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SiC MOSFET栅极氧化层缺陷检测
1
作者 龚瑜 黄彩清 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期190-199,共10页
SiC以其耐高压,高频,高温和高功率密度的材料特性,广泛应用于高效电能转换领域。而其栅氧化层可靠性是评价器件可靠性的重要部分。本文根据SIC MOSFET结构特性和栅氧化层缺陷的形成机理,对一批应力筛选实验失效的样品进行研究,提出了一... SiC以其耐高压,高频,高温和高功率密度的材料特性,广泛应用于高效电能转换领域。而其栅氧化层可靠性是评价器件可靠性的重要部分。本文根据SIC MOSFET结构特性和栅氧化层缺陷的形成机理,对一批应力筛选实验失效的样品进行研究,提出了一种针对SIC-MOSFET的栅氧化层缺陷检测方法。方法使用了正面和背面失效EMMI定位了相同缺陷位置,同时利用聚焦离子束分析等方法找到了栅氧化层物理损伤点,对碳化硅晶圆级别异物缺陷完成了成分分析,验证了晶圆级栅极氧化层异物缺陷对于栅氧化层质量和可靠性的影响,对于SiC MOSFET的早期失效研究有着重要的参考作用。 展开更多
关键词 碳化硅 晶圆缺陷 栅氧化层缺陷 高温栅偏实验
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ICP在清洗劈刀上的应用
2
作者 李玉 黄彩清 刘天德 《广州化工》 CAS 2024年第13期97-100,共4页
劈刀是半导体键合工艺中不可缺少的一个重要工具,本文对应用于铝线键合的楔形劈刀进行研究,用NaOH溶液对劈刀进行清洗后,通过ICP对清洗液进行检测,从侧面验证了劈刀清洗过程中NaOH溶液对劈刀造成的影响,并通过实验设计确定清洗劈刀的NaO... 劈刀是半导体键合工艺中不可缺少的一个重要工具,本文对应用于铝线键合的楔形劈刀进行研究,用NaOH溶液对劈刀进行清洗后,通过ICP对清洗液进行检测,从侧面验证了劈刀清洗过程中NaOH溶液对劈刀造成的影响,并通过实验设计确定清洗劈刀的NaOH溶液的最佳溶度和最佳清洗时间,用20%的NaOH溶液对劈刀清洗10 min,可以最大程度地清洗掉劈刀表面的残余并能减少清洗过程对楔形劈刀造成的损伤。 展开更多
关键词 ICP 劈刀 清洗
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高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展 被引量:7
3
作者 黄彩清 肖汉宁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期53-57,共5页
从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径。采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减... 从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径。采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减小晶粒尺寸,降低气孔率,增加晶界数目,提高晶界势垒,从而有效提高ZnO压敏电阻片的电位梯度。 展开更多
关键词 ZNO压敏电阻片 高电位梯度 能量耐受密度 通流容量 制备工艺
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钇掺杂对ZnO电阻片微观结构和电性能的影响 被引量:3
4
作者 黄彩清 肖汉宁 +1 位作者 洪秀成 成茵 《电瓷避雷器》 CAS 2007年第4期24-27,共4页
研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%~0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分... 研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%~0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大。添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能。 展开更多
关键词 ZNO电阻片 硼酸 钇掺杂 电位梯度
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纳米氧化物表面的竞争吸附及稳定性研究
5
作者 黄彩清 肖汉宁 刘华斌 《陶瓷科学与艺术》 CAS 2006年第3期6-10,共5页
纳米氧化物在介质中的分散与稳定是纳米颗粒合成和应用中的关键问题。本文较系统地研究了各种聚合物在纳米SiO2和ZnO表面的吸附行为,探讨了聚合物浓度、分散体系pH值、电解质类型和浓度等对纳米氧化物表面吸附及稳定性的影响。通过改变... 纳米氧化物在介质中的分散与稳定是纳米颗粒合成和应用中的关键问题。本文较系统地研究了各种聚合物在纳米SiO2和ZnO表面的吸附行为,探讨了聚合物浓度、分散体系pH值、电解质类型和浓度等对纳米氧化物表面吸附及稳定性的影响。通过改变聚合物和电解质的种类以及分散工艺条件,研究了纳米氧化物胶体物系的分散稳定规律。 展开更多
关键词 纳米氧化物 高分子聚合物 竞争吸附 分散规律
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高性能氧化锌电阻片的研究进展 被引量:8
6
作者 洪秀成 肖汉宁 +1 位作者 黄彩清 成茵 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第3期22-26,31,共6页
综述了氧化锌电阻片的导电机理、老化机理、添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,并从三方面指出了高性能氧化锌电阻片的发展趋势。①提高ZnO粉体的质量,如制备纯度高、粒径分布好、易于分散的纳米ZnO粉体,特别是将其他掺杂成分如Bi2O3... 综述了氧化锌电阻片的导电机理、老化机理、添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,并从三方面指出了高性能氧化锌电阻片的发展趋势。①提高ZnO粉体的质量,如制备纯度高、粒径分布好、易于分散的纳米ZnO粉体,特别是将其他掺杂成分如Bi2O3等在制粉过程引入,制备纳米复合粉末,将可从根本上改善掺杂成分的均匀性,从而大幅度地提高氧化锌电阻片的性能;②采用新的烧结工艺,如微波或微波等离子烧结氧化锌电阻片,已展示良好的应用前景,但还存在工艺控制稳定性和规模化生产等问题。因此,应进一步探讨和完善新的烧结工艺,以降低烧结能耗,提高烧成质量和产品合格率;③开发高电位梯度的氧化锌电阻片是电网系统用避雷器小型化的关键,特别对超高压、特高压输变电工程意义重大;④加强相关基础理论的研究,尤其是晶界现象、导电机理、失效模式及其与显微结构关系的研究。 展开更多
关键词 氧化锌电阻片 通流能力 导电机理 老化机理
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塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价 被引量:2
7
作者 林娜 黄侨 黄彩清 《电子与封装》 2023年第5期1-6,共6页
腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对NiPdAgAu预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以... 腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对NiPdAgAu预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24 h,再进行96 h的高加速应力试验。结果表明,采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚。 展开更多
关键词 腐蚀 铜丝键合 预镀框架 电位
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测量系统分析在粗糙度测量中的应用 被引量:2
8
作者 黄彩清 罗金刚 《计量学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期92-95,共4页
为了正确合理地将测量系统分析运用到实际工作中以确保数据的有效性,结合实际产品需求,选用表面粗糙度作为实际测量参数,从分辨力,偏倚,线性,稳定性以及重复性和再现性等几个方面,全面阐述了测量系统分析在粗糙度测量工作中的实际应用... 为了正确合理地将测量系统分析运用到实际工作中以确保数据的有效性,结合实际产品需求,选用表面粗糙度作为实际测量参数,从分辨力,偏倚,线性,稳定性以及重复性和再现性等几个方面,全面阐述了测量系统分析在粗糙度测量工作中的实际应用以及常见误区。该应用方法对测量系统分析在其他各个测量领域的广泛和正确应用提供参考和指导。 展开更多
关键词 计量学 测量系统分析 粗糙度 分辨力 偏倚 线性 稳定性
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综合性护理干预在膝关节韧带损伤关节镜手术中的应用效果 被引量:2
9
作者 黄彩清 《医疗装备》 2020年第22期186-187,共2页
目的探讨综合性护理干预在膝关节韧带损伤关节镜手术患者中的应用效果。方法选取2018年2月至2019年2月于瑞金市中医院接受膝关节韧带损伤关节镜手术的40例患者作为对照组,将2019年4月至2020年4月于瑞金市中医院接受膝关节韧带损伤关节... 目的探讨综合性护理干预在膝关节韧带损伤关节镜手术患者中的应用效果。方法选取2018年2月至2019年2月于瑞金市中医院接受膝关节韧带损伤关节镜手术的40例患者作为对照组,将2019年4月至2020年4月于瑞金市中医院接受膝关节韧带损伤关节镜手术的40例患者作为观察组。对照组实施常规护理,观察组实施综合护理,比较两组膝关节功能恢复情况及护理满意度。结果观察组膝关节功能恢复优良率高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);观察组护理满意度高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论综合性护理干预用于膝关节韧带损伤关节镜手术中的效果较好,可促进患者恢复,提高护理满意度。 展开更多
关键词 膝关节韧带损伤 关节镜手术 综合性护理
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父母参与对儿童发展的关系研究综述 被引量:1
10
作者 黄彩清 《心理学进展》 2014年第1期11-16,共6页
0~6岁是儿童身心快速成长的时期,父母是他们最早的老师,会对他们起到长远而深刻的影响。近几十年的研究更让人们认识到家庭与学校及社区关系将影响儿童的身心智的发展。有效的父母参与可以促进家庭和学校及社区的互助关系发展,增强父母... 0~6岁是儿童身心快速成长的时期,父母是他们最早的老师,会对他们起到长远而深刻的影响。近几十年的研究更让人们认识到家庭与学校及社区关系将影响儿童的身心智的发展。有效的父母参与可以促进家庭和学校及社区的互助关系发展,增强父母对儿童学习教育和社会教育的责任感,从而促进儿童身心智多方面的健康成长。应明确父母参与的结构、影响父母参与的因素,弄清楚父母参与哪些结构对儿童哪些方面有积极的作用,从而为父母参与提供有效的参考。 展开更多
关键词 父母参与 儿童发展 研究
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ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证 被引量:9
11
作者 龚瑜 黄彩清 吴凌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期58-64,共7页
静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(F... 静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。 展开更多
关键词 过电应力(EOS) 静电放电(ESD) 聚焦离子束(FIB) 失效分析 芯片去层处理
原文传递
不同应力下集成电路金铝硅系统可靠性评估 被引量:4
12
作者 龚瑜 黄彩清 吴凌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期564-570,共7页
采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(IMC)层特性及Al-Si界面行为。结果显示,高温应力促进IMC层... 采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(IMC)层特性及Al-Si界面行为。结果显示,高温应力促进IMC层的增长,其增长厚度满足理论模型直至将键合区域Al层全部耗尽,且当Au-Al合金扩散至Si衬底时,在衬底中有一定的溶解度;湿度应力对IMC层厚度增长没有明显影响,但促进了Au4Al界面的电偶腐蚀,长期高温高湿环境会增加焊盘开路的风险;热电综合应力显著加速了IMC层的生长,且主要以焦耳热的形式影响IMC的生长。封装设计时除了考虑线承载电流通量和芯片散热问题外,还要注意引线承载的电流通量及通电时间作用下引起的焦耳热释放问题。 展开更多
关键词 多芯片组件(MCM)封装 金铝键合 热电效应 可靠性 界面行为
原文传递
集成电路多层互连结构故障定位方法 被引量:3
13
作者 龚瑜 黄彩清 刘颖 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期206-213,共8页
随着超大规模集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆级失效点的尺寸也随之不断减小,使得常规的失效定位方法EMMI,OBIRCH已无法满足深亚微米级别故障定位的要求。为了能够实现更精准定位缺陷位置,本文提出了一种先进的深层互连缺陷探测技术:... 随着超大规模集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆级失效点的尺寸也随之不断减小,使得常规的失效定位方法EMMI,OBIRCH已无法满足深亚微米级别故障定位的要求。为了能够实现更精准定位缺陷位置,本文提出了一种先进的深层互连缺陷探测技术:微探针测试定位方法。同时,将故障区域划分为浅层金属,底层金属,深层金属及互连通孔缺陷,提出了根据多层互连金属的结构选择对应定位分析技术的方法,分析和讨论了这几种位置缺陷探测的特点以及推荐的故障定位技术。通过实例分析揭示集成电路多层金属互连失效的主要失效机理,对提高失效分析的成功率以及深亚微米的集成电路的设计有着重要的参考作用。 展开更多
关键词 失效定位 热成像分析 微探针测试 微光显微镜 集成电路
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彩虹缺陷的失效验证方法及机理分析 被引量:2
14
作者 龚瑜 黄彩清 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期311-319,共9页
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并... 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹效应对集成电路的电性能参数的影响。同时,借用FIB,EDS,XPS等物理分析方法,揭示了彩虹效应的失效机理。该案例展示了EMMI,OBIRCH在集成电路内部缺陷无损定位和分析的作用,为边缘缺陷的验证提供技术手段。 展开更多
关键词 彩虹效应 失效定位 集成电路 微光显微镜 光诱导电阻变化
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应用X射线荧光光谱仪对镀层样品的测试研究 被引量:3
15
作者 李玉 黄彩清 吴凌 《分析仪器》 CAS 2019年第5期28-32,共5页
从测试程序的建立、测试元素的稳定性和测试时间的选择等方面研究了X射线荧光光谱仪对厚度为几十及数百纳米金属镀层样品的测试精度,发现设置样品的程序时必须要考虑基材的成分;测试元素的稳定性可采用系统补正的方法调试;测试时间的选... 从测试程序的建立、测试元素的稳定性和测试时间的选择等方面研究了X射线荧光光谱仪对厚度为几十及数百纳米金属镀层样品的测试精度,发现设置样品的程序时必须要考虑基材的成分;测试元素的稳定性可采用系统补正的方法调试;测试时间的选择必须考虑重现性和偏差。通过实验测量证实Ni/Pd/Au/Ag镀层样品的最佳测试时间是120s,而Ni/Pd/Au镀层样品的最佳测试时间为100s。 展开更多
关键词 X射线荧光光谱 金属镀层厚度 基材 稳定性
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浅谈农村小学如何转化学困生
16
作者 黄彩清 《好日子》 2019年第17期122-122,共1页
每个学生都有优缺点,且会随着年龄的增长和周围环境的改变而发生变化。教师应该正确看待学困生,对他们进行爱的感化和教育,通过认真分析学困生的形成原因和个人的具体情况对症下药,培养他们的学习兴趣,及时捕捉他们身上的亮点予以鼓励,... 每个学生都有优缺点,且会随着年龄的增长和周围环境的改变而发生变化。教师应该正确看待学困生,对他们进行爱的感化和教育,通过认真分析学困生的形成原因和个人的具体情况对症下药,培养他们的学习兴趣,及时捕捉他们身上的亮点予以鼓励,帮助他们逐渐树立信心,通过坚持不懈的努力,以及家庭、学校、社会的多方面力量的有力配合,来积极促进学困生的转化。 展开更多
关键词 学困生 素质教育 真情厚爱
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探索语言生命力,指导辩证阅读
17
作者 黄彩清 《好日子》 2019年第16期193-193,共1页
在小学语文教学中,教师要指导学生展开辩证阅读,尝试探究语言中的生命力。通过花式诵读活动,能让学生提高认知的技能;转换思路有助于理顺文章的脉络;教师还可以指导学生学习如何在阅读中解决问题;整合资源进行多元鉴赏,这些方法都有助... 在小学语文教学中,教师要指导学生展开辩证阅读,尝试探究语言中的生命力。通过花式诵读活动,能让学生提高认知的技能;转换思路有助于理顺文章的脉络;教师还可以指导学生学习如何在阅读中解决问题;整合资源进行多元鉴赏,这些方法都有助于提高学生的阅读能力。 展开更多
关键词 辩证阅读 阅读教学 小学语文
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ICP-OES测定电镀液中Pb元素的不确定度评定 被引量:4
18
作者 李玉 黄彩清 刘天德 《分析仪器》 CAS 2020年第5期76-78,共3页
对ICP-OES法检测电镀液中铅含量过程中的不确定来源进行了分析,得出测量结果的扩展不确定度。本实验测得电镀液中铅的含量分别为9.8 mg/L时,当置信概率为95%,取包含因子K=2时,对应的扩展不确定度分别为0.2mg/L。
关键词 ICP-OES 电镀液 不确定度
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激光测距传感器芯片功能异常分析 被引量:3
19
作者 余应森 黄彩清 《失效分析与预防》 2019年第2期124-128,共5页
半导体芯片是所有封装半导体器件的核心功能部件,涉及芯片失效的分析是一项复杂且精细的工作,而对于特定使用性能的芯片,分析方法更是千差万别。本研究基于常见芯片发生异常的主要分析手段,介绍了激光测距传感器功能异常的失效分析方法... 半导体芯片是所有封装半导体器件的核心功能部件,涉及芯片失效的分析是一项复杂且精细的工作,而对于特定使用性能的芯片,分析方法更是千差万别。本研究基于常见芯片发生异常的主要分析手段,介绍了激光测距传感器功能异常的失效分析方法,通过电性能测试及电路板的测试分析,缩小失效发生的功能区域,用I-U曲线测试确定失效的重现方法,最后使用光诱导电阻变化技术(OBIRCH)进行失效的定位,结合晶圆的去层化处理和聚焦离子束(Plasma FIB)微切,用扫描电子显微镜获得失效点的具体位置和形貌,确定失效原因为金属层连接通孔烧融,通孔熔断与造成芯片失效的机理一致,从而为芯片设计、生产工艺优化甚至客户的应用提供了有效的信息。 展开更多
关键词 激光测距传感器 半导体芯片 失效分析 通孔熔断
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镍框架与环氧树脂之间的粘接力改善研究 被引量:1
20
作者 李玉 黄彩清 刘天德 《粘接》 CAS 2022年第1期51-54,60,共5页
利用模封机对不同镀层的框架材料和环氧树脂进行注塑,然后利用粘接力测试仪对框架和环氧树脂之前的粘接力进行了分析,发现镍、金和镍钯银金的镀层材料中,镍镀层的粘接力最小,通过改性的方式可以增大镍层与环氧树脂之间的粘接力,将改性... 利用模封机对不同镀层的框架材料和环氧树脂进行注塑,然后利用粘接力测试仪对框架和环氧树脂之前的粘接力进行了分析,发现镍、金和镍钯银金的镀层材料中,镍镀层的粘接力最小,通过改性的方式可以增大镍层与环氧树脂之间的粘接力,将改性后的镍框架组装成产品后,发现可靠性前后产品的分层失效问题可以得到解决。 展开更多
关键词 粘接力 环氧树脂 镍框架 改性
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