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软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化(英文) 被引量：1
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作者 陈静 石剑 +2 位作者 刘正堂 decanini dominique HAGHIRI-GOSNET Anne-Marie 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2012年第1期52-58,共7页
报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射... 报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射频功率、压强和气体流量对刻蚀形貌、表面粗糙度以及刻蚀速度的影响.在优化的工艺条件下,获得了理想的具有垂直侧壁形貌和较小表面粗糙度的纳米光栅阵列.结果表明,选择优化的刻蚀工艺参数,既能有效地改善图形转移的性能,同时也能提高所制备结构的光学应用特性. 展开更多
关键词 软膜紫外光固化纳米压印 反应离子刻蚀 刻蚀形貌 表面粗糙度
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