期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于AFM的纳米尺度线宽计量模型及其算法的研究
被引量:
7
1
作者
赵学增
褚巍
+3 位作者
theodore v vorburger
Joseph Fu
John Song
Cattien
v
Nguyen
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期50-57,共8页
纳米尺度线宽的测量广泛应用于半导体制造、数据存储、微机电系统等领域。随着制造技术的进步,线宽的极限尺寸也变得越来越小,目前已经缩小至100 nm左右。在这一尺度范围内,由于样本制造技术的限制和测量仪器的影响,目前很难得到准确的...
纳米尺度线宽的测量广泛应用于半导体制造、数据存储、微机电系统等领域。随着制造技术的进步,线宽的极限尺寸也变得越来越小,目前已经缩小至100 nm左右。在这一尺度范围内,由于样本制造技术的限制和测量仪器的影响,目前很难得到准确的测量结果。为了获得样本的真实几何尺寸信息,剔除测量方法和仪器本身对测量结果的影响,建立了一个基于AFM测量技术的线宽计量模型和相应算法。该模型将被测样本的截面轮廓用20个关键点分成5个部分共19段,用基于最小二乘的直线来拟合实际轮廓。应用该模型和算法可以分别得到单刻线轮廓拟合前后的顶部线宽b_T、b_(TF),中部线宽b_M、b_(MF),底部线宽b_B、b_(BF),左右边墙角A_L、A_R,以及高度h_。使用NanoScope Ⅲa型AFM对一个单晶硅(Si)线宽样本进行了测量,测量结果表明该模型和算法可以满足纳米尺度线宽计量的基本要求。
展开更多
关键词
纳米计量
线宽
计量模型
算法
原子力显微镜
半导体
数据存储
微机电系统
下载PDF
职称材料
题名
基于AFM的纳米尺度线宽计量模型及其算法的研究
被引量:
7
1
作者
赵学增
褚巍
theodore v vorburger
Joseph Fu
John Song
Cattien
v
Nguyen
机构
哈尔滨工业大学机电工程学院
美国国家标准与技术研究院
美国国家航空与航天管理局
出处
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期50-57,共8页
基金
中国留学生基金委员会
美国国家标准与技术研究院(NIST)资助项目
文摘
纳米尺度线宽的测量广泛应用于半导体制造、数据存储、微机电系统等领域。随着制造技术的进步,线宽的极限尺寸也变得越来越小,目前已经缩小至100 nm左右。在这一尺度范围内,由于样本制造技术的限制和测量仪器的影响,目前很难得到准确的测量结果。为了获得样本的真实几何尺寸信息,剔除测量方法和仪器本身对测量结果的影响,建立了一个基于AFM测量技术的线宽计量模型和相应算法。该模型将被测样本的截面轮廓用20个关键点分成5个部分共19段,用基于最小二乘的直线来拟合实际轮廓。应用该模型和算法可以分别得到单刻线轮廓拟合前后的顶部线宽b_T、b_(TF),中部线宽b_M、b_(MF),底部线宽b_B、b_(BF),左右边墙角A_L、A_R,以及高度h_。使用NanoScope Ⅲa型AFM对一个单晶硅(Si)线宽样本进行了测量,测量结果表明该模型和算法可以满足纳米尺度线宽计量的基本要求。
关键词
纳米计量
线宽
计量模型
算法
原子力显微镜
半导体
数据存储
微机电系统
Keywords
Nano-metrology Linewidth Metrological model Algorithm Atomic force micros
分类号
TB92 [机械工程—测试计量技术及仪器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于AFM的纳米尺度线宽计量模型及其算法的研究
赵学增
褚巍
theodore v vorburger
Joseph Fu
John Song
Cattien
v
Nguyen
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
7
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部