为研究光伏电池及阵列老化故障原因,建立故障辨识模型。单晶硅(砷化镓)电池老化前后理论拟合与实验数据全局均方根误差均小于0.11 mA (0.59 mA),表明了模型的可靠性。以此为依据,研究了二极管理想因子n、串联电阻R_(s)和并联电阻R_(sh)...为研究光伏电池及阵列老化故障原因,建立故障辨识模型。单晶硅(砷化镓)电池老化前后理论拟合与实验数据全局均方根误差均小于0.11 mA (0.59 mA),表明了模型的可靠性。以此为依据,研究了二极管理想因子n、串联电阻R_(s)和并联电阻R_(sh)对单晶硅(砷化镓)电池最大输出功率P_(max)影响,发现两种电池P_(max)随n和R_(s)增加而下降,随着R_(sh)增加而增加;n对两电池影响很小且基本一致;R_(s)和R_(sh)对硅电池影响大,原因在于砷化镓电池抗老化能力强。研究了4×4 BL、HC、TCT、NS硅阵列P_(max)与其中单电池n、R_(s)、R_(sh)的关系,发现P_(max)与n、R_(s)、R_(sh)的变化趋势与上述一致;R_(s)影响下阵列P_(max)的降序为BL>HC>TCT=NS。研究结果对于光伏电池及阵列的老化故障判断提供了理论指导。展开更多
文摘为研究光伏电池及阵列老化故障原因,建立故障辨识模型。单晶硅(砷化镓)电池老化前后理论拟合与实验数据全局均方根误差均小于0.11 mA (0.59 mA),表明了模型的可靠性。以此为依据,研究了二极管理想因子n、串联电阻R_(s)和并联电阻R_(sh)对单晶硅(砷化镓)电池最大输出功率P_(max)影响,发现两种电池P_(max)随n和R_(s)增加而下降,随着R_(sh)增加而增加;n对两电池影响很小且基本一致;R_(s)和R_(sh)对硅电池影响大,原因在于砷化镓电池抗老化能力强。研究了4×4 BL、HC、TCT、NS硅阵列P_(max)与其中单电池n、R_(s)、R_(sh)的关系,发现P_(max)与n、R_(s)、R_(sh)的变化趋势与上述一致;R_(s)影响下阵列P_(max)的降序为BL>HC>TCT=NS。研究结果对于光伏电池及阵列的老化故障判断提供了理论指导。
