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等离子体低温刻蚀单晶硅高深宽比结构 被引量:15
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作者 卢德江 蒋庄德 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期25-30,共6页
等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值>0.99,硅刻蚀速率>1.5μm/min,对SiO2刻蚀选择比>75,说明该刻蚀方法很具竞争力。通过对载片台温度、反应... 等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值>0.99,硅刻蚀速率>1.5μm/min,对SiO2刻蚀选择比>75,说明该刻蚀方法很具竞争力。通过对载片台温度、反应气体配比、腔体气压和ICP线圈功率等工艺参数的系列实验分析,证明低温刻蚀高深宽比硅微结构必需一定的低温和氧,同时揭示出低温刻蚀过程的主要控制因素是离子轰击而非刻蚀表面的化学反应。本文还对刻蚀过程中刻蚀滞后和凹蚀现象的产生机理进行了分析讨论,指出介电质掩蔽层的充放电效应导致了凹蚀,而刻蚀滞后的诱因则与通常的刻蚀情况不同,主要是台阶对离子轰击的覆盖效应。 展开更多
关键词 低温刻蚀 微机电系统 深宽比 刻蚀滞后
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环境扫描电镜中电荷环境的测量 被引量:3
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作者 付景永 吉元 +4 位作者 张隐奇 王丽 田彦宝 徐学东 韩晓东 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期72-75,共4页
在环境扫描电镜(ESEM)中,采用高灵敏度的pA-表测试系统,测量法拉第杯,以及Cu-Zn合金、单晶Si、单晶Al2O3三种样品的样品电流(ISP)。ISP值反映出由电子流和离子流控制的ESEM样品室内的电荷环境。法拉第杯的ISP反映出入射电子和离子所控... 在环境扫描电镜(ESEM)中,采用高灵敏度的pA-表测试系统,测量法拉第杯,以及Cu-Zn合金、单晶Si、单晶Al2O3三种样品的样品电流(ISP)。ISP值反映出由电子流和离子流控制的ESEM样品室内的电荷环境。法拉第杯的ISP反映出入射电子和离子所控制的电荷环境;样品的ISP反映出入射电子、信号电子和离子所控制的电荷环境。由ISP值可确定ESEM在不同操作和环境条件下的离子化效率、离子化饱和程度,以及气体分子的散射作用。 展开更多
关键词 环境扫描电镜 电荷环境 样品电流
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电离气体中控制电子能量产生选择性激发的研究 被引量:2
3
作者 陈宗柱 袁一鹏 +1 位作者 陈磊 王新兵 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期194-200,共7页
Usually the research and application for selective excitation do not deal with the excitation state which varies with time and can be controlled by external voltage with time. This paper analyzes the se-lective excita... Usually the research and application for selective excitation do not deal with the excitation state which varies with time and can be controlled by external voltage with time. This paper analyzes the se-lective excitation rate by electron impact on the basis of atomic collision physics. The external pulse control method was used to control the electron energy in ionized gases successfully. It has been obtained that the se-lective excitation can be varied with time by controlling the electron energy. The effect of selective excitation was detected by measuring relative spectral intensity distribution. The results of this paper have established the necessary fundamentals for realization and application of variable color luminescence in ionized gases. 展开更多
关键词 电离气体 选择性激发 电子能量控制 气体电子学
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低气压、弱电离条件下氢气直流放电反应的模拟分析 被引量:1
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作者 高媛 刘竞业 王刚 《真空》 CAS 2012年第2期96-100,共5页
以等离子体放电理论为基础,依据电子密度连续性方程,电子通量方程,电子能密度连续性方程,以及电子能通量表达式,分别运用有限元法和有限时域差分法,针对氢气直流放电过程的21种碰撞反应类型进行模拟分析。确定了氢气放电所涉及的21种反... 以等离子体放电理论为基础,依据电子密度连续性方程,电子通量方程,电子能密度连续性方程,以及电子能通量表达式,分别运用有限元法和有限时域差分法,针对氢气直流放电过程的21种碰撞反应类型进行模拟分析。确定了氢气放电所涉及的21种反应类型,在低气压、弱电离条件下仅有11种反应对过程的进行起到有效作用。所得模拟结果与实验测试结果一致。 展开更多
关键词 氢气 直流放电 弱电离 等离子体 反应
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