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“氧化镓晶体与器件”专题——破局第四代半导体的创新实践
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作者 齐红基 贾志泰 +4 位作者 张洪良 董鑫 程红娟 周弘 徐光伟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期I0004-I0005,I0002,I0003,共4页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低热导率、p型掺杂困难、大尺寸单晶制备困难等问题。近年来,国家“十四五”规划将超宽禁带半导体列为重点攻关方向,“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件”研究获国家重点研发计划支持,亟需学术界与产业界通过协同创新打通从材料到器件的全链条技术壁垒。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 氧化镓 P型掺杂 半导体 国家重点研发计划 创新实践 协同创新 技术壁垒
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多层PZT陶瓷自热温度影响因素分析
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作者 宜亚丽 旷庆文 +4 位作者 陈美宇 秦越 韩雪艳 褚祥诚 金贺荣 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期121-128,共8页
多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细... 多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细观结构仿真模型;然后搭建了温度测量实验平台,开展陶瓷表面自热温度测量实验进行验证;最后分析了交变电压幅值、频率特性和陶瓷压电层、死层厚度对陶瓷表面自热温度的作用机理。结果表明,陶瓷表面自热温度与交变电压幅值、频率呈近似线性增长;自热温度极值分布在陶瓷表面中心区域和边缘区域,温度差值小于3℃;压电层越厚,陶瓷表面自热温度越低;表面自热温度随死层厚度的增加呈先降后增趋势,且在死层厚度约300μm时达到最低值。该结论为多层PZT陶瓷自热温度调控与工程应用提供了理论依据和实验基础。 展开更多
关键词 自热温度 交变电压 多层结构 热模拟 PZT陶瓷
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基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
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作者 高楠 房玉龙 +4 位作者 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期481-487,共7页
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬... GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬底台阶宽度有助于降低半高宽(FWHM)。采用不同表面预处理条件进行材料生长,发现氨气/三甲基铝(NH_(3)/TMAI)交替预处理对台阶有修饰作用,有助于降低GaN(002)晶面X射线衍射(XRD)峰FWHM,对(102)晶面XRD峰FWHM影响较小。最后讨论了AIN生长温度对GaN晶体质量的影响,发现AIN和GaN晶体质量均随温度升高而提高。综合各条件生长得到的GaN(002)晶面XRD峰FWHM为58.5arcsec的GaN外延层,该FWHM为目前已知最低值,该样品GaN(102)晶面XRD峰FWHM为104.9arcsec。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM)
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铌酸镁粉体低温合成方法研究进展
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作者 童亚琦 张微 +3 位作者 李辉 郑彧 张杰 石爽爽 《硅酸盐通报》 北大核心 2025年第1期305-311,共7页
铌酸镁微波介质陶瓷因优异的介电性能而备受关注。作为制备高性能铌酸镁陶瓷的关键原料,铌酸镁粉体的质量对最终产品的性能起着至关重要的作用。本文对当前国内外铌酸镁粉体的低温制备方法进行了总结,系统分析了固相反应法、湿化学法、... 铌酸镁微波介质陶瓷因优异的介电性能而备受关注。作为制备高性能铌酸镁陶瓷的关键原料,铌酸镁粉体的质量对最终产品的性能起着至关重要的作用。本文对当前国内外铌酸镁粉体的低温制备方法进行了总结,系统分析了固相反应法、湿化学法、共沉淀法和溶胶凝胶法工艺的优势和局限性,并展望了铌酸镁粉体制备技术的未来发展方向,为高性能铌酸镁粉体材料的研发提供了有益的参考和启示。 展开更多
关键词 铌酸镁粉体 低温合成方法 固相反应法 湿化学法 共沉淀法 溶胶凝胶法 微波介质陶瓷
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图案表面粗糙度对有机分子区域选择性生长的影响
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作者 聂青苗 石亮 +5 位作者 汪长超 蒋悦 陈乃波 胡来归 王文冲 鄢波 《浙江工业大学学报》 北大核心 2025年第1期52-57,共6页
区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图... 区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图案表面粗糙度,进一步模拟了有机分子在不同表面粗糙度图案上的沉积行为。研究结果表明图案表面粗糙度会影响有机分子沉积形貌:表面越光滑,图案顶部生长的薄膜越厚;相反,当图案表面变得更粗糙时,粒子更倾向于以台阶边缘诱导的方式生长在图案的间隔处,与实验结果高度吻合。由此可见粗糙度可用于控制有机图案的成核分配,以实现不同的应用,如全彩显示器和微透镜阵列。 展开更多
关键词 区域选择性生长 动力学蒙特卡罗 有机分子
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基于MOCVD的β-Ga_(2)O_(3)同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展
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作者 刘洋 何云龙 +4 位作者 陈谷然 陆小力 郑雪峰 马晓华 郝跃 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期1-15,共15页
β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其... β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其高生长速率、精确的膜厚控制、优异的薄膜质量和大尺寸生长等优势,成为未来β-Ga_(2)O_(3)走向产业化的潜在方法,并已被广泛应用于β-Ga_(2)O_(3)的外延生长研究。本文对几种常见晶向的β-Ga_(2)O_(3) MOCVD同质外延生长的研究成果进行了概述,并在此基础上介绍了极具潜力的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的MOCVD外延生长研究现状。最后,总结了基于MOCVD技术的β-Ga_(2)O_(3)同质外延生长以及β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)生长过程中面临的主要问题,并对未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属有机化学气相沉积 同质外延 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)
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SnO_(2)气敏传感器灵敏度改善研究进展
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作者 李玉 王艳蓉 +2 位作者 张旭芳 魏淑华 张静 《微纳电子技术》 2025年第3期32-36,共5页
SnO_(2)作为一种典型的宽带隙n型金属氧化物半导体材料,凭借其出色的响应速度和优异的稳定性等特性在气体监测领域得到广泛的应用,并展现出巨大的发展潜力。聚焦SnO_(2)气敏传感器传感机制,介绍了单金属掺杂以及复合结构对SnO_(2)气敏... SnO_(2)作为一种典型的宽带隙n型金属氧化物半导体材料,凭借其出色的响应速度和优异的稳定性等特性在气体监测领域得到广泛的应用,并展现出巨大的发展潜力。聚焦SnO_(2)气敏传感器传感机制,介绍了单金属掺杂以及复合结构对SnO_(2)气敏传感器灵敏度的提升效果,同时从材料电子结构、能带结构、表面活性、氧空位等多个角度阐述了其改善的原因。最后总结了SnO_(2)气敏传感器发展趋势,并提出了几种提高气敏传感器灵敏度的研究思路。 展开更多
关键词 SnO_(2) 气敏机理 掺杂 气敏传感器 灵敏度
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锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展
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作者 胡德鹏 王红真 +1 位作者 路云峰 贺训军 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期229-240,共12页
锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长... 锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长中得到了广泛应用。通过对锑化物半导体材料的特性、实际应用的探讨,着重介绍了分子束外延技术在锑化物生长领域的最新研究进展。首先,阐述了二元、三元和四元锑化物半导体材料的物理特性;其次,总结了相关的红外探测器、激光器和热光伏电池等器件在低暗电流和高工作温度等研究方向的进展;最后,针对锑化物半导体的MBE生长工艺和过程中存在的问题,总结了一些切实可行的解决方案,并且展望了未来锑化物半导体材料分子束外延的发展趋势。 展开更多
关键词 锑化物 半导体 分子束外延(MBE) 能带结构 生长工艺
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光学浮区法生长Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶及其光谱性质研究
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作者 杨晓龙 唐慧丽 +5 位作者 张超逸 孙鹏 黄林 陈龙 徐军 刘波 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期202-211,共10页
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-G... 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-Ga_(2)O_(3)∶6%Bi单晶,并着重研究Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的光谱性质。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)结合能量色散X射线光谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)以透过光谱和荧光光谱等先进的表征技术,对样品的晶体结构、元素组成及光谱性质进行了较全面的测试与分析。实验结果揭示,由于离子半径差异大,Bi离子较难掺入β-Ga_(2)O_(3)晶格,掺入的Bi离子主要替代了GaO_(6)八面体中的Ga离子位置。与非故意掺杂β-Ga_(2)O_(3)相比,Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶在红外区域的透射率降低,载流子浓度增加;荧光发射光谱强度降低,荧光衰减时间缩短。这些发现不仅深化了对Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光谱性质的理解,而且为该材料在闪烁和辐射探测等领域的应用提供了技术启示。 展开更多
关键词 Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3) 光学浮区法 晶体生长 拉曼光谱 光谱特性 发射光谱强度 荧光衰减时间
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不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究
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作者 李雄杰 宁平凡 +4 位作者 陈世澳 乔思博 程红娟 王英民 牛萍娟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期255-262,共8页
采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-... 采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的温度窗口分别为420~480、480~550、590~600、540~600℃;对应纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙分别为5.12、5.23、5.25、5.21 eV。研究发现与C面蓝宝石衬底相比,在M、A、R面蓝宝石衬底上外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜需要更高的生长温度,同时在M、A、R面蓝宝石衬底上获得的薄膜禁带宽度更大。样品表面形貌的SEM表征结果显示,不同晶面的α-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌差异显著,C面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)薄膜存在“连续薄膜+大尺寸柱状岛”结构。本文关于不同晶面蓝宝石衬底外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜的研究对α-Ga_(2)O_(3)材料的应用有一定参考价值。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底 雾化学气相沉积 异质外延 生长温度 禁带宽度
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新工艺在室温下造出有序半导体材料
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作者 刘霞 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第1期37-37,共1页
据报道,荷兰特文特大学科学家开发出一种新工艺,能在室温下制造出晶体结构高度有序的半导体材料。他们表示,通过精准控制这种半导体材料的晶体结构,大幅降低了内部纳米级缺陷的数量,可显著地提升光电子学效率,进而促进新型太阳能电池和... 据报道,荷兰特文特大学科学家开发出一种新工艺,能在室温下制造出晶体结构高度有序的半导体材料。他们表示,通过精准控制这种半导体材料的晶体结构,大幅降低了内部纳米级缺陷的数量,可显著地提升光电子学效率,进而促进新型太阳能电池和电子产品的发展。相关论文发表于最新一期《自然·合成》杂志上。 展开更多
关键词 半导体材料 新型太阳能电池 光电子学 电子产品 大学科学家 晶体结构 论文发表 精准控制
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湖南三安半导体取得生长腔体组件专利,能够快速高效地测量金刚石生长厚度
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《超硬材料工程》 2025年第1期68-68,共1页
金融界2025年1月15日消息,国家知识产权局信息显示,湖南三安半导体有限责任公司取得一项名为“生长腔体组件”的专利,授权公告号CN 222332133 U,申请日期为2024年3月。
关键词 国家知识产权局 申请日期 半导体 专利 授权公告 腔体 快速高效 组件
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力量钻石半导体高功率散热片金刚石项目建成投产
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《超硬材料工程》 2025年第1期11-11,共1页
2025年1月15日,河南省力量钻石股份有限公司(以下简称力量钻石)半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目,历经一年多筹备和建设,正式建成投产。投产仪式上,商丘市委、市政府主要领导莅临现场观摩指导,力量钻石董事长邵增明、台湾... 2025年1月15日,河南省力量钻石股份有限公司(以下简称力量钻石)半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目,历经一年多筹备和建设,正式建成投产。投产仪式上,商丘市委、市政府主要领导莅临现场观摩指导,力量钻石董事长邵增明、台湾捷斯奥企业有限公司董事长李政民等出席投产仪式。 展开更多
关键词 研发制造 散热片 半导体 金刚石 钻石 河南省 高功率
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浅谈三代半导体材料的应用现状及前景展望
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作者 廖师师 谢邱虹 蒋琦 《中国集成电路》 2025年第1期34-39,共6页
硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)分别作为第一代、第二代、第三代半导体典型材料之一,在各自的应用领域都发挥着重要作用,成为现代科技支柱的一部分。本文分别从材料物理特性、器件结构及工艺制造、未来挑战三个方面对Si、GaAs、GaN... 硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)分别作为第一代、第二代、第三代半导体典型材料之一,在各自的应用领域都发挥着重要作用,成为现代科技支柱的一部分。本文分别从材料物理特性、器件结构及工艺制造、未来挑战三个方面对Si、GaAs、GaN三种半导体材料进行了对比分析,说明了三种半导体材料在各自的应用领域都有着重要的应用前景,但同时也面临新的挑战。 展开更多
关键词 SI GAAS GAN 半导体 器件结构 工艺制造
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单晶硅在等离子体刻蚀中沿不同晶向的各向异性
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作者 孟利园 李西军 +5 位作者 李冉冉 张公开 王云生 曹杰 苏德香 张先锋 《微纳电子技术》 2025年第2期73-80,共8页
阐述了单晶硅在等离子体刻蚀中沿不同晶向表现出各向异性刻蚀的原理。通过实现特定的结构直观地展示了单晶硅上形成深孔并继续横向刻蚀形成扩孔区的过程。总结了能够影响各向异性刻蚀的因素有晶向、深宽比、刻蚀条件,针对这三方面的因素... 阐述了单晶硅在等离子体刻蚀中沿不同晶向表现出各向异性刻蚀的原理。通过实现特定的结构直观地展示了单晶硅上形成深孔并继续横向刻蚀形成扩孔区的过程。总结了能够影响各向异性刻蚀的因素有晶向、深宽比、刻蚀条件,针对这三方面的因素,收集了角度Ф、深宽比和腔压与横向刻蚀速率v_R的详细数据,详细分析了三个因素与各向异性规律的关系,并得出结论:等离子体刻蚀中若要表现沿晶向的各向异性规律需要满足以下两个条件,即刻蚀必须发生在高深宽比的通孔底部;刻蚀反应由热化学反应主导,而非定向运动的物理刻蚀主导。最后展望了该刻蚀机制结合光刻阵列图形设计的应用场景。 展开更多
关键词 单晶硅 等离子体刻蚀 晶向 各向异性 深宽比
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Semiconductor Fibers:Weaving the Future of Wearable Tech
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作者 YAN Fusheng 《Bulletin of the Chinese Academy of Sciences》 2025年第1期30-31,共2页
Imagine a beanie that“sees”traffic lights for the visually impaired,or a shirt that doubles as a high-speed data receiver.These aren’t sci-fi fantasies-they’re the first threads of a revolution sparked by ultra-th... Imagine a beanie that“sees”traffic lights for the visually impaired,or a shirt that doubles as a high-speed data receiver.These aren’t sci-fi fantasies-they’re the first threads of a revolution sparked by ultra-thin,flexible semiconductor fibers.In a Nature study published February 2024,researchers from the Chinese Academy of Sciences and Nanyang Technological University unveiled a breakthrough in producing high-performance optoelectronic fibers,overcoming decades-old engineering hurdles. 展开更多
关键词 wearable tech high performance optoelectronic fibers semiconductor fibers flexible technology
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氧化铝陶瓷部件在半导体领域应用及市场概览
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作者 李建慧 石健 +2 位作者 左政 冯国楠 杨淑娴 《中国集成电路》 2025年第1期29-33,共5页
氧化铝陶瓷部件是一种高性能陶瓷材料部件,因其高硬度、高机械强度、超耐磨性、耐高温、电阻率大、电绝缘性能好等优异性能,在半导体领域得以广泛应用。随着半导体产业不断发展,氧化铝陶瓷部件在产业链中的重要性更加凸显。本文介绍了... 氧化铝陶瓷部件是一种高性能陶瓷材料部件,因其高硬度、高机械强度、超耐磨性、耐高温、电阻率大、电绝缘性能好等优异性能,在半导体领域得以广泛应用。随着半导体产业不断发展,氧化铝陶瓷部件在产业链中的重要性更加凸显。本文介绍了氧化铝陶瓷部件在半导体领域的应用及全球市场的主要情况,分析了半导体领域氧化铝陶瓷部件应用的未来发展趋势。 展开更多
关键词 氧化铝 氧化铝陶瓷制备 氧化铝陶瓷部件 半导体
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第三代半导体切割技术概述
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作者 谢天欢 蔡晓峰 +2 位作者 程晋红 张洪波 陈健 《中国集成电路》 2025年第1期40-46,共7页
鉴于电力电子器件趋向于在高温、高压、高辐射等恶劣环境下工作,传统的半导体材料硅无法适应该发展趋势,故第三代半导体凭借更宽的带隙宽度、更高的击穿电场、更高的导热系数等能力在该领域的应用上凸显了优势。为此,第三代半导体晶圆... 鉴于电力电子器件趋向于在高温、高压、高辐射等恶劣环境下工作,传统的半导体材料硅无法适应该发展趋势,故第三代半导体凭借更宽的带隙宽度、更高的击穿电场、更高的导热系数等能力在该领域的应用上凸显了优势。为此,第三代半导体晶圆切割作为半导体制造的一个重要环节,晶圆加工精度要求也愈发严格。本文详细介绍了传统刀轮切割、激光烧蚀切割、水辅助激光切割、激光热裂切割和激光隐形切割工艺的基本原理,为进一步研究和应用提供参考。 展开更多
关键词 晶圆切割技术 第三代半导体 传统刀轮切割 激光切割
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基于国产MOCVD的8 inch硅基氮化镓外延生长技术
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作者 敖辉 《轻工科技》 2025年第1期111-115,共5页
由于GaN同质单晶衬底的工艺技术不成熟,加上尺寸小、价格昂贵等限制,基于Si基的异质外延是实现其大尺寸生长、降本增效的可行策略。本文利用国产MOCVD(单片机)在8英寸(inch)的硅基衬底上,生长了无裂纹、表面平整(均方根粗糙度低于0.5 n... 由于GaN同质单晶衬底的工艺技术不成熟,加上尺寸小、价格昂贵等限制,基于Si基的异质外延是实现其大尺寸生长、降本增效的可行策略。本文利用国产MOCVD(单片机)在8英寸(inch)的硅基衬底上,生长了无裂纹、表面平整(均方根粗糙度低于0.5 nm@5μm×5μm)、低缺陷密度(位错密度<2×10^(9) cm^(-2))的GaN外延层。通过原位曲率测量和生长厚度测量分析了沉积生长的外延片结构中的GaN/梯度AlGaN/AlN异质界面,阐述了AlN/AlGaN、AlGaN/AlGaN和AlGaN/GaN异质界面对机械应力的调控机理。 展开更多
关键词 国产MOCVD 大尺寸 GaN异质外延
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用于碳化硅晶体生长的多孔碳化钽材料制造理论研究
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作者 张逊熙 曹洪涛 +1 位作者 赵正星 范金桃 《信息记录材料》 2025年第1期1-5,共5页
本研究旨在开发一种基于激光粉末床熔融(laser powder bed fusion,PBF-LB/M)技术的理论模型,以制备用于碳化硅(silicon carbide,SiC)晶体生长的多孔碳化钽(tantalum carbide,TaC)材料。目标是制备孔隙率约为50%,平均孔径为40μm,厚度为2... 本研究旨在开发一种基于激光粉末床熔融(laser powder bed fusion,PBF-LB/M)技术的理论模型,以制备用于碳化硅(silicon carbide,SiC)晶体生长的多孔碳化钽(tantalum carbide,TaC)材料。目标是制备孔隙率约为50%,平均孔径为40μm,厚度为2 mm,直径为300 mm的多孔TaC盘片。通过热场模拟和微观结构建模,优化工艺参数,并预测材料的力学和热物理性能。结果表明:PBF-LB/M工艺可以有效控制多孔TaC的孔隙结构和性能,为其在实际应用中的推广提供理论基础。通过有限元分析和模拟研究,研究人员确定了最佳的激光功率、扫描速度和层厚参数。这些优化参数不仅能实现均匀的热场分布,还能在材料的孔隙率和孔径方面达到预期目标。本研究为多孔TaC材料的产业化应用奠定了坚实的理论基础,并为进一步验证提供了详细的指导方向。 展开更多
关键词 碳化钽(TaC) 多孔TaC 碳化硅(SiC)长晶
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