采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)法制备了高质量的npn型中波/中波双色HgCdTe材料。利用傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Spectrometer,FTIR)、二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)、X射...采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)法制备了高质量的npn型中波/中波双色HgCdTe材料。利用傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Spectrometer,FTIR)、二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)、X射线双晶衍射仪(X-Ray double-crystal Diffractometer,XRD)分别测试了材料组分、厚度、元素分布和平均半峰宽等参数。结果表明,材料底部n型吸收层的碲镉汞组分为0.318,厚度为7.15 m;p型层的组分为0.392,厚度为2.47 m;顶部n型吸收层的组分为0.292,厚度为4.71 m。As掺杂浓度约为3×10^(18)cm^(-3),In掺杂浓度为4×10^(15)cm^(-3),平均半峰宽约为95 arcsec,表明该材料具有良好的质量。利用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、X射线能谱仪(Energy-Dispersive X-ray spectrometer,EDX)测试表征了HgCdTe外延材料表面缺陷的形貌,确认缺陷主要受生长温度和Hg/Te束流比等生长参数的影响。展开更多
