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用于真空微电子学领域的场发射极阵列
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作者 c.a.spindt 相元兰 《半导体情报》 1992年第4期29-37,共9页
新型微真空场效应器件——真空微电子学的发展主要取决于其微型、冷的、强电子源(阴极)的可用性。正在进行的关于微细加工场发射极阵列的SRI计划(斯坦福研究所)提出一种亚微米尺寸的栅控场发射极锥尖结构和制作密集度达到1.5×10~7... 新型微真空场效应器件——真空微电子学的发展主要取决于其微型、冷的、强电子源(阴极)的可用性。正在进行的关于微细加工场发射极阵列的SRI计划(斯坦福研究所)提出一种亚微米尺寸的栅控场发射极锥尖结构和制作密集度达到1.5×10~7锥尖/cm^2发射极阵列的工艺技术。已做成的阵列的覆盖面积直径在几微米至13cm范围内。非常小的总发射极尺寸、材料选择以及严格的发射极锥尖加工过程都有助于将场发射需要的电势降低到几十伏。采用小锥尖阵列实现了高达1000A/cm^2的发射电流密度,采用直径1mm含10000个锥尖的阵列,一般能产生100mA的总发射电流。已证明每个锥尖上的跨导是5.0μS,可见,锥尖密度为10~7锥尖/cm^2时,有可能得到50S/cm^2。本文详细讨论了阴极阵列和各种性能特性。 展开更多
关键词 空真微电子学 场发射 陈列
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