主成分分析及聚类方法在碲镉汞晶片参数判别中的应用研究

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作者 吴佳昊 乔辉 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期490-496,共7页

基于主成分分析和聚类方法提出了一种碲镉汞晶片参数筛选方法,建立了对碲镉汞晶片参数进行筛选的数据模型,模型中通过对初始晶片数据进行清洗和分析,利用主成分分析(PCA)降维法和基于密度的聚类算法(DBSCAN),确定了晶片数据中最密集的... 基于主成分分析和聚类方法提出了一种碲镉汞晶片参数筛选方法,建立了对碲镉汞晶片参数进行筛选的数据模型,模型中通过对初始晶片数据进行清洗和分析,利用主成分分析(PCA)降维法和基于密度的聚类算法(DBSCAN),确定了晶片数据中最密集的区域。同时利用流片后得到高性能芯片的优质碲镉汞晶片参数拟合边界椭圆曲线,并将其作为优质晶片的判断标准,能够根据输入的晶片电学和光学参数生成晶片评级,得到了大于90%的覆盖率。 展开更多

关键词 碲镉汞 晶片筛选 主成分分析 聚类

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Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响 被引量：4

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作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期94-96,共3页

定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的... 定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响。 展开更多

关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 掺杂浓度 共掺杂

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反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响 被引量：1

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作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期250-252,共3页

居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁... 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。 展开更多

关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 p、n型掺杂 掺杂浓度

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质量作用定律在半导体统计中的应用 被引量：2

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作者 马文采 夏思淝 +1 位作者 李蕾 裘南畹 《山东工业大学学报》 1995年第1期69-75,共7页

本文用化学反应动力学中的质量作用定律及阿累乌尼斯（Ａｒｒｂｅｎｉｕｓ）定律，对金属氧化物半导体一些统计公式进行了研究，给出了费米（Ｆｅｒｍｉ）函数、氧空位施主浓度的公式，表面吸附氧的氧原子及氧离子浓度公式．并对有关问... 本文用化学反应动力学中的质量作用定律及阿累乌尼斯（Ａｒｒｂｅｎｉｕｓ）定律，对金属氧化物半导体一些统计公式进行了研究，给出了费米（Ｆｅｒｍｉ）函数、氧空位施主浓度的公式，表面吸附氧的氧原子及氧离子浓度公式．并对有关问题进行了讨论． 展开更多

关键词 反应动力学 质量作用定律 半导体统计

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非晶硅磷掺杂效率分析的新方法

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作者 曾云 颜永红 曾健平 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第2期22-24,共3页

介绍一种分析ａ－Ｓｉ掺杂效率的新方法．该法能够很好地解决ａ－Ｓｉ全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题，简便易行，为ａ－Ｓｉ掺杂性能研究和器件设计制造提供可靠的掺杂浓度和掺杂效率值．

关键词 非晶硅 掺杂效率 磷

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单一杂质半导体费米能级的普适公式 被引量：3

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作者 周亚训 《大学物理》 1999年第10期10-11,共2页

利用电中性条件，导出了掺单一杂质半导体费米能级的普适公式。

关键词 杂质 费米能级 电中性条件 半导体 普适公式

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半导体器件模拟中掺杂浓度的处理

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作者 郭杰荣 余稳 《常德师范学院学报（自然科学版）》 2001年第4期16-18,共3页

讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法，比较了Ｆｏｒｔｒａｎ与Ｍａｔｌａｂ两种计算，指出利用Ｍａｔｌａｂ可以避免复杂繁琐的编程，而且调整极为方便。

关键词 半导体器件 模拟计算 掺杂浓度 高斯分布 余误差 锐度 FORTRAN MATLAB

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一种解释非晶半导体中随机输运的新模型

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作者 彭景翠 申文高 邵力祥 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1993年第5期28-33,共6页

研究在外部驱动力作用下穿过一维无序随机力介质而传播的粒子的运动规律,并求出其直流响应.研究发现:在无序系统演化的初始阶段,用直流极化率可验证极化率-频率关系的反常幂次律;发现无序系统的老化现象,伴随此现象显示出动力学特性的... 研究在外部驱动力作用下穿过一维无序随机力介质而传播的粒子的运动规律,并求出其直流响应.研究发现:在无序系统演化的初始阶段,用直流极化率可验证极化率-频率关系的反常幂次律;发现无序系统的老化现象,伴随此现象显示出动力学特性的高相关特性.本文的结果与以前研究过的一维模型相比较,更具普遍性. 展开更多

关键词 无序随机力 随机输运 半导体

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N型GaP单晶范德堡测试法的最佳条件

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作者 臧永丽 《聊城师院学报（自然科学版）》 1998年第4期45-47,共3页

介绍了测试Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡＳ等单晶材料性能参数的一种方法—Ｖａｎｄｅｐａｕｗ法，通过实验和分析，得到了测试过程中电极的制作和测试的最佳条件．

关键词 迁移率 电阻率 欧姆接触 半导体 N型 磷化镓 单晶 范德堡测试法

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非简并半导体中汤姆孙效应的量子统计表示

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作者 许启明 《大学物理》 1998年第10期6-9,共4页

考虑到非简并半导体中载流子的能量是温度的函数，给出了非简并半导体中汤姆孙系数、汤姆孙电动势和汤姆孙热的更附合实际的量子统计表示，揭示了半导体中汤姆孙效应的微观机理．

关键词 半导体 汤姆孙效应 量子统计 非简并

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77K下硅中杂质电离率的计算

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作者 王明网 魏同立 +1 位作者 肖志雄 李 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第6期57-61,共5页

用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。

关键词 低温 硅 杂质 电离率 半导体

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准一维基于分子亚铁磁体自旋系统磁化率性质研究

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作者 屈少华 傅华华 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2005年第3期249-253,共5页

基于交替自旋Ising-Ham ilton ian模型,用量子转移矩阵方法,研究了不同外场条件下准一维基于有机分子亚铁磁体磁化率的结构序参量.对磁化率χ的研究表明:双自由基和单自由基的交替有机自旋链的亚铁磁自旋排列等效于有效自旋S=1/2的铁磁... 基于交替自旋Ising-Ham ilton ian模型,用量子转移矩阵方法,研究了不同外场条件下准一维基于有机分子亚铁磁体磁化率的结构序参量.对磁化率χ的研究表明:双自由基和单自由基的交替有机自旋链的亚铁磁自旋排列等效于有效自旋S=1/2的铁磁相互作用链,双自由基有机高分子对具有单一成分的有机基于分子亚磁体具有绝对优势.量子Monte Carlo方法和精确对角化方法的计算结果两者相符,且与某些实验结果定性相符. 展开更多

关键词 磁化率 分子亚铁磁体 转移矩阵方法

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半导体载流子迁移率及电阻率的计算模型 被引量：2

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作者 卫静婷 陈利伟 《内江师范学院学报》 2016年第10期43-47,共5页

本文利用计算机求解平衡载流子的电中性条件,获得一般情况下杂质半导体载流子的统计分布.综合考虑了晶格振动散射、杂质散射和载流子散射对载流子迁移率的影响,建立了一套载流子迁移率和电阻率的计算模型.在此基础上,研究了不同的杂质... 本文利用计算机求解平衡载流子的电中性条件,获得一般情况下杂质半导体载流子的统计分布.综合考虑了晶格振动散射、杂质散射和载流子散射对载流子迁移率的影响,建立了一套载流子迁移率和电阻率的计算模型.在此基础上,研究了不同的杂质浓度与温度对迁移率和电阻率的影响.模型结果表明,在低温和室温附件,杂质散射是主要散射机制,而在高温区,晶格振动散射是主要机制;电阻率随着杂质浓度的增大基本呈线性减少,而室温下的电阻率随温度升高而增加,在低温和高温区随温度升高而减少. 展开更多

关键词 载流子统计分布 载流子迁移率 电阻率

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半导体的低温载流子冻析效应

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作者 卫静婷 陈利伟 《内江师范学院学报》 2016年第6期81-84,共4页

根据半导体的电中性条件,并考虑了杂质浓度对杂质电离能的影响,利用计算机求解方法,得到费米能级的位置随温度和掺杂浓度的变化规律,从而得到不同掺杂浓度下杂质的离化率随温度的变化规律,对半导体的载流子低温冻析效应进行了详细的分析.

关键词 载流子统计分布 杂质电离 冻析效应

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InGaP/GaAsHBT费米统计律下的数值模拟计算

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作者 彭鹏 李爱珍 陈建新 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第4期379-383,共5页

用费米分布函数对HBT结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载流子分布分别对InGaP/GaAsHBT进行了数值模拟计算和分析。

关键词 费米统计律 载流子分布 异质结双极型晶体管 数值模拟

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