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高压真空灭弧室电场的计算分析及结构改进 被引量:14
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作者 王仲奕 王季梅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第2期144-147,86,共5页
应用有限元法对外屏蔽罩结构真空灭弧室内部电场分布进行了计算和分析,计算中设电位边界条件不对称,且悬浮屏蔽罩的电位为未知量,并计及电极表面带电粒子的影响,得出了灭弧室中电场分布严重不对称影响灭弧室的耐压和开断性能的结果... 应用有限元法对外屏蔽罩结构真空灭弧室内部电场分布进行了计算和分析,计算中设电位边界条件不对称,且悬浮屏蔽罩的电位为未知量,并计及电极表面带电粒子的影响,得出了灭弧室中电场分布严重不对称影响灭弧室的耐压和开断性能的结果,进而提出了改善电场分布的措施。 展开更多
关键词 真空灭弧室 触头 电场 高压 灭弧室 计算 结构
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一种能提高真空灭弧室开断能力的自生电弧扩散电极(SADE) 被引量:2
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作者 王季梅 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期44-46,共3页
一、概述 采用常规的纵向磁场(AMF)电极技术来提高真空灭弧室的开断能力,要受到电极表面的熔化而遭致电流过零后重击穿的限制。这些限制已从直接测量阳极的温度和观察到靠近阳极表面的磁场分布现象得出了明确的结论。为了使得纵向磁场... 一、概述 采用常规的纵向磁场(AMF)电极技术来提高真空灭弧室的开断能力,要受到电极表面的熔化而遭致电流过零后重击穿的限制。这些限制已从直接测量阳极的温度和观察到靠近阳极表面的磁场分布现象得出了明确的结论。为了使得纵向磁场在电极表面分布均匀。 展开更多
关键词 灭弧室 真空灭弧室 开断能力 电弧扩散电板 SADE
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罐式SF_6高压断路器灭弧室电场分布的有限元分析
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作者 赖小红 《江苏理工大学学报(自然科学版)》 1998年第1期79-83,共5页
用有限元法对日本日立公司的OFPTB-550型罐式断路器灭弧室内的电场分布进行数值计算,分析计算了灭弧室内动、静触头在分合过程中不同位置的静态电场,找到了最大场强的位置,得到了不同开距状态下灭弧室内的电场分布和沿触头... 用有限元法对日本日立公司的OFPTB-550型罐式断路器灭弧室内的电场分布进行数值计算,分析计算了灭弧室内动、静触头在分合过程中不同位置的静态电场,找到了最大场强的位置,得到了不同开距状态下灭弧室内的电场分布和沿触头表面的电场强度分布的情况,对断路器灭弧室内的绝缘强度进行了评估. 展开更多
关键词 断路器 灭弧室 电场强度 有限元法
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磁矢量位及复合形法用于旋弧磁场计算及结构优化
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作者 彭玲 王章启 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第1期32-36,共5页
介绍多媒质、复杂结构旋弧磁场的计算方法及灭弧室结构尺寸的优化方法。明确指出笼统地谈论磁密系数及I·-ψ·相差大小在概念上是不严密的。给出了典型计算结果及优化示例。
关键词 灭弧室 有限元法 磁场 磁矢量位 复合形法
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如何正确计算旋弧式灭弧室的磁密■及■—■相位差
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作者 彭玲 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期28-30,共3页
对于旋弧式灭弧室不能笼统地谈论磁密系数为多大,用测磁线圈所测某一截面上的磁密系数实际为轴向平均磁密系数,同时指出了计算合成磁场的正确途径。
关键词 旋弧式 灭弧室 磁密系数 相位差 电弧
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真空间隙的直流脉冲长延时击穿
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作者 陈军平 《旭光技术》 1996年第3期52-57,共6页
就高压真空绝缘来说,导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程,到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明,机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高,而在经过大电流燃弧后... 就高压真空绝缘来说,导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程,到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明,机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高,而在经过大电流燃弧后有所降低。非金属杂质和遥机杂质在击穿过程中起着重要作用。与可式真空灭弧室相比,商用真空灭弧室没有对机械冲击表现出任何敏感性。除了击穿几率与延时之外。 展开更多
关键词 真空间隙 真空电击穿 真空灭弧室
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屏蔽罩对真空灭弧室性能影响的分析
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作者 王季梅 《真空电器技术》 1998年第4期1-3,共3页
关键词 真空灭弧室 屏蔽罩 电场分布 灭弧室
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