期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1,098篇文章
< 1 2 … 55 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
离子注入过程中的颗粒污染来源及管控措施
1
作者 申强 刘鼎铭 赵伟涵 《电子工业专用设备》 2024年第5期32-36,68,共6页
离子注入作为半导体制造中的关键工艺之一,其工艺过程中产生的颗粒污染已经成为影响器件性能和成品率的重要因素。通过分析离子注入工艺过程中颗粒污染的种类和来源,阐述了工艺过程中预防和管控颗粒污染的措施,并通过对比试验,分析了注... 离子注入作为半导体制造中的关键工艺之一,其工艺过程中产生的颗粒污染已经成为影响器件性能和成品率的重要因素。通过分析离子注入工艺过程中颗粒污染的种类和来源,阐述了工艺过程中预防和管控颗粒污染的措施,并通过对比试验,分析了注入过程中扫描次数、定向台定向、机械手传片、片库抽泄真空和靶台压盖升降对圆片表面颗粒的影响程度,为离子注入过程中的颗粒污染控制提供依据和建议。 展开更多
关键词 离子注入 颗粒污染 控制措施
下载PDF
碲镉汞PIN结构雪崩器件的I区材料晶体质量研究
2
作者 沈川 张竞 +5 位作者 杨辽 郭慧君 谢浩 周梅华 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期174-178,共5页
本文对中波红外PIN结构的碲镉汞(HgCdTe)雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟,采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征,评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体... 本文对中波红外PIN结构的碲镉汞(HgCdTe)雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟,采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征,评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体质量。研究发现,现有优化工艺下雪崩区域的晶体质量良好,拟合材料的SRH寿命最好能达到20.7μs,可达到原生材料SRH寿命的相当水平,满足高质量中波碲镉汞雪崩器件的研制要求。同时,我们以获得的雪崩区域SRH寿命为基础,对HgCdTe APD结构器件进行相应2维数值模拟,获得理论最优的暗电流密度8.7×10^(-10) A/cm^(2)。 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩器件 少子寿命 暗电流
下载PDF
铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析
3
作者 初学峰 黄林茂 +2 位作者 张祺 谢意含 胡小军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期848-854,共7页
本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样... 本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样品的表面较为均匀。通过X射线光电子能谱仪(XPS)表征薄膜样品表面的元素、组成、价态和电子态信息,结果表明制备方式与退火处理等因素影响了薄膜样品表面的元素组成与价态,这些信息与薄膜的电学和光学性能具有一定的关联。上述研究结果可以为新型透明导电薄膜的设计和性能提升提供参考。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 磁控溅射 退火 表面形貌 X射线光电子能谱 透过率
下载PDF
基于DBN的离子注入机故障诊断方法研究
4
作者 颜秀文 曹丽婷 +1 位作者 宋莹洁 高梓文 《湖南工业职业技术学院学报》 2024年第1期33-37,44,共6页
国产半导体制造工艺的发展越来越受到重视,但是设备的故障常常会对工业生产造成阻碍。在这种背景下,通过学习大量的故障数据并自动提供准确的诊断结果的人工智能技术,已经得到了广泛的应用。本研究提出了一种基于深度置信网络(DBN)的故... 国产半导体制造工艺的发展越来越受到重视,但是设备的故障常常会对工业生产造成阻碍。在这种背景下,通过学习大量的故障数据并自动提供准确的诊断结果的人工智能技术,已经得到了广泛的应用。本研究提出了一种基于深度置信网络(DBN)的故障诊断方法,旨在识别离子注入机的故障类型,以便操作人员定位具体故障位置并实施维修。然后,用六种故障和正常情况总共七种健康状态来评估模型性能。通过实验,深度置信网络模型在离子注入机上的识别正确率为98.66%,准确率及收敛速度均优于传统的机器学习算法。该方法对于复杂结构数据的建模具有强大的能力,在半导体设备故障诊断领域具有应用潜力,有望在国产半导体制造工艺中提高设备可靠性和生产效率。 展开更多
关键词 智能故障诊断 深度学习 半导体设备 离子注入机
下载PDF
国产碳化硅离子注入机的设计开发
5
作者 袁卫华 李进 +1 位作者 罗才旺 许波涛 《电子工业专用设备》 2024年第1期38-42,共5页
为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品... 为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当,能够满足SiC器件的生产要求。 展开更多
关键词 碳化硅 高能离子注入机 金属离子源 高温注入
下载PDF
N多晶电阻的温度漂移影响因子及工艺研究
6
作者 陈培仓 周凌霄 +2 位作者 洪成强 王涛 吴建伟 《电子与封装》 2024年第5期85-88,共4页
多晶电阻在集成电路中应用广泛,可用作电路负载、阻尼、分压或分流,但是在实际使用过程中,多晶掺杂电阻的阻值由载流子浓度和迁移率决定,而2者都会受到温度的影响,因此多晶电阻的阻值随温度的变化而变化,且存在一定的温度系数。对N多晶... 多晶电阻在集成电路中应用广泛,可用作电路负载、阻尼、分压或分流,但是在实际使用过程中,多晶掺杂电阻的阻值由载流子浓度和迁移率决定,而2者都会受到温度的影响,因此多晶电阻的阻值随温度的变化而变化,且存在一定的温度系数。对N多晶电阻的温度漂移影响因子展开研究并进行分组实验验证,制备出了温度系数在±10×10^(-6)/℃以内的低温度漂移、高精度半导体N多晶电阻,保证了不同温度环境下电路的工作稳定性,为高稳定电路设计提供了参考依据。 展开更多
关键词 多晶电阻 掺杂 温度漂移
下载PDF
用于SiC注入机的吸极系统设计
7
作者 袁卫华 彭立波 +1 位作者 罗才旺 游俊健 《电子工业专用设备》 2024年第5期17-21,共5页
介绍了用于SiC注入机的离子束流吸极系统设计,吸极系统是一个三维可调的运动部件,吸极系统的电极板在X、Y、Z三轴伺服电机的驱动作用下实现3个方向精确可调;加载在电极板上的吸极高压和吸极抑制高压双重高压电场作用下,实现所需不同种... 介绍了用于SiC注入机的离子束流吸极系统设计,吸极系统是一个三维可调的运动部件,吸极系统的电极板在X、Y、Z三轴伺服电机的驱动作用下实现3个方向精确可调;加载在电极板上的吸极高压和吸极抑制高压双重高压电场作用下,实现所需不同种元素离子或不同放电状态下的弧室内最优离子束流稳定的引出。 展开更多
关键词 碳化硅 注入机 吸极系统
下载PDF
金刚石离子注入射程及损伤的模拟研究
8
作者 袁野 赵瓛 +3 位作者 姬常晓 黄华山 倪安民 杨金石 《电子与封装》 2024年第11期73-80,共8页
离子注入法作为改善半导体材料表层电学性能的有效方法,被应用于金刚石基半导体器件的制造过程中。使用SRIM软件模拟并研究了Ar^(+)、N^(+)、B^(+)、P^(+)、As^(+)等离子在不同能量(20~300 keV)和不同入射角度(0°~40°)下注入... 离子注入法作为改善半导体材料表层电学性能的有效方法,被应用于金刚石基半导体器件的制造过程中。使用SRIM软件模拟并研究了Ar^(+)、N^(+)、B^(+)、P^(+)、As^(+)等离子在不同能量(20~300 keV)和不同入射角度(0°~40°)下注入金刚石时的射程,及其对金刚石造成的损伤,结果表明,离子的种类、能量和注入角度均是影响离子射程和造成靶材损伤的重要因素,且各有其影响规律。通过改变这些参数,能够精准控制注入离子在金刚石中的射程和靶材损伤程度,为相关科研生产工作提供指导。 展开更多
关键词 金刚石 离子注入 射程 靶材损伤
下载PDF
室温中波红外碲镉汞探测器激光辐照饱和特性的仿真 被引量：1
9
作者 李向阳 桑茂盛 +5 位作者 徐国庆 乔辉 储开慧 杨晓阳 杨鹏翎 王大辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期143-148,共6页
针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素。利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模... 针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素。利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗。理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小。另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较。计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参考。 展开更多
关键词 激光辐照 温度场 饱和特性 数值仿真
下载PDF
基于等离子体注入设备的离子剂量检测装置
10
作者 王兴 周临震 《盐城工学院学报（自然科学版）》 CAS 2023年第2期67-71,共5页
针对等离子体浸没式离子注入(PIII)过程中,无法对实际注入目标基板的离子剂量进行检测和显示的问题,设计了一套基于PIII设备的离子剂量检测装置。该装置围绕注入基板放置离子检测装置,等离子体注入过程中,通过信号调理电路和LabVIEW数... 针对等离子体浸没式离子注入(PIII)过程中,无法对实际注入目标基板的离子剂量进行检测和显示的问题,设计了一套基于PIII设备的离子剂量检测装置。该装置围绕注入基板放置离子检测装置,等离子体注入过程中,通过信号调理电路和LabVIEW数据采集卡对检测信号进行分析处理,以实现等离子体注入剂量的实时监测。实验结果表明,基于PIII设备的离子剂量检测装置能够有效收集等离子体进行检测,检测结果可以为腔室结构优化和注入工艺改良提供参考依据。 展开更多
关键词 PIII 离子检测 信号调理电路 数据采集
下载PDF
氟氧化物玻璃材料中Er^(3+)的光谱性质 被引量：10
11
作者 陈宝玖 周伟 +4 位作者 秦伟平 王海宇 鄂书林 许武 黄世华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期43-47,共5页
利用J O理论计算了Er3 + 掺杂的氟氧化物玻璃材料MFT的光学性质 ,得到了一些能级间跃迁的振子强度、跃迁几率、分支比、及寿命等数据。并通过实验测量了吸收光谱、激发光谱和发射光谱等。
关键词 铕^3+ 氟氧化物玻璃 J-O理论 光谱性质 吸收光谱 激发光谱 发射光谱 稀土离子掺杂
下载PDF
一种中空二氧化硅微球掺杂改性的聚氨酯水性分散体乳液的研究 被引量：9
12
作者 张其荣 杨正龙 +3 位作者 袁俊杰 浦鸿汀 万德成 刘永生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期126-129,共4页
采用化学方法制备了一种中空二氧化硅微球掺杂改性的聚氨酯水性分散体乳液,并采用扫描电镜、投射电镜、热失重、紫外-可见光吸收和涂膜力学性能等测试手段对该中空二氧化硅微球掺杂聚氨酯分散体及其涂膜的微观结构、热、光和力学等性能... 采用化学方法制备了一种中空二氧化硅微球掺杂改性的聚氨酯水性分散体乳液,并采用扫描电镜、投射电镜、热失重、紫外-可见光吸收和涂膜力学性能等测试手段对该中空二氧化硅微球掺杂聚氨酯分散体及其涂膜的微观结构、热、光和力学等性能进行研究。实验结果表明,该乳液具有良好的室温贮存稳定性能,中空二氧化硅微球与水性聚氨酯分散体具有良好的相容性和协同增强效应。中空二氧化硅微球的掺杂改性不仅能够提高聚氨酯涂膜的耐热性能,显著提高水性聚氨酯涂膜的硬度和耐水性,同时该掺杂聚氨酯涂膜还具有优异的抗紫外光能力。 展开更多
关键词 聚氨酯水性分散体 中空二氧化硅微球 掺杂改性 制备 性能
下载PDF
金属离子掺杂纳米TiO_2光催化研究进展 被引量：28
13
作者 牛新书 李红花 蒋凯 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期39-42,45,共5页
综述了近年来金属离子掺杂纳米TiO2光催化的研究现状,对其掺杂机理、制备方法(溶胶–凝胶法、沉淀法、浸渍法、水热法等)和影响TiO2光催化效率与光谱响应范围的因素,如掺杂金属离子的种类、浓度、能级、电子构型、半径、化合价等进行了... 综述了近年来金属离子掺杂纳米TiO2光催化的研究现状,对其掺杂机理、制备方法(溶胶–凝胶法、沉淀法、浸渍法、水热法等)和影响TiO2光催化效率与光谱响应范围的因素,如掺杂金属离子的种类、浓度、能级、电子构型、半径、化合价等进行了探讨,并对今后的研究作出了展望。 展开更多
关键词 无机非金属材料 纳米二氧化钛 金属离子掺杂 光催化 金属离子掺杂
下载PDF
金属离子高温注入原理与工艺研究 被引量：7
14
作者 雷明凯 李朋 +1 位作者 常海威 陈涛 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2006年第2期1-5,共5页
采用离子与固体相互作用理论和辐照增强扩散理论建立了金属离子高温注入的传质模型,利用有效形成热理论建立了金属离子高温注入合成金属间化合物相形成预测模型。采用MEEVA源进行了Al离子高温注入镁合金AZ31表面改性。利用Rutherford背... 采用离子与固体相互作用理论和辐照增强扩散理论建立了金属离子高温注入的传质模型,利用有效形成热理论建立了金属离子高温注入合成金属间化合物相形成预测模型。采用MEEVA源进行了Al离子高温注入镁合金AZ31表面改性。利用Rutherford背散射和X射线衍射方法分析了注入改性层的成分与相结构,利用动电位阳极极化测量及摩擦磨损试验测定了注入改性镁合金AZ31的耐腐蚀、抗磨损性能。计算的Al离子高温注入镁合金AZ31的成分—深度分布及金属间化合物Al12Mg17形成规律与试验测量结果相符。注入剂量为6×1016ions·cm-2的Al离子高温试样,腐蚀电位和孔蚀击穿电位分别达到-1180mV(SCE)和-480mV(SCE),维钝电流密度较原始镁合金试样的电流密度约降低1个数量级。高温注入镁合金试样的磨痕较窄,磨损量较原始试样减小约20%。Al离子高温注入显著改善了镁合金AZ31的耐腐蚀、抗磨损性能。 展开更多
关键词 高温离子注入 镁合金 金属间化合物 腐蚀 磨损
下载PDF
Ag和Ni离子注入聚合物的分形生长 被引量：4
15
作者 吴瑜光 桑海波 +2 位作者 张通和 崔平 王平 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期352-355,共4页
在Ag和Ni离子注入聚合物样品结构分析中 ,首次观察到注入的离子在聚合物中分形生长现象 ,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜在注入样品表面与横截面处均观察到了漂亮的离子注入分形生长图 .讨论了分形特点和分形生长的机理 。
关键词 离子注入 聚合物 分形生长 级联碰撞 银 镍 分形图 生长机理
下载PDF
POSS掺杂改性聚氨酯水性分散体乳液的研究 被引量：6
16
作者 张其荣 杨正龙 +1 位作者 浦鸿汀 袁俊杰 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1366-1370,共5页
采用化学改性方法制备了一种POSS掺杂改性的聚氨酯水性分散体乳液,并采用投射电镜等多种测试手段对POSS掺杂聚氨酯分散体及其涂膜的微观结构、热、光和力学等性能进行表征和研究.结果表明,该乳液具有良好的室温贮存稳定性能(>90 d),P... 采用化学改性方法制备了一种POSS掺杂改性的聚氨酯水性分散体乳液,并采用投射电镜等多种测试手段对POSS掺杂聚氨酯分散体及其涂膜的微观结构、热、光和力学等性能进行表征和研究.结果表明,该乳液具有良好的室温贮存稳定性能(>90 d),POSS与水性聚氨酯分散体具有良好的相容性和协同增强效应.POSS的掺杂改性不仅能够提高聚氨酯涂膜的耐热性能,显著提高水性聚氨酯涂膜的硬度和耐水性,同时该掺杂聚氨酯涂膜还具有优异的抗紫外光能力. 展开更多
关键词 聚氨酯水性分散体 POSS 掺杂改性 乳液 抗紫外光性能
下载PDF
蒸汽掺杂-一种新的钛酸钡基PTCR陶瓷的掺杂方法 被引量：9
17
作者 齐建全 桂治轮 李龙土 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期408-412,共5页
晶界效应是陶瓷材料所固有的特性．利用某些氧化物在高温下具有较高的蒸汽压，在烧成过程对陶瓷材料进行掺杂改性，可以有效地控制晶界行为，改善材料性能．钛酸钡基半导化陶瓷中存在的PTCR效应；是一种典型的晶界效应．利用Sb2O3、Bi2O... 晶界效应是陶瓷材料所固有的特性．利用某些氧化物在高温下具有较高的蒸汽压，在烧成过程对陶瓷材料进行掺杂改性，可以有效地控制晶界行为，改善材料性能．钛酸钡基半导化陶瓷中存在的PTCR效应；是一种典型的晶界效应．利用Sb2O3、Bi2O3蒸汽掺杂的钛酸钡基PTCR材料，晶粒细小、均匀致密、升阻比可以做到大于8个数量级．因而，蒸汽掺杂是一种新型高效的掺杂方法． 展开更多
关键词 蒸汽掺杂 PTCR 钛酸钡基 陶瓷 电子陶瓷
下载PDF
注F　CC4007电路的电离辐射效应 被引量：6
18
作者 张国强 严荣良 +4 位作者 罗来会 余学峰 任迪远 赵元富 胡浴红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期35-40,共6页
本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照... 本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照栅偏压不改变注Ｆ栅介质的抗辐照特性．注Ｆ栅介质辐照敏感性的降低可归结为Ｆ能减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故． 展开更多
关键词 注氟 CC4007电路 电离辐射效应
下载PDF
Ti离子注入聚合物纳米结构分析 被引量：5
19
作者 周固 吴瑜光 +1 位作者 张通和 赵新荣 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期183-186,共4页
采用MEVVA源引出的Ti等离子注入聚酯 (PET)薄膜 ,注量在 1× 10 172× 10 17cm- 2 范围 .用透射电子显微镜分析了金属离子注入PET纳米结构随注量增加的变化 .结果表明 ,注入的Ti原子在PET中形成了密集的纳米相 ,这些纳米相均匀... 采用MEVVA源引出的Ti等离子注入聚酯 (PET)薄膜 ,注量在 1× 10 172× 10 17cm- 2 范围 .用透射电子显微镜分析了金属离子注入PET纳米结构随注量增加的变化 .结果表明 ,注入的Ti原子在PET中形成了密集的纳米相 ,这些纳米相均匀地弥散分布在注入层中 .用透射电子显微镜 (TEM )观察横截面表明 ,注入层为 3层结构 .可见Ti的注入已经在注入层中形成了金属化表面 .表面硬度、抗磨损特性和电导率明显地增加 .最后分析了金属离子注入对聚合物特性的改善机理 . 展开更多
关键词 透射电子显微镜分析 金属离子注入 聚合物 纳米结构 PET
下载PDF
纳米钛酸钡陶瓷的制备及其结构和性能 被引量：5
20
作者 邓湘云 王晓慧 +1 位作者 李龙土 桂治轮 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期713-715,共3页
应用放电等离子烧结(SPS)制备了不同尺寸的纳米钛酸钡陶瓷,考察了不同的晶粒尺寸对钛酸钡陶瓷结构和性能的影响.SEM,XRD和介温谱表明随着晶粒尺寸的减小,钛酸钡陶瓷结构中四方相所占比例逐渐减少;四方-立方相变温度降低,居里点向低温移... 应用放电等离子烧结(SPS)制备了不同尺寸的纳米钛酸钡陶瓷,考察了不同的晶粒尺寸对钛酸钡陶瓷结构和性能的影响.SEM,XRD和介温谱表明随着晶粒尺寸的减小,钛酸钡陶瓷结构中四方相所占比例逐渐减少;四方-立方相变温度降低,居里点向低温移动;同时纳米钛酸钡陶瓷的Raman光谱声子模也随着晶粒尺寸的变化而变化. 展开更多
关键词 钛酸钡 尺寸效应 放电等离子烧结 纳米陶瓷
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 55 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部