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高T_c超导体YBa_2Cu_3O_(7-x)表面结构的SEELFS谱研究
1
作者 朱以华 潘孝仁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第6期365-367,357,共4页
本文利用表面广延能量损失精细结构(SEELFS)技术研究了高T_c超导体YBa_2Cu_3O_(7-x)(T_c=91K)的表面结构。运用本实验室编制的一个程序对从Cu M_(2,3)边上的SEELFS振荡测量值作数据分析,得到了铜原子周围的径向分布函数。经相移校正,算... 本文利用表面广延能量损失精细结构(SEELFS)技术研究了高T_c超导体YBa_2Cu_3O_(7-x)(T_c=91K)的表面结构。运用本实验室编制的一个程序对从Cu M_(2,3)边上的SEELFS振荡测量值作数据分析,得到了铜原子周围的径向分布函数。经相移校正,算得了表面铜氧原子间距。 展开更多
关键词 SEELFS T_c YBa2Cu3O 表面结构 原子间距 径向分布函数 铜原子 吸收边 数据分析 键长
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Tb淀积在WO_(2.7～2.9)(兰色氧化钨)表面的XPS研究
2
作者 齐上雪 谢侃 林彰达 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第5期307-310,共4页
兰色氧化钨(以下简称兰钨)的还原程度是W深加工的关键。而兰钨是有氧空位的,其密度决定于W还原程度。我们在兰钨表面淀积Tb,研究它们的相互作用及化学活性的变化。Tb负电性小于W,易于与兰钨中的氧结合,自身被氧化而使部分兰钨还原,生成W... 兰色氧化钨(以下简称兰钨)的还原程度是W深加工的关键。而兰钨是有氧空位的,其密度决定于W还原程度。我们在兰钨表面淀积Tb,研究它们的相互作用及化学活性的变化。Tb负电性小于W,易于与兰钨中的氧结合,自身被氧化而使部分兰钨还原,生成WO_2。兰钨表面既有铽的氧化物又有钨的氧化物,致使氧呈不同状态。 展开更多
关键词 氧化钨 TB WO XPS 淀积 兰色 钨粉 光电子能谱 负电性 氧空位
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FD-1型多功能超声分子束装置的研制 被引量：2
3
作者 章壮健 杨永炎 +6 位作者 李雨林 卢平和 金忠 余敏 刘先年 郑企克 秦启宗 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第3期164-171,共8页
本文介绍了一种探测器可转动的新型多功能超声分子束设备,探测器的内外二室分别由两台离子泵进行抽气(高分辨率四极滤质器及离子-电子倍增器置于探测器的内室)。这内外二室各经不锈钢波纹管与离子泵相连接,因此,在离子泵位置固定的情况... 本文介绍了一种探测器可转动的新型多功能超声分子束设备,探测器的内外二室分别由两台离子泵进行抽气(高分辨率四极滤质器及离子-电子倍增器置于探测器的内室)。这内外二室各经不锈钢波纹管与离子泵相连接,因此,在离子泵位置固定的情况下,探测器可围绕碰撞中心转动120度。高压气体经喷口绝热膨胀及三级差分抽气而形成分子束,在喷管中氩气压强为600Torr时,分子束设备碰撞中心处的束流强度可达1.4×10^(17)个分子/厘米~2·秒,用可转动的探测器测得分子束发散角的半宽度约为2度。文中也给出了分子束由固体表面散射后的角分布曲线。最后,介绍了在激光诱导气固相反应中,反应速率将随入射氯分子平动能的增大而明显增加。 展开更多
关键词 分子束 FD-1 探测器系统 激光诱导 绝热膨胀 离子泵 束流强度 四极滤质器 固相反应 表面散射
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Hl-1装置的钛蒸镀吸气实验 被引量：2
4
作者 洪文玉 朱毓坤 +1 位作者 冯广泽 郑永真 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期89-94,共6页
用钛吸气方法制备清洁表面净化HL—1装置的内真空室,减少了HL—1托卡马克等离子体中的杂质和气体再循环率,使Z_(eff)降低到1.4,在脉冲程控送气配合下,获得等离子体最高电子密度(?)_(emax)=6.8×10^(19)m^(-3),能量约束时间达28ms,... 用钛吸气方法制备清洁表面净化HL—1装置的内真空室,减少了HL—1托卡马克等离子体中的杂质和气体再循环率,使Z_(eff)降低到1.4,在脉冲程控送气配合下,获得等离子体最高电子密度(?)_(emax)=6.8×10^(19)m^(-3),能量约束时间达28ms,并使装置进入q(a)=1.8的低g(a)稳定放电,扩展了装置的运行范围。 展开更多
关键词 托卡马克 约束时间 表面净化 Hl-1 真空室 蒸镀 放电清洗 电子密度 循环率 杂质相
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GaAs-Al_x Ga_(1-x)As异质结的SIMS定量分析 被引量：1
5
作者 范垂祯 陈宇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期105-109,共5页
本文利用二次离子质谱对GaAs^-AI_xGa_(1-x)As异质结进行了定量深度分析。首先,在对LTE模型中的温度T的物理意义作了进一步探讨的基础上,提出采用相对灵敏度因子结合双定标的LTE模型法,对GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的元素成份进行定量分... 本文利用二次离子质谱对GaAs^-AI_xGa_(1-x)As异质结进行了定量深度分析。首先,在对LTE模型中的温度T的物理意义作了进一步探讨的基础上,提出采用相对灵敏度因子结合双定标的LTE模型法,对GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的元素成份进行定量分析,获得了满意的结果,此外,本文利用Ta_2O_5-Ta标准陡峭界面对SIMS溅射剖面进行弧坑效应修正,得到异质结中元素的深度分布曲线,从而给出异质结中各种元素随深度的浓度分布。 展开更多
关键词 异质结 SIMS GaAs-Al_x GA x)As 弧坑 基体元素 浓度分布 模型法 双定 深度剖面
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利用俄歇电子能谱确定Au-Cu系统的互扩散系数及晶界扩散系数 被引量：1
6
作者 刘友婴 李望 +2 位作者 展振宗 魏保安 刘宝英 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期155-158,共4页
本文利用俄歇电子能谱(PHI-550)测得了经过不同时间间隔热处理的Au-Cu系统中铜在金薄膜内的浓度剖面。根据铜的浓度斟面及Hall公式,我们使用了两种方法——“中心梯度法”及“平坦区上升法”计算出Au-Cu系统的互扩散系数以及晶界扩散系... 本文利用俄歇电子能谱(PHI-550)测得了经过不同时间间隔热处理的Au-Cu系统中铜在金薄膜内的浓度剖面。根据铜的浓度斟面及Hall公式,我们使用了两种方法——“中心梯度法”及“平坦区上升法”计算出Au-Cu系统的互扩散系数以及晶界扩散系数。本文还对上述计算结果进行了讨论。 展开更多
关键词 互扩散系数 Au-Cu 晶界扩散 平坦区 俄歇电子 梯度法 时间间隔 溅射时间 晶粒尺寸 扫描方式
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HL-1装置中的等离子体—器壁相互作用
7
作者 朱毓坤 冯广泽 +4 位作者 严东海 洪文玉 唐素筠 张年满 徐云仙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第1期20-26,共7页
对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合... 对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合成化学反应。由置于等离子体刮离层中的硅收集探针的表面分析,表明Mo、Ni、Cr等为HL—1等离子体的中主要重杂质,来源于器壁表面的单极弧和和荷能粒子的碰撞溅射。设计了托卡马克中氢粒子流入射边界层中硅探针的蒙特卡罗模拟程序HISP。得到氢粒子流注入硅探针的特征深度Xm(nm)和其动力温度kT(eV)的关系式kT=50Xm-50,由此估算出入射硅探针表面的HL—1边界层等离子体动力温度约为55eV。由对收集探针的溅射AES剖面分析得出,HL—1高功率放电中在刮离层中总杂质通量的最大值可达8×10^(15)原子/厘米~2.秒,其中C、O、Mo、Ni和Cr分别占17.5%、34.8%、8.1%、8.5%和6.5%。最后提出了降低HL—1等离子体中杂质的建议。 展开更多
关键词 托卡马克 HL-1 表面化学反应 欧姆加热 抽气管 第一壁 蒙特卡罗模拟 器壁 边界层 杂散场
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FMGV-1型快速电磁阀
8
作者 吴成 沈志刚 +2 位作者 李大万 江德仪 杨思泽 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第2期103-106,共4页
本文描述的快速电磁阀,采用了背压和橡皮弹力关闭阀门,储能电容器通过紧靠可动阀体圆盘的驱动线圈临界阻尼放电打开阀门。阀门启动时间为100～200μs,打开时间为200～800μs。进气量可在大范围内连续可调。当背压和气库气压分别为P_b=P_... 本文描述的快速电磁阀,采用了背压和橡皮弹力关闭阀门,储能电容器通过紧靠可动阀体圆盘的驱动线圈临界阻尼放电打开阀门。阀门启动时间为100～200μs,打开时间为200～800μs。进气量可在大范围内连续可调。当背压和气库气压分别为P_b=P_N=1×10~5Pa时,实验重复五十次,进气量的均方误差不大于3%。 展开更多
关键词 电磁阀 FMGV-1 阀体 储能电容器 背压 弹簧式 橡皮弹 进气量 驱动线圈 临界阻尼
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Cu-Cr Cu-Ti双层薄膜离子束混合与其电阻和硬度性质
9
作者 施立群 李梅林 +1 位作者 杨乃恒 孙树滋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第4期235-242,共8页
借助于透射电子显微镜(TEM)研究了Cu-Cr、Cu-Ti双层离子束混合。分别用200keVAr^+和350keVXe^+注入Cu-Cr、Cu-Ti双层薄膜,对其混合后的表面硬度和电阻进行了测量。发现Cu-Cr双层混合,在10^(17)/cm^2Ar^+注入剂量时,TEM形貌图出现了沟纹... 借助于透射电子显微镜(TEM)研究了Cu-Cr、Cu-Ti双层离子束混合。分别用200keVAr^+和350keVXe^+注入Cu-Cr、Cu-Ti双层薄膜,对其混合后的表面硬度和电阻进行了测量。发现Cu-Cr双层混合,在10^(17)/cm^2Ar^+注入剂量时,TEM形貌图出现了沟纹,为一离子择优溅射效果,此时形成了单一的Cu基亚稳相固溶体,经200℃退火后,有孪晶生成,Cr沉淀析出,而Cu-Ti双层离子束混合有Cu_3Ti_2相生成,在400℃退火时生成了Cu_3Ti相。离子束混合的表面硬度和电阻都有了显著地增加。经100～400℃退火,其表面硬度和电阻的变化主要受退火前混合程度、热处理引起的相变及损伤程度的综合影响。 展开更多
关键词 离子束混合 CU-CR CU-TI 双层薄膜 表面硬度 电阻变化 混合程度 透射电子显微镜 注入剂量 硬度测量 碰撞级联
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离子束诱导的金属-硅界面的原子混合
10
作者 李玉璞 毛思宁 +1 位作者 陈坚 刘家瑞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第5期344-350,共7页
一、引言离子束与固体的相互作用可分为以下几种过程:注入、辐照损伤、溅射和原子混合。离子束混合是指具有能量的离子注入到两种元素的界面区附近,诱导两种元素的相互交混。从七十年代末开始兴起以来,离子束混合的理论与实验研究日益... 一、引言离子束与固体的相互作用可分为以下几种过程:注入、辐照损伤、溅射和原子混合。离子束混合是指具有能量的离子注入到两种元素的界面区附近,诱导两种元素的相互交混。从七十年代末开始兴起以来,离子束混合的理论与实验研究日益受到重视。从应用的角度讲,它已成为制备过饱和固溶体。 展开更多
关键词 离子束混合 原子数 衬底温度 溅射法 界面区 合金薄膜 平衡相图 辐照损伤 非晶态 交混
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沉积条件对GD′a-SiN_x:H,a-Si:H及a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜某些性质的影响
11
作者 廖克俊 王万录 +1 位作者 马世隆 李顺文 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第1期47-50,共4页
一、引言近年来,非晶态半导体薄膜无论从理论或实验都进行了广泛研究,并且得到许多方面的应用。由于非晶态硅比单晶硅有更好的光吸收特性,因而可做成廉价的太阳电池,特别是可做成大面积的薄膜太阳电池组件,大大的降低了太阳电池造价。
关键词 沉积条件 GD 半导体薄膜 光吸收特性 非晶态 非晶硅薄膜 转换效率 光致发光 光学带隙 无辐射复合
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QH-1型全自动大范围袖珍型扫描隧道显微镜
12
作者 陈皓明 汤俭 +2 位作者 项金真 华新 李群庆 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第6期357-368,共12页
本文详细介绍了一种适合于一般实验室使用的扫描隧道显微镜的构造、电子线路系统及计算机软件系统。这种显微镜结构精巧,全部操作都通过计算机键盘完成,自动化程度高。扫描范围可达6μm×6μm,它具有较强的抗干扰能力,对外界声波、... 本文详细介绍了一种适合于一般实验室使用的扫描隧道显微镜的构造、电子线路系统及计算机软件系统。这种显微镜结构精巧,全部操作都通过计算机键盘完成,自动化程度高。扫描范围可达6μm×6μm,它具有较强的抗干扰能力,对外界声波、振动、温度变化及电磁场等干扰不敏感。 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 QH-1 电子线路 直线电机 计算机键盘 计算机软件系统 高压放大器 图像显示 原子尺度 扫描范围
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一种新型发射材料La-Mo合金丝的表面特性研究
13
作者 张兆祥 胡德清 焦锦堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第5期306-310,350,共6页
La-Mo合金丝是一种新型发射材料,文中叙述使用FEM、SEM、FIM、APFIM法研究其表面特性所得到的结果。
关键词 La-Mo合金 金丝 晶面族 质谱图 原子探针 场离子显微镜 发射性能 钼合金 飞行时间质谱计 文中
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Ge/Si超导型和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格的分子束外延生长和特性研究
14
作者 盛篪 俞鸣人 王迅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期142-150,共9页
用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格... 用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格。合金型超晶格的厚度可满足器件制造的要求并避免了失配位错的产生。用XTEM、RBS及X射线衍射对外延晶体质量作了签定,用Raman谱和电调制反射谱对超晶格的光学特性进行了研究。 展开更多
关键词 GE/SI 超晶格 Ge_xSi 反射谱 分子束外延生长 失配位错 多层结构 合金层 单原子 异质结
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离子轰击铜-镍合金影响层的研究
15
作者 张强基 雷春 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第2期99-102,共4页
利用最小二乘法计算机拟合法,研究了铜-镍合金在离子轰击下,其表面铜、镍元素的浓度变化。表面分析用扫描俄歇微探针PHI-590型进行。研究证明:在影响层内元素的分布是不均匀的,影响层厚度大于15(?)A,并且这种不均匀的分布随轰击离子能... 利用最小二乘法计算机拟合法,研究了铜-镍合金在离子轰击下,其表面铜、镍元素的浓度变化。表面分析用扫描俄歇微探针PHI-590型进行。研究证明:在影响层内元素的分布是不均匀的,影响层厚度大于15(?)A,并且这种不均匀的分布随轰击离子能量变化而变化。在停止轰击的40分钟内,未见表面元素变化。从铜-镍合金的俄歇谱分析可知,合金能带的刚性能带理论并不适合本研究系统。 展开更多
关键词 镍合金 离子轰击 表面元素 最小二乘法 能带理论 拟合法 铜原子 离子能量 谱分析 曲线拟合
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Al-Si10秒钟快速退火的接触性能研究
16
作者 陈存礼 彭辉 张兴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第1期55-58,共4页
一、引言硅器件与集成电路中广泛采用Al作为欧姆接触材料,常规的合金化工艺（例如在N<sub>2</sub>中于500℃下加热20分钟）对浅结常会引起所谓尖峰效应,导致PN结的特性变坏甚至短路。
关键词 尖峰效应 热合金 欧姆接触 硅器件 下加热 Al-Si10 硅单晶 性能比 扩散势垒 接触界面
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低钴WC-Co合金的真空烧结
17
作者 谭映国 易丹青 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第1期59-62,共4页
一、引言自从本世纪60年代以来,国内外对WC-Co硬质合金的真空烧结技术进行了比较广泛构研究,其真空度多数在1～10Pa,最低在100Pa。
关键词 真空烧结 WC-CO 真空度 烧结温度 固相烧结 抗弯强度 烧结工艺 预烧 矫顽磁力 两相区
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TiO_2-Ag-Cr红外高反射膜系光学特性研究
18
作者 邱爱叶 邵健中 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期223-227,共5页
本文介绍了红外反射膜系TiO_2-Ag-Cr的设计、光学特性计算和实验研究。当各层膜厚分别为72nm、12nm和10nm时,在波长大于900nm的红外区,透射率小于10%,而对可见光则平均透射率为50%,透射主峰在550nm。这种膜镀覆在窗玻璃表面上,室内有夏... 本文介绍了红外反射膜系TiO_2-Ag-Cr的设计、光学特性计算和实验研究。当各层膜厚分别为72nm、12nm和10nm时,在波长大于900nm的红外区,透射率小于10%,而对可见光则平均透射率为50%,透射主峰在550nm。这种膜镀覆在窗玻璃表面上,室内有夏凉冬暖之感,镀覆于白炽灯泡玻壳表面上,有节能和提高光效的怍用。 展开更多
关键词 光学特性 TiO2-Ag-Cr 高反射膜 透射率 膜系 红外反射 玻壳 镀覆 白炽灯泡 冬暖
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Y-Ba-Cu-O超导薄膜的制备工艺
19
作者 李林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第6期352-357,共6页
一、引言自1986年Bednoze和Muller发现Ba-La-Cu-O 30K有超导现象的可能性后不久,我国赵忠贤等人在Ba-和Sr-La-Cu-O体系中分别获得超导转变温度为46.3K和48.6K的超导体,
关键词 超导薄膜 Y-BA-CU-O 超导现象 薄膜晶体 临界电流密度 MULLER 溅射法 离子束溅射 零电阻 超导转变温度
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Si(111)表面早期氧化与Si-O成键过程 被引量：1
20
作者 齐彦 吴虹 +4 位作者 汪容军 李展平 何炜 孙扬名 雍景荫 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第5期294-307,共14页
用光电子谱(XPS与UPS)和俄歇直读谱峰形分析研究了Si(111)早期氧化和Si-O成键过程。说明氧吸附早期存在“过氧基分子”和氧原子在Si原子上顶位吸附两种状态。随着氧暴置量增加,过氧基分子逐渐消失,而第二层硅原子的背键位置被氧原子占有... 用光电子谱(XPS与UPS)和俄歇直读谱峰形分析研究了Si(111)早期氧化和Si-O成键过程。说明氧吸附早期存在“过氧基分子”和氧原子在Si原子上顶位吸附两种状态。随着氧暴置量增加,过氧基分子逐渐消失,而第二层硅原子的背键位置被氧原子占有,同时存在氧原子顶位吸附。氧化层大概有3～4个原子层(约4～5A),存在类SiO_2和类SiO_4的结构,Si3p-O2p和Si3s-O2p键对氧化层俄歇峰形贡献最大。硅氧化过程似乎首先Si3p-O2p成键,随后Si3s-O2p逐步成为次强化学键。 展开更多
关键词 Si-O 过氧基 成键 顶位 原子层 读谱 氧化过程 硅原子 次强 氧化层厚度
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