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电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究 被引量：1
1
作者 张伶俐 邓爱红 +2 位作者 shan Y Y Beling C D fung s 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期348-353,共6页
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一种用于解释正电子寿命谱测量结果的模型,该模型中费米能级位置的改变可影响缺陷的电离以及正电子在缺... 在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一种用于解释正电子寿命谱测量结果的模型,该模型中费米能级位置的改变可影响缺陷的电离以及正电子在缺陷位置的被捕获.根据模型拟合正电子寿命谱数据后得到:在原生的SiC中,正电子最可能被碳空位和碳的双空位所捕获,经估算其浓度分别为1.1×1017cm-3和3.0×1016cm-3;在辐照后的SiC中,正电子最可能被碳的双空位,硅空位或硅空位的杂合态所捕获,经估算其浓度分别为9.8×1016cm-3和5.4×1016cm-3. 展开更多
关键词 正电子捕获 正电子寿命 电子辐照 碳化硅(SiC)
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6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究
2
作者 王鸥 丁元力 +5 位作者 钟志亲 袁菁 龚敏 Chen X D fung s Beling C D 《光散射学报》 2004年第1期66-69,共4页
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对... 本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。 展开更多
关键词 碳化硅 低温光致发光 辐照诱生缺陷 退火处理 零声子谱线
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慢性乙型肝炎患者停止核苷(酸)类似物后有限的持续反应 被引量：1
3
作者 李德钊 郭晓林 +2 位作者 LIEM Ks fung s WONG DK 《临床肝胆病杂志》 CAS 北大核心 2020年第2期298-298,共1页
【据《Gut》2019 年8 月报道】题:慢性乙型肝炎患者停止核苷(酸)类似物后有限的持续反应:随机对照试验的结果(多伦多停止试验)(作者Liem KS 等)虽然大多数慢性乙型肝炎患者通过长期的核苷(酸)类似物(NAs)治疗可达到有效的病毒学抑制,但... 【据《Gut》2019 年8 月报道】题:慢性乙型肝炎患者停止核苷(酸)类似物后有限的持续反应:随机对照试验的结果(多伦多停止试验)(作者Liem KS 等)虽然大多数慢性乙型肝炎患者通过长期的核苷(酸)类似物(NAs)治疗可达到有效的病毒学抑制,但有些患者可能不需要终身治疗。 展开更多
关键词 核苷(酸)类似物 慢性乙型肝炎患者 终身治疗 随机对照试验 持续反应 多伦多 病毒学抑制 停止
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