过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)具有优异的光学、电学性能,其中,二维WSe_(2)薄膜作为典型的TMDs类材料之一,凭借其可调控的光学带隙,在光电子器件领域有极大的潜在应用价值。但是,由于单层的WSe_(2)薄膜具有较...过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)具有优异的光学、电学性能,其中,二维WSe_(2)薄膜作为典型的TMDs类材料之一,凭借其可调控的光学带隙,在光电子器件领域有极大的潜在应用价值。但是,由于单层的WSe_(2)薄膜具有较低的光学吸收截面,对于光的吸收效率较弱,限制了其在光电器件中的应用发展。因此,如何提高单层WSe_(2)薄膜的光吸收和光发射效率成为了人们的研究热点。本文将单层WSe_(2)薄膜作为研究对象构建了Au膜-WSe_(2)复合结构,通过显微光致发光光谱分析其光学性能,分别对比了Au膜-WSe_(2)交界处和Au膜-WSe_(2)复合区域与纯WSe_(2)区域的发光特性,研究表明Au膜与WSe_(2)薄膜直接接触发生了荧光淬灭效应,发光强度减弱;而在两者交界处,受到金属表面等离极化激元效应的作用,交界处的发光强度有明显的增强;为了解释这现象,本文建立了相应的物理模型来解释Au膜-WSe_(2)复合结构的发光特性。展开更多
文摘过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)具有优异的光学、电学性能,其中,二维WSe_(2)薄膜作为典型的TMDs类材料之一,凭借其可调控的光学带隙,在光电子器件领域有极大的潜在应用价值。但是,由于单层的WSe_(2)薄膜具有较低的光学吸收截面,对于光的吸收效率较弱,限制了其在光电器件中的应用发展。因此,如何提高单层WSe_(2)薄膜的光吸收和光发射效率成为了人们的研究热点。本文将单层WSe_(2)薄膜作为研究对象构建了Au膜-WSe_(2)复合结构,通过显微光致发光光谱分析其光学性能,分别对比了Au膜-WSe_(2)交界处和Au膜-WSe_(2)复合区域与纯WSe_(2)区域的发光特性,研究表明Au膜与WSe_(2)薄膜直接接触发生了荧光淬灭效应,发光强度减弱;而在两者交界处,受到金属表面等离极化激元效应的作用,交界处的发光强度有明显的增强;为了解释这现象,本文建立了相应的物理模型来解释Au膜-WSe_(2)复合结构的发光特性。
