期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
介孔硅基有机-无机杂化材料的研究进展 被引量：15
1
作者 杨启华 刘健 +1 位作者 钟华 王培远 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期641-649,共9页
介孔硅基有机-无机杂化材料(PMOs)是一种分子水平上有机组分与无机组分在孔壁中杂化的材料,这类材料有着许多独特的性质:有机官能团均匀分布在孔壁中且不堵塞孔道,有利于客体分子的引入和扩散;骨架中的有机官能团可以在一定程度上调节... 介孔硅基有机-无机杂化材料(PMOs)是一种分子水平上有机组分与无机组分在孔壁中杂化的材料,这类材料有着许多独特的性质:有机官能团均匀分布在孔壁中且不堵塞孔道,有利于客体分子的引入和扩散;骨架中的有机官能团可以在一定程度上调节材料的物化性质,如机械性能,亲/疏水性;可以同时实现对孔道和孔壁功能性的调变.正因如此,PMOs已成为当今材料科学领域的一个研究热点.本文综述了PMOs的最新研究进展,包括其合成方法、表征及其在催化、吸附、分离、光电等领域的应用.最后展望了该类材料的发展前景. 展开更多
关键词 有机-无机 杂化材料 介孔材料 应用
下载PDF
ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展 被引量：9
2
作者 刘学超 陈之战 +1 位作者 施尔畏 宋力昕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-7,共7页
稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀... 稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展作一综述,着重阐述了代表性的RRKY理论、平均场理论、双交换理论和磁极子理论,对实验和理论方面的热点和存在问题作一评价,对磁性理论的研究提出了新思路. 展开更多
关键词 ZNO 稀磁半导体 磁性机理
下载PDF
花状纳米ZnO的低温水浴制备及生长机理 被引量：1
3
作者 杨永强 杜高辉 许并社 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第22期21-23,共3页
以氯化锌和氢氧化钠为反应原料,利用水浴恒温加热,在溶液中直接制备出呈花状形貌的纳米ZnO;采用扫描电镜、X射线衍射、透射电子显微镜等分析方法对所得产物的形貌和结构进行了表征,结果表明,在低温(45℃)时可制备出大量呈花状形貌的纳米... 以氯化锌和氢氧化钠为反应原料,利用水浴恒温加热,在溶液中直接制备出呈花状形貌的纳米ZnO;采用扫描电镜、X射线衍射、透射电子显微镜等分析方法对所得产物的形貌和结构进行了表征,结果表明,在低温(45℃)时可制备出大量呈花状形貌的纳米ZnO。 展开更多
关键词 ZNO 花状结构 水浴加热
下载PDF
光子晶体光纤 被引量：2
4
作者 黄代政 《科技创新导报》 2008年第3期17-19,共3页
光子晶体光纤独特的结构和导模机制使它具有其他普通光纤无法比拟应用前景。本文对晶体光纤的定义、分类、特性和目前的研究情况做了详细的分析。
关键词 光子晶体光纤 光子禁带 全内反射
下载PDF
关于光电信息实验中心仪器的管理和维护的思考 被引量：1
5
作者 沈骁 《科技咨询导报》 2007年第8期41-42,共2页
本文结合我校光电信息实验中心,介绍了实验中心仪器的管理、维修和保养的具体情况以及建议,为相关专业实验室的管理和维护提供了参考意见。
关键词 光电信息实验中心 管理 维修保养 建议
下载PDF
钛掺杂氧化钨薄膜结构与电致变色性能研究 被引量：3
6
作者 代强 刘静 +1 位作者 孟政 汪洪 《真空》 CAS 2018年第2期14-18,共5页
本文采用直流反应磁控溅射法,在不同氧气分压条件下制备了钛掺杂氧化钨薄膜,结合X射线衍射分析(XRD)、拉曼光谱(Raman)分析、扫描电子显微镜(SEM)表面形貌分析、电化学测试和太阳光波段光谱测试等表征与分析方法,研究了溅射过程中氧气... 本文采用直流反应磁控溅射法,在不同氧气分压条件下制备了钛掺杂氧化钨薄膜,结合X射线衍射分析(XRD)、拉曼光谱(Raman)分析、扫描电子显微镜(SEM)表面形貌分析、电化学测试和太阳光波段光谱测试等表征与分析方法,研究了溅射过程中氧气分压变化对薄膜晶体结构、表面形貌、光学性能和电致变色及循环稳定性的影响。结果表明:所制备的薄膜具有单斜晶系欠氧氧化钨,随着氧气分压增大,薄膜结晶程度逐渐增加,氧空位减少,欠氧程度降低;薄膜表面颗粒由片状逐渐凸起,颗粒变小,薄膜致密性增加。随氧气分压增大薄膜,光学透过率增加,光学带隙逐渐减小。薄膜经过200次循环后在可见光550nm波长处的光学调制幅度先增加后减小,在氧气流量为13sccm时达到最大调制幅度61.7%,与循环前(62.0%)相比几乎没有衰减,表现了良好的循环稳定性。薄膜结晶度增强使得结构更加稳定,有利于循环稳定性,但是继续增加氧气分压使结晶度过大后,薄膜过于致密,导致锂离子残留薄膜中难以抽出,不能完全褪色。同时,增大氧气分压使薄膜有更快的着色、褪色响应时间。 展开更多
关键词 氧化钨 钛掺杂 反应磁控溅射 电致变色
原文传递
Co掺杂CuAlO_2粉体磁性的讨论 被引量：1
7
作者 赵旭光 唐政 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期31-34,共4页
利用固态反应法合成了纯相的CuAlO2和过渡金属元素Co掺杂的CuAlO2样品。通过X射线衍射仪分析可知:未掺杂样品和1%(摩尔分数)Co掺杂的样品都是单相,其中没有CuO等杂相存在,而掺杂浓度分别为5%、10%和20%的样品中都出现了CuAlO2以外的杂相... 利用固态反应法合成了纯相的CuAlO2和过渡金属元素Co掺杂的CuAlO2样品。通过X射线衍射仪分析可知:未掺杂样品和1%(摩尔分数)Co掺杂的样品都是单相,其中没有CuO等杂相存在,而掺杂浓度分别为5%、10%和20%的样品中都出现了CuAlO2以外的杂相,这表明Co在CuAlO2粉体样品中的杂质固溶度一般低于5%。综合物性测试系统测得的与磁性有关数据表明:未掺杂及Co掺杂(1%)的纯相CuAlO2样品只具有顺磁性,而多相的Co掺杂样品从5～300K都没有表现出如第一性原理理论所预言的铁磁性,这说明样品中所掺入的Co离子只是具有局域磁矩的顺磁杂质中心,并不能形成长程的铁磁序,进一步表明基于第一性原理的理论计算可能高估了过渡金属磁性杂质在氧化物半导体这种关联体系中的铁磁耦合作用。 展开更多
关键词 CuAlO2 掺杂 磁性
下载PDF
影见未来新“视界”——全息技术在视觉领域的应用、原理和产品探析 被引量：3
8
作者 李科莹 《戏剧之家》 2016年第13期97-97,共1页
本文介绍了传统三维全息影像技术和数字三维全息影像技术的产生和变革,简单介绍了传统全息影像和数字全息影像的成像原理、重建中的主要方法以及数字全息技术以其独特的优点在各个领域中的应用,然后研究了目前市场上的主流全息影像产品... 本文介绍了传统三维全息影像技术和数字三维全息影像技术的产生和变革,简单介绍了传统全息影像和数字全息影像的成像原理、重建中的主要方法以及数字全息技术以其独特的优点在各个领域中的应用,然后研究了目前市场上的主流全息影像产品,最后对其走势进行了讨论和分析。 展开更多
关键词 传统全息 数字全息 全息影像
下载PDF
有效利用实验实习设备的几点做法
9
作者 张淑英 《科技咨询导报》 2007年第16期134-134,共1页
实习教学是职业学校的一门主课,很大程度上决定教学质量。而校内实习场所的建设和管理,直接影响实习教学和社会服务质量,我们建立了一套有效的机制,保证实习设备的高效利用。一、实验实习设备要满足教学需要;三、进行新技术、新工艺培训... 实习教学是职业学校的一门主课,很大程度上决定教学质量。而校内实习场所的建设和管理,直接影响实习教学和社会服务质量,我们建立了一套有效的机制,保证实习设备的高效利用。一、实验实习设备要满足教学需要;三、进行新技术、新工艺培训;创社会效益;四、为教师科研活动提供物质条件;五、加强设备的维护、保养。 展开更多
关键词 实验实习 机制 项目训练
下载PDF
反应磁控溅射氧化钨电致变色薄膜结构与性能 被引量：5
10
作者 代强 刘静 汪洪 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期978-986,共9页
采用脉冲直流反应磁控溅射镀膜方法在透明导电玻璃FTO（SnO2：F）上制备厚度分别为50、100、150、200、250和300 nm的WO3薄膜。分析了薄膜着色前后晶体结构和表面形貌的变化,对薄膜的循环伏安特性和光学性能进行测试。结果表明：不同厚... 采用脉冲直流反应磁控溅射镀膜方法在透明导电玻璃FTO（SnO2：F）上制备厚度分别为50、100、150、200、250和300 nm的WO3薄膜。分析了薄膜着色前后晶体结构和表面形貌的变化,对薄膜的循环伏安特性和光学性能进行测试。结果表明：不同厚度氧化钨薄膜均为结晶态,具有单斜晶系结构;随着薄膜厚度增加,薄膜结晶程度逐渐增加;薄膜着色/褪色循环中,不同厚度的WO3薄膜均发生单斜晶系WO2.92与立方晶系WO3的可逆转变,产生晶格应变,并且随厚度增加,薄膜晶格应变先减小后增大,薄膜厚度为250 nm时,变色前后晶格应变最小,厚度增加至300 nm薄膜时,着色产生应变明显增大。在相同驱动电压下,随薄膜厚度增加,光学调制幅度（550 nm）、着色效率先增大后减小,厚度为250 nm时获得最大调制幅度76.01%和着色效率21.04 cm2/C;当厚度进一步增加至300 nm时,薄膜褪色态透过率降低到49.30%后无法继续褪色,着色效率也开始下降。使用XPS分析了薄膜着、褪色状态下W元素的化学态,发现300 nm薄膜褪色后一部分W5＋无法转变成W6＋,导致薄膜仍为蓝色。 展开更多
关键词 氧化钨 电致变色 反应磁控溅射 着色效率
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部