碘化铯(CsI)光阴极响应灵敏度是软X射线条纹相机用于X射线能谱定量诊断的重要参数,其理论计算具有重要指导意义.目前的理论解析模型基于薄膜光阴极产生次级电子的一维随机行走模型发展而来,具体包括X射线正入射、能量大于1 ke V条件下的...碘化铯(CsI)光阴极响应灵敏度是软X射线条纹相机用于X射线能谱定量诊断的重要参数,其理论计算具有重要指导意义.目前的理论解析模型基于薄膜光阴极产生次级电子的一维随机行走模型发展而来,具体包括X射线正入射、能量大于1 ke V条件下的Henke模型,以及变角度入射、光阴极厚度大于100 nm条件下的Fraser模型,都存在一定局限性.本文进一步引入次级电子输运概率的基础表达式,推导了CsI光阴极在更大参数范围内(X射线能量0.1—10 ke V、光阴极厚度10—200 nm)响应灵敏度随X射线能量E、光阴极厚度t、X射线与阴极表面夹角θ变化的一般表达式.最后,将本文的理论计算结果与Henke模型、Fraser模型、文献及北京同步辐射的实验数据分别进行了比较和讨论分析,验证了计算模型的准确性和普适性,并且为高时间分辨光谱定量测量实验中Cs I光阴极的优化设计提供了理论参考.展开更多
H_(2)O吸附引起的二次电子发射增强是导致真空微波器件与设备异常放电的关键因素。为了研究H_(2)O吸附对金属表面二次电子发射特性的影响规律,该文考虑电子−H_(2)O分子碰撞的7种散射类型,采用Monte Carlo方法模拟电子−H_(2)O吸附分子的...H_(2)O吸附引起的二次电子发射增强是导致真空微波器件与设备异常放电的关键因素。为了研究H_(2)O吸附对金属表面二次电子发射特性的影响规律,该文考虑电子−H_(2)O分子碰撞的7种散射类型,采用Monte Carlo方法模拟电子−H_(2)O吸附分子的散射过程,同时考虑功函数变化对电子出射概率的影响,建立了一种H_(2)O吸附Cu表面的二次电子发射模型,统计二次电子的最终状态,并对二次电子发射系数(secondary electron yield,SEY)和二次电子能谱(secondary electron spectrum,SES)的变化规律进行分析。结果表明,H_(2)O吸附能够降低表面功函数,且产生更多电离电子,导致SEY增大;但当吸附厚度大于100 nm时,SEY不再继续增大,这是由于吸附层较厚时,电子无法进入Cu基底,仅在吸附层内散射。SES的谱峰随着吸附厚度的增加而增强,表明H_(2)O能够促使更多的低能电子出射,这是造成二次电子发射增强的重要因素。该文的模型为研究复杂表面状态的二次电子发射提供了可靠的分析方法,相关结果能够用于分析解释真空微波器件与设备放电形成机理,优化设备部件的设计参数。展开更多
文摘碘化铯(CsI)光阴极响应灵敏度是软X射线条纹相机用于X射线能谱定量诊断的重要参数,其理论计算具有重要指导意义.目前的理论解析模型基于薄膜光阴极产生次级电子的一维随机行走模型发展而来,具体包括X射线正入射、能量大于1 ke V条件下的Henke模型,以及变角度入射、光阴极厚度大于100 nm条件下的Fraser模型,都存在一定局限性.本文进一步引入次级电子输运概率的基础表达式,推导了CsI光阴极在更大参数范围内(X射线能量0.1—10 ke V、光阴极厚度10—200 nm)响应灵敏度随X射线能量E、光阴极厚度t、X射线与阴极表面夹角θ变化的一般表达式.最后,将本文的理论计算结果与Henke模型、Fraser模型、文献及北京同步辐射的实验数据分别进行了比较和讨论分析,验证了计算模型的准确性和普适性,并且为高时间分辨光谱定量测量实验中Cs I光阴极的优化设计提供了理论参考.
文摘H_(2)O吸附引起的二次电子发射增强是导致真空微波器件与设备异常放电的关键因素。为了研究H_(2)O吸附对金属表面二次电子发射特性的影响规律,该文考虑电子−H_(2)O分子碰撞的7种散射类型,采用Monte Carlo方法模拟电子−H_(2)O吸附分子的散射过程,同时考虑功函数变化对电子出射概率的影响,建立了一种H_(2)O吸附Cu表面的二次电子发射模型,统计二次电子的最终状态,并对二次电子发射系数(secondary electron yield,SEY)和二次电子能谱(secondary electron spectrum,SES)的变化规律进行分析。结果表明,H_(2)O吸附能够降低表面功函数,且产生更多电离电子,导致SEY增大;但当吸附厚度大于100 nm时,SEY不再继续增大,这是由于吸附层较厚时,电子无法进入Cu基底,仅在吸附层内散射。SES的谱峰随着吸附厚度的增加而增强,表明H_(2)O能够促使更多的低能电子出射,这是造成二次电子发射增强的重要因素。该文的模型为研究复杂表面状态的二次电子发射提供了可靠的分析方法,相关结果能够用于分析解释真空微波器件与设备放电形成机理,优化设备部件的设计参数。
