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6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究
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作者 王鸥 丁元力 +5 位作者 钟志亲 袁菁 龚敏 chen x d Fung S Beling C d 《光散射学报》 2004年第1期66-69,共4页
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对... 本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。 展开更多
关键词 碳化硅 低温光致发光 辐照诱生缺陷 退火处理 零声子谱线
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