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背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究
1
作者 徐阳 司美菊 +5 位作者 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期296-299,共4页
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器
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深硅刻蚀晶圆位置偏移分析与研究
2
作者 商庆杰 康建波 +1 位作者 张发智 宋洁晶 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期162-167,共6页
晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放... 晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放不充分的主要因素,表面聚合物的清除有助于优化晶圆位置偏移。电动三针在固有残留静电力的情况下,通过缓慢连续升针方案缓解了跳片现象。优化片间清洗方案大幅减小表面聚合物残留。实验结果表明:优化后的解吸附配方为工艺时长90 s、电极功率1000 W、气压20 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)、氩气体积流量250 mL/min,电动三针接触晶圆前、接触中、脱离静电吸盘后的升针速度分别为3、2和6 mm/s,在上述工艺条件下,通过进一步优化片间清洗方案,使得晶圆位置偏移量从初始的2~6 mm降至0.2 mm以内。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 晶圆位置偏移 静电吸盘 解吸附配方 电动三针 片间清洗
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环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述
3
作者 刘恩序 李俊杰 +5 位作者 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期14-20,共7页
环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要... 环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要SiGe选择性刻蚀技术。工艺要求SiGe作为牺牲层被选择性刻蚀去除,且尽可能减少对Si沟道的损伤。本文对环栅晶体管制备工艺中所需的SiGe选择性刻蚀技术进行了综述,主要分析了器件结构的发展趋势及SiGe选择性刻蚀的应用,并分类综述了常规SiGe选择性刻蚀方法以及新型选择性刻蚀技术的发展历程,分析了各种技术的优点和不足。最后对SiGe选择性刻蚀技术面临的挑战进行了分析,并对其未来可能的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 锗硅 选择性刻蚀 环栅 内侧墙 沟道释放 纳米线 纳米片
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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜
4
作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页
在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多
关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率
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投影微立体光刻技术在微流控芯片领域的研究进展 被引量：1
5
作者 姜丁瑞 张栩源 +4 位作者 靳聪 柏寒之 厉婉琪 张彩勤 陈翔 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期26-37,共12页
对投影微立体光刻(PμSL)技术在微流控芯片领域的优势进行了简要概述,介绍了其技术原理以及数字微镜设备(DMD)的工作机制。分析了影响PμSL技术提高XY平面和Z轴打印分辨率的因素,重点讨论了通过优化光学系统、树脂配方、打印方式及图像... 对投影微立体光刻(PμSL)技术在微流控芯片领域的优势进行了简要概述,介绍了其技术原理以及数字微镜设备(DMD)的工作机制。分析了影响PμSL技术提高XY平面和Z轴打印分辨率的因素,重点讨论了通过优化光学系统、树脂配方、打印方式及图像算法等途径以提高单步制作微流控封闭管道Z轴分辨率的技术方法,并介绍了PμSL技术在多材料打印领域的研究进展。此外,对近年来国内外利用PμSL技术制备微流控功能器件、器官芯片的研究进展进行了介绍。最后,对PμSL技术在微流控芯片领域当前面临的Z轴分辨率较低、靶面与精度较难平衡和器官芯片打印材料生物相容性差等问题进行了探讨,并对其未来发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 投影微立体光刻(PμSL)技术 微流控技术 高精度打印 多材料打印 器官芯片
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专利视角看光刻机技术应用
6
作者 程小梅 尹春梅 《中国科技信息》 2024年第19期42-44,共3页
光刻机是半导体制造过程中的核心设备之一,它包括光源、掩模版、光学系统、工件台等关键组件。光刻机的设计和制造难度极高,需要精确控制光源波长、光学系统的数值孔径、工件台的定位精度等,以实现高精度的图案转移。随着技术的发展,光... 光刻机是半导体制造过程中的核心设备之一,它包括光源、掩模版、光学系统、工件台等关键组件。光刻机的设计和制造难度极高,需要精确控制光源波长、光学系统的数值孔径、工件台的定位精度等,以实现高精度的图案转移。随着技术的发展,光刻机也在不断进步,例如从传统的紫外光刻技术发展到极紫外光刻(EUV)技术,以支持更小特征尺寸的集成电路生产。光刻机是一种用于微电子芯片制造中的关键设备,它通过光刻技术将芯片设计图案投影到硅片表面,从而实现微小的图案化制造。光刻机的发展经历了从简单到复杂、从粗糙到精细的演变过程,为现代微电子行业的发展提供了重要支持。 展开更多
关键词 光刻机 微电子芯片 半导体制造 极紫外光刻 光刻技术 数值孔径 工件台 集成电路生产
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基于深度学习的端到端掩模优化任务
7
作者 汤府鑫 徐辉 《重庆工商大学学报（自然科学版）》 2024年第6期39-48,共10页
目的 针对光刻系统与特征尺寸不匹配导致的光刻图案与掩模图案严重偏差的问题,提出了一个基于深度学习的端到端掩模优化框架TransU-ILT。方法 该框架使用CNN-Transformer的混合模型作为特征提取模块提取目标布局的深度特征,在特征重构... 目的 针对光刻系统与特征尺寸不匹配导致的光刻图案与掩模图案严重偏差的问题,提出了一个基于深度学习的端到端掩模优化框架TransU-ILT。方法 该框架使用CNN-Transformer的混合模型作为特征提取模块提取目标布局的深度特征,在特征重构模块中加入像素重组层来重构掩模;此外,在训练过程中,加入深度监督机制提高对布局图案特征的提取精度,从而进一步提高掩模的可印刷性。结果 实验定量结果表明:与最先进的方法相比,所提出的框架可以实现4倍的周转时间加速,在平方L_(2)误差和工艺变化带指标方面分别降低了13.4%和4.3%,且框架生成的掩模晶圆图案边缘更加平滑,更接近目标布局。结论 TransU-ILT在时间性能和掩模可印刷性方面总体上优于对比的先进方法,可以为掩模优化方法提供一种有效的解决方案。 展开更多
关键词 掩模优化 光学邻近校正 深度学习 计算光刻
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ICP深硅刻蚀工艺研究
8
作者 赵洋 高渊 宋洁晶 《电子工业专用设备》 2024年第5期42-46,共5页
深硅刻蚀工艺是MEMS器件制造过程中的关键工艺之一。加速度计的梳齿结构、滤波器及压力传感器的硅腔结构都是决定器件性能的关键工艺,均需要通过深硅刻蚀制备。梳齿的垂直度以及硅腔的侧壁平整度均会对器件的性能产生直接影响。针对深... 深硅刻蚀工艺是MEMS器件制造过程中的关键工艺之一。加速度计的梳齿结构、滤波器及压力传感器的硅腔结构都是决定器件性能的关键工艺,均需要通过深硅刻蚀制备。梳齿的垂直度以及硅腔的侧壁平整度均会对器件的性能产生直接影响。针对深硅刻蚀工艺中出现的形貌问题进行分析,找到影响硅草、侧壁垂直度差、底部横向钻蚀、侧壁钻蚀等问题的工艺参数。最后通过工艺参数优化,对这些问题进行改善,从而获得理想形貌,满足器件性能要求。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 微机电系统 刻蚀形貌 感应耦合等离子刻蚀
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基于宽带高次谐波的掩模版缺陷检测(特邀)
9
作者 李滢潇 曾志男 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期92-100,共9页
使用严格的时域有限差分法研究高次谐波光源的检测能力,探索不同波长光源的检测潜力。在综合考虑散射光效率和入射光光强的前提下,与光化波长检测相比,较长波长的光源如38 nm对直径小于10 nm的表面缺陷具有更好的检测能力。此外,38 nm... 使用严格的时域有限差分法研究高次谐波光源的检测能力,探索不同波长光源的检测潜力。在综合考虑散射光效率和入射光光强的前提下,与光化波长检测相比,较长波长的光源如38 nm对直径小于10 nm的表面缺陷具有更好的检测能力。此外,38 nm波长光源对极紫外掩模版具有较好的穿透能力,可用于相位缺陷的检测。特别是对于具有特定高度和宽度的缺陷,如高度为7~20 nm,宽度为20~80 nm的浅层缺陷,38 nm波长光源具有较为可观的检测能力。该研究可为掩模版缺陷检测装置检测能力的提升提供指导。 展开更多
关键词 高次谐波 极紫外光刻 暗场成像 缺陷检测 有限时域差分法
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用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
10
作者 高阳 周燕萍 +3 位作者 王鹤鸣 左超 上村隆一郎 杨秉君 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期136-143,共8页
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti... GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对TiN材料进行了干法刻蚀工艺的研究。采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl_(2)和BCl_(3)混合气体作为工艺气体,通过调整工艺参数,研究了ICP源功率、射频(RF)偏压功率、腔体压力、气体体积流量以及载台温度对TiN刻蚀速率和侧壁角度的影响。最后通过优化工艺参数,得到了TiN刻蚀速率为333 nm/min,底部平整且侧壁角度为81°的栅极结构。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体 栅极结构 新能源汽车
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条形离子源栅网设计及优化
11
作者 龚俊 袁祖浩 +3 位作者 佘鹏程 何秋福 李勇 孔令通 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期196-200,共5页
为克服传统圆形离子源刻蚀基片数量较少、产能较低的劣势,提高离子源栅网的精度、稳定性及使用寿命,设计出一种用于离子束刻蚀的条形离子源栅网。采用ANSYS18.2对栅网进行热应力仿真模拟分析,为进一步增强离子源栅网性能,通过加工前后... 为克服传统圆形离子源刻蚀基片数量较少、产能较低的劣势,提高离子源栅网的精度、稳定性及使用寿命,设计出一种用于离子束刻蚀的条形离子源栅网。采用ANSYS18.2对栅网进行热应力仿真模拟分析,为进一步增强离子源栅网性能,通过加工前后的真空退火处理,达到改善栅网使用性能、提高稳定性和延长使用寿命的效果。将两种栅网装载至M431-9/UM型离子束刻蚀设备进行实验验证,结果表明相比条形腰孔曲面型栅网,条形圆孔平面型栅网在热应力下形变量更小,更符合离子源对精度、稳定性及使用寿命的要求。 展开更多
关键词 离子源栅网 退火 形变 均匀性 稳定性
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电子束光刻HSQ显影对比度中的图形密度效应
12
作者 梁惠康 段辉高 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期137-144,共8页
氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算... 氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算,得到的结果与实际曝光的分辨率极限存在较大差异。针对这一问题,提出了与图形相关的显影对比度,提高了传统显影对比度在密集图形分辨率极限预测中的适用性。对HSQ的微观显影机理进行了阐述,分析了大块薄膜、亚10 nm周期密集高分辨结构显影过程和显影对比度曲线差异,预测和实验验证了超稀疏结构的超高显影对比度(线剂量对比度约为114)。该研究为改善HSQ工艺及提升计算光刻模型的精度提供了新的思路。 展开更多
关键词 电子束光刻(EBL) 氢倍半氧硅烷(HSQ) 显影对比度 分辨率极限 显影机理 图形密度效应
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基于紫外纳米压印光刻的生物纳米孔测序MEMS芯片设计
13
作者 姜保 侍南 +1 位作者 吴炫烨 徐屹峰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第8期79-82,共4页
纳米孔测序作为最新一代的基因测序技术,在生物医学和临床应用中起着至关重要的作用。测序系统中的MEMS结构通常采用传统光刻工艺来实现,本文首次运用紫外纳米压印光刻(UV-NIL)工艺来验证实现纳米孔测序系统中的MEMS芯片的可能性。采用... 纳米孔测序作为最新一代的基因测序技术,在生物医学和临床应用中起着至关重要的作用。测序系统中的MEMS结构通常采用传统光刻工艺来实现,本文首次运用紫外纳米压印光刻(UV-NIL)工艺来验证实现纳米孔测序系统中的MEMS芯片的可能性。采用传统光刻工艺,制造了3种用于纳米孔测序的MEMS双层结构的硅晶圆。这些硅晶圆被用作母板,将其MEMS结构图案精准复制到聚二甲基硅氧烷(PDMS)上,形成压印软模,再用UV-NIL工艺在硅基底上压印出所需的MEMS结构。最后,通过光学和电学两种测试表征手段,成功证实UV-NIL工艺在制造MEMS芯片方面的有效性和可行性。相较于传统光刻,UV-NIL的成功运用将极大提高工艺稳定性并大幅缩减成本。 展开更多
关键词 纳米孔 基因测序 紫外纳米压印光刻
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华中科技大学实现半导体专用光刻胶重大突破
14
《浙江化工》 CAS 2024年第10期18-18,共1页
华中科技大学武汉光电国家研究中心团队在半导体专用光刻胶领域实现重大突破。团队研发的T150A光刻胶系列产品,已通过半导体工艺量产验证,实现原材料全部国产化,配方全自主设计,有望开创国内半导体光刻制造新局面。
关键词 半导体工艺 半导体光刻 光刻胶 华中科技大学 自主设计 系列产品 武汉光电 重大突破
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Mo-Si-Al系难溶金属间化合物合金的物相组织分析
15
作者 魏丽艳 《世界有色金属》 2024年第5期16-18,共3页
基于同晶型化合物合金化改性的原理,本研究选择与C11b-MoSi_(2)同晶型的AlCr_(2)金属间化合物,按照两种化合物相对摩尔比(AlCr_(2)/MoSi_(2))设计了0%、10%、20%、30%等四个试验组分,对按比例混合的Mo-Si-Al-Cr元素粉末混合物,采用球磨... 基于同晶型化合物合金化改性的原理,本研究选择与C11b-MoSi_(2)同晶型的AlCr_(2)金属间化合物,按照两种化合物相对摩尔比(AlCr_(2)/MoSi_(2))设计了0%、10%、20%、30%等四个试验组分,对按比例混合的Mo-Si-Al-Cr元素粉末混合物,采用球磨机械活化热压烧结技术制备了Mo-Si-Al-Cr系合金块体试样,利用X-射线衍射仪(XRD)、金相显微镜(OM)和HX-1000TM型显微硬度计分析测试了各个合金试样的物相组成、金相组织及其显微硬度(HV),根据阿基米德排水法原理,测出了本次试验所需合金的密度。 展开更多
关键词 MoSi_(2) AlCr_(2) 热压烧结 相组成 微结构 性能
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镍基阵列微针的薄胶微电铸制备工艺
16
作者 王华安 李晓建 +3 位作者 尹鹏和 宋佳忻 张宇 梁军生 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期2492-2503,共12页
阵列镍微针具有机械强度高、导电性好等优点,广泛应用于生物工程等领域。微电铸工艺凭借其复制精度高、适应性广等优点,已成为制备镍微针的可靠方法。然而,在微电铸工艺中,通常需要使用与铸层厚度相同的光刻胶模具,导致厚胶微电铸时面... 阵列镍微针具有机械强度高、导电性好等优点,广泛应用于生物工程等领域。微电铸工艺凭借其复制精度高、适应性广等优点,已成为制备镍微针的可靠方法。然而,在微电铸工艺中,通常需要使用与铸层厚度相同的光刻胶模具,导致厚胶微电铸时面临微结构处存留残胶、胶层难以去除等问题。为了解决上述问题,获得尖端曲率半径为纳米尺度的阵列镍微针,我们提出了镍基阵列微针的薄胶微电铸制备工艺并进行实验验证。首先,利用(100)型单晶硅的各向异性刻蚀特性制备阵列锥坑硅模具;接着,在硅模具表面溅射一层厚度为200 nm的镍种子层;然后,使用光刻工艺制备微针支撑梁薄胶模具;最后,对硅模具进行微电铸,释放阵列镍微针。实验结果表明:本实验采用的方法可以在不损伤硅模具的前提下,得到尺寸平均偏差1.7μm、绝对位置平均偏差1.8μm、尖端平均曲率半径150 nm的阵列镍微针;使用厚度为~2μm的RFJ-60负性光刻胶作为微电铸的模具,成功制备出厚度为~24.3μm的阵列镍微针支撑梁。此外,通过将SiO2侧蚀量补偿进光刻掩膜版图形尺寸的方法,将镍微针相对尺寸误差降低至1%。结合微电铸工艺和单晶硅的各向异性刻蚀特性,能够高质量、高效率地制备阵列镍微针,为阵列镍微针的批量化制备奠定了基础。 展开更多
关键词 阵列镍微针 硅模具 微电铸工艺 侧蚀量补偿
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ASML回击质疑:High-NA EUV光刻仍是未来最经济选择
17
《世界电子元器件》 2024年第2期25-25,共1页
ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High... ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High-NA光刻技术将使用更高的曝光剂量,从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着,相较于沿用现有的0.33NA EUV光刻机并搭配多重曝光,引入High-NA在近期不会带来成本优势。 展开更多
关键词 光刻技术 曝光剂量 光刻机 EUV光刻 高数值孔径 多重曝光 成本优势 吞吐量
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ASML回击质疑:High-NA EUV光刻仍是未来最经济选择
18
《世界电子元器件》 2024年第2期7-7,共1页
ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High... ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High-NA光刻技术将使用更高的曝光剂量,从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着,相较于沿用现有的0.33NA EUV光刻机并搭配多重曝光,引入High-NA在近期不会带来成本优势。 展开更多
关键词 光刻技术 曝光剂量 光刻机 EUV光刻 高数值孔径 多重曝光 成本优势 吞吐量
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极紫外光刻新技术问世
19
《电子质量》 2024年第8期75-75,共1页
据报道,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST:Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University)设计了一种极紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的... 据报道,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST:Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University)设计了一种极紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的1/10,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 展开更多
关键词 半导体制造业 极紫外光刻 光刻设备 光刻技术 日本冲绳 EUV光刻 降低成本
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电子束曝光机子系统光柱控制器设计
20
作者 何远湘 龙会跃 +1 位作者 梁文彬 苏鑫 《电子工业专用设备》 2024年第4期30-35,共6页
为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地... 为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地控制电子束对承放在激光工作台上的掩模基片进行扫描曝光,从而达到高质量生产。 展开更多
关键词 电子束曝光机 光柱 聚焦 束闸 偏转 数模转换(DAC)转接
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