎｍ． 展开更多
关键词 多量子阱 晶化 光致荧光 二氧化硅 非晶硅
下载PDF
非晶碳化硅材料与光学微腔的制备与发光 被引量：2
6
作者 陈德媛 钱波 +5 位作者 徐骏 梅嘉欣 陈三 李伟 黄信凡 陈坤基 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期121-125,共5页
利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下,制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光谱对所制备的薄膜微结构进行了表征与分析,同时,对具有不同组分比的非晶碳化硅薄膜室温光致发光性质进行... 利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下,制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光谱对所制备的薄膜微结构进行了表征与分析,同时,对具有不同组分比的非晶碳化硅薄膜室温光致发光性质进行了系统的研究。结果表明在Ar+离子激光和Xe灯紫外光的激发下,不同组分的样品显示出不同的光致发光特性,并对样品的发光特性与其微结构的联系进行了讨论。在此基础上,用碳化硅薄膜设计和制备了全固体光学微腔,研究了微腔对碳化硅发光行为的调制作用。 展开更多
关键词 非晶碳化硅 光致发光 微结构 光学微腔
下载PDF
快速热退火对a_Si:H/SiO_2多层膜光致发光的影响 被引量：2
7
作者 马忠元 韩培高 +6 位作者 黄信凡 隋妍萍 陈三钱波 李伟 徐岭 徐骏 陈坤基 《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2005年第1期55-60,共6页
采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影... 采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影响 .研究发现对a_Si:H/SiO2 多层膜作快速热退火处理 ,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰 .研究了不同退火条件下发光峰的变化 .通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析 ,探讨了a_Si:H/SiO2 多层膜在不同退火温度下的光致发光机理 . 展开更多
关键词 a-Si:H/SiO2多层膜 光致发光 快速热退火
下载PDF
镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究 被引量：1
8
作者 徐骏 陈坤基 +4 位作者 黄信凡 贺振宏 韩和相 汪兆平 李国华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期262-264,共3页
报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒；... 报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒； 在Ａｒ＋ 激光（４８８ｎｍ ）的激发下， 观察到了室温下的光致发光现象． 发光峰中心位于２．２ｅＶ． 由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强， 且半高宽也显著变窄， 表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布． 展开更多
关键词 纳米锗 多层膜 光致发光 镶嵌型
下载PDF
用二元光学技术制作透射式Kinoform 被引量：1
9
作者 沐仁旺 周进 +4 位作者 刘建宏 谈苏庆 王其和 黄信凡 高文琦 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2000年第1期67-72,共6页
相息图的最大优点是同轴、衍射效率比较高 ,理想情况下可以达到 10 0 % 采用Ger chberg -Saxton的迭代算法 ,在物域和频域之间进行多次迭代 ,使频谱的振幅大致为常数 ,并对频谱的位相进行量化 ,用二元光学技术制成了 8台阶透射式Kinofo... 相息图的最大优点是同轴、衍射效率比较高 ,理想情况下可以达到 10 0 % 采用Ger chberg -Saxton的迭代算法 ,在物域和频域之间进行多次迭代 ,使频谱的振幅大致为常数 ,并对频谱的位相进行量化 ,用二元光学技术制成了 8台阶透射式Kinoform ,再现时获得了清晰的像 。 展开更多
关键词 KINOFORM 二元光学技术 透射式 相息图 衍射效率
下载PDF
氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能 被引量：1
10
作者 宋捷 王久敏 +3 位作者 余林蔚 黄信凡 李伟 陈坤基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期468-471,492,共5页
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的... 为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀积SiN_x的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1～2×10^(11)eV^(-1) cm^(-2)。 展开更多
关键词 等离子增强化学淀积 NH3等离子体氮化 X射线光电子谱 电容-电压 界面态密度
下载PDF
等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射 被引量：1
11
作者 马忠元 王立 +7 位作者 陈坤基 李伟 张林 鲍云 王晓伟 徐俊 黄信凡 冯端 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期454-457,共4页
报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出... 报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 。 展开更多
关键词 等离子体氧化 纳米硅 光致发光 硅/二氧化硅多层膜
下载PDF
不同尺寸CdTe纳米晶体的共振能量迁移过程的荧光光谱
12
作者 徐岭 马忠元 +2 位作者 徐骏 黄信凡 陈坤基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期68-71,共4页
用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当复合薄膜中两种尺寸的纳米晶体之间的距离逐渐靠近时,较小尺寸... 用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当复合薄膜中两种尺寸的纳米晶体之间的距离逐渐靠近时,较小尺寸的CdTe纳米晶体荧光峰强度逐步减弱,而较大尺寸的纳米晶体的荧光峰强度逐渐加强.荧光光谱的变化来源于大小尺寸纳米晶体之间的荧光共振能量迁移.小尺寸的纳米晶体作为施主,它的荧光光谱与大尺寸的纳米晶体(作为受主)的光吸收谱完全重叠,因而当施主和受主距离逐渐靠近时(明胶浓度逐渐降低时),施主将会把吸收光子得到的能量直接地共振传输给受主.从光谱分析可以得到荧光淬灭效率随颗粒间距的变化关系图,这种关系图可以被用来快速简捷地估计发光纳米晶体之间的距离,从而为它们在化学和生物领域的应用提供了广阔的前景. 展开更多
关键词 CdTe纳米晶体 共振能量迁移 荧光淬灭效率
下载PDF
a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理
13
作者 马忠元 韩培高 +7 位作者 李伟 陈三 钱波 徐骏 徐岭 黄信凡 陈坤基 冯端 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期76-79,共4页
采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层... 采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系. 展开更多
关键词 a-Si:H/SiO2多层膜 NC-SI 光致发光
下载PDF
衬底对a-Si:H激光结晶的影响
14
作者 鲍希茂 顾清 黄信凡 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期233-235,共3页
文章报道了a-Si∶H在石英,SiO_2/Si,WSi_2/Si和Al/Si四种不同衬底上激光结合的结果.
关键词 氢化非晶硅 激光结晶 热处理
下载PDF
二元光学元件的若干应用
15
作者 高文琦 周进 +1 位作者 黄信凡 叶权书 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期531-535,共5页
二元光学元件应用广泛,它可以完成诸如微分,多重象,反差倒转等多种图象处理运算,也可以作为激光扫描器和光计算中的光互连器.本文简要地介绍了我们在这些应用领域所取得的实验结果.
关键词 二元光学元件 计算全息 光学元件
下载PDF
晶化硅多层膜光致发光的量子尺寸效应
16
作者 陈坤基 黄信凡 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1993年第1期291-298,共8页
在晶化的α-Si:H/α-SiN_x:H多层膜结构中,当α-Si:H子层厚度L_s≤40A时,我们首次观察到室温下可见光致发光现象。72层多层异质结构是采用计算机控制等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术制备的,利用Ar^+激光辐照技术使α-Si:H层获得晶... 在晶化的α-Si:H/α-SiN_x:H多层膜结构中,当α-Si:H子层厚度L_s≤40A时,我们首次观察到室温下可见光致发光现象。72层多层异质结构是采用计算机控制等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术制备的,利用Ar^+激光辐照技术使α-Si:H层获得晶化。由X光衍射谱,喇曼散射谱及剖面透射电子显微技术揭示了晶化硅多层膜样品的结构和结晶特性。我们用量子尺寸效应解释了光致发光峰的光子能量与α-Si:H子层的厚度及结晶完整性之间的关系。 展开更多
关键词 硅 薄膜 光致发光 晶化 量子效率
下载PDF
制备发光硅量子晶粒的新方法
17
作者 陈坤基 黄信凡 +1 位作者 徐骏 冯端 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1994年第3期278-282,共5页
本文报道一种能在室温下具有可见光致发光特性的硅(si)量子晶粒的制备方法和光物理特性.利用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)和激光晶化技术相结合,使非晶态Si:H/SiN_x:H多量子阱(MQWs)中的Si晶化而成为量子晶粒.由剖面透射电子显微镜(... 本文报道一种能在室温下具有可见光致发光特性的硅(si)量子晶粒的制备方法和光物理特性.利用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)和激光晶化技术相结合,使非晶态Si:H/SiN_x:H多量子阱(MQWs)中的Si晶化而成为量子晶粒.由剖面透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和Raman测量技术研究了这种镶嵌量子材料的微结构.由光致发光的实验结果表明,当硅晶粒尺寸≤40A时,发光峰位移至2.1eV左右,呈现橙色.这与量子限制模型计算的结果相一致. 展开更多
关键词 硅量子晶粒 可见光致发光 激光晶化 量子限制效应
下载PDF
等离子体氧化制备超薄SiO_2层的性质 被引量：4
18
作者 鲍云 蒋明 +5 位作者 李伟 马忠元 黄少云 王立 黄信凡 陈坤基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1011-1014,共4页
利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于 10 nm的超薄 Si O2 层 .通过傅里叶红外光谱 (FTIR)、X射线光电子谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM)、椭圆偏振法和电流电压 (I- V)、电容电压 (C- V)
关键词 超薄氧化 等离子体氧化 二氧化硅
下载PDF
Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果 被引量：2
19
作者 秦华 陈坤基 +1 位作者 黄信凡 李伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期103-107,共5页
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si：H）到nc－Si：H的结构转变... 采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si：H）到nc－Si：H的结构转变，其氢气流量比例[H2]／（[H2]＋[SiH4]）的阈值为93．3％．随着流量比进一步增大，晶化比例从12％增大至50％，但晶粒尺寸基本保持不变，nc－Si晶粒的平均尺寸约2．5nm，这是不同于常规二极管PECVD、氢稀释制备的nc－Si：H薄膜的新结果，并从实验上验证了电导率和电子迁移率的渗流现象． 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 三极管型 TRIODE PECVD
下载PDF
SOL-GEL法制备的CdS纳米晶粒的量子尺寸效应 被引量：2
20
作者 陈红明 黄信凡 +2 位作者 黄宏彬 李伟 陈坤基 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1998年第1期35-39,共5页
采用溶胶—凝胶（ＳＯＬ－ＧＥＬ）法制备Ⅱ－Ⅵ族化合物ＣｄＳ颗粒胶体溶液，研究其晶体结构及量子尺寸效应，结果表明ＣｄＳ颗粒的晶体结构为纤锌矿结构，颗粒尺寸可以通过改变反应物的浓度加以控制，当颗粒尺寸为５ｎｍ左右时。
关键词 溶胶-凝胶法 纳米晶粒 硫化镉 量子尺寸效应
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 6 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部