阐述650 V/50 A SiC JBS结构二极管的设计与测试。通过优化有源区元胞设计、结终端设计、离子注入工艺,器件反向耐压VR达到873V,器件具有良好高温特性,正向导通压降VF为1.39 V(@IF=50A),器件结电容Cj为286pF,经过240h高温反偏(HTRB)试验...阐述650 V/50 A SiC JBS结构二极管的设计与测试。通过优化有源区元胞设计、结终端设计、离子注入工艺,器件反向耐压VR达到873V,器件具有良好高温特性,正向导通压降VF为1.39 V(@IF=50A),器件结电容Cj为286pF,经过240h高温反偏(HTRB)试验,器件性能未退化。展开更多
文摘阐述650 V/50 A SiC JBS结构二极管的设计与测试。通过优化有源区元胞设计、结终端设计、离子注入工艺,器件反向耐压VR达到873V,器件具有良好高温特性,正向导通压降VF为1.39 V(@IF=50A),器件结电容Cj为286pF,经过240h高温反偏(HTRB)试验,器件性能未退化。
