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多场耦合下RF组件的焊点信号完整性
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作者 田文超 孔凯正 +1 位作者 周理明 肖宝童 《电子与封装》 2024年第3期34-44,共11页
随着集成电路和5G技术的迅猛发展,射频(RF)组件作为关键设备被广泛使用。RF组件需要在复杂多变的工作环境下服役,而焊点作为RF组件封装中相对脆弱的部分,其稳定性和可靠性尤为重要。介绍了焊点在多场耦合下的性能表现。RF组件焊点需要... 随着集成电路和5G技术的迅猛发展,射频(RF)组件作为关键设备被广泛使用。RF组件需要在复杂多变的工作环境下服役,而焊点作为RF组件封装中相对脆弱的部分,其稳定性和可靠性尤为重要。介绍了焊点在多场耦合下的性能表现。RF组件焊点需要有效传输高频信号,从电气性能和信号完整性两方面对其进行概述,对多场耦合下的焊点信号完整性进行了总结,探讨了在高频条件下对焊点的机械性能和信号完整性进行综合研究和优化的必要性。 展开更多
关键词 焊点 射频组件封装 多场耦合 信号完整性 机械性能
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人工智能芯片先进封装技术
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作者 田文超 谢昊伦 +2 位作者 陈源明 赵静榕 张国光 《电子与封装》 2024年第1期17-29,共13页
随着人工智能(AI)和集成电路的飞速发展,人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代,AI芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、微凸点、异构集成、Chiplet等技术特点的先进封装技术。从AI芯片的分类与特点出发,对... 随着人工智能(AI)和集成电路的飞速发展,人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代,AI芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、微凸点、异构集成、Chiplet等技术特点的先进封装技术。从AI芯片的分类与特点出发,对国内外典型先进封装技术进行分类与总结,在此基础上,对先进封装结构可靠性以及封装散热等方面面临的挑战进行总结并提出相应解决措施。面向AI应用,对先进封装技术的未来发展进行展望。 展开更多
关键词 人工智能芯片 先进封装 可靠性 封装散热
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热防护服散热性的数学模型仿真
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作者 汪易平 丁颖 +2 位作者 于志财 王震 徐丽慧 《现代纺织技术》 北大核心 2024年第3期102-109,共8页
为了探求热防护服的散热规律和在高温环境中工作的极限,根据傅里叶热传导定律,用微元法和有效差分法建立了热防护服在高温条件下的“外界环境-织物层-皮肤”散热数学模型并进行仿真模拟,然后将穿着相同防护服的恒温假人放置在与数学模... 为了探求热防护服的散热规律和在高温环境中工作的极限,根据傅里叶热传导定律,用微元法和有效差分法建立了热防护服在高温条件下的“外界环境-织物层-皮肤”散热数学模型并进行仿真模拟,然后将穿着相同防护服的恒温假人放置在与数学模型中假设温度一致的实验室温度下进行实测,并采用DS18B20温度传感器测量出假人表面温度进行比对验证。结果表明:实测假人皮肤温度为43.71℃,与模型仿真结果43.99℃的误差仅为0.28℃。研究结果说明建立的热传导散热模型具有较高准确度,能够对热防护服的散热防护效果进行仿真预测与合理评价,可为在较短的研发周期内设计散热效果更好的热防护服提供借鉴。 展开更多
关键词 散热模型 安全性 防护服 数学建模 仿真模拟
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应用于三维集成的金铟键合技术研究
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作者 栾华凯 侯芳 +2 位作者 孙超 吴焱 禹淼 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期157-160,172,共5页
由于埋置芯片耐受温度的限制,圆片级低温键合技术是MEMS三维集成的关键工艺之一。金属In凭借自身熔点低而金属间化合物(Intermetallic compound, IMC)熔点高且性质稳定的特点,使得Au-In固液扩散键合法成为颇具前景的低温键合技术之一。... 由于埋置芯片耐受温度的限制,圆片级低温键合技术是MEMS三维集成的关键工艺之一。金属In凭借自身熔点低而金属间化合物(Intermetallic compound, IMC)熔点高且性质稳定的特点,使得Au-In固液扩散键合法成为颇具前景的低温键合技术之一。本文采用Au-In二元共晶化合物进行圆片级低温键合,在键合衬底上先后制备了0.4μm的SiO/SiN介质层、3.5μm的Au层和1.7μm的In层,然后分别研究了先预加热键合极板再贴合圆片和先贴合再加热两种键合方式。电性能测试、An/In组分分析和剪切试验结果表明:先贴合再加热的键合样品芯片形成了性质稳定的IMC组分,具有良好的电学互连特性稳定性,且剪切强度达到100 MPa。一定样本容量的实验结果证明隔绝键合前Au-In的相互扩散能够有效增强键合的可靠性。 展开更多
关键词 低温键合 金铟共晶 固液扩散键合 剪切强度
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动力电池复合材料微通道结构主动液冷换热性能研究
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作者 陈勇 李东明 +3 位作者 程安宇 唐凯威 黄琼 宋政申 《机床与液压》 北大核心 2024年第7期60-67,共8页
大容量圆柱动力电池在电动汽车上的广泛应用导致电池包轻量化和热管理设计需求日益突出。以新型4680大号圆柱电池为研究对象,设计具有4种不同微通道网络(平行、分叉、蛇形和螺旋)的碳纤维增强复合材料(CFRP)圆筒散热结构,并分析微通道... 大容量圆柱动力电池在电动汽车上的广泛应用导致电池包轻量化和热管理设计需求日益突出。以新型4680大号圆柱电池为研究对象,设计具有4种不同微通道网络(平行、分叉、蛇形和螺旋)的碳纤维增强复合材料(CFRP)圆筒散热结构,并分析微通道网络结构、冷却剂流速、微通道直径以及微通道进出口数量对其散热性能的影响规律。结果表明,在4种微通道CFRP圆筒结构中,平行网络微通道CFRP圆筒结构的整体换热性能最佳;微通道直径对CFRP圆筒散热性能的影响较小,但对泵压影响较大;二进二出CFRP散热圆筒的换热性能比一进一出圆筒换热结构具备明显优势。 展开更多
关键词 复合材料 微通道 散热结构 热学性能 圆柱电池
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三维集成堆叠结构的晶圆级翘曲仿真及应用
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作者 谭琳 王谦 +2 位作者 郑凯 周亦康 蔡坚 《电子与封装》 2024年第4期1-7,共7页
随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂... 随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂性,加之晶圆尺寸增大、厚度减小等发展趋势,使得有效控制晶圆翘曲以保证产品良率和可靠性面临着更大挑战。针对12英寸晶圆的典型三维集成结构,采用有限元仿真分析方法,研究多层薄膜堆叠产生的晶圆翘曲。对临时键合、晶圆减薄、晶圆键合及解键合等不同晶圆制造工艺中的翘曲变化进行了模拟计算,并选取关键工艺及设计参数进行评估与优化。通过对比实际产品的测量结果验证了仿真模型的合理性,运用仿真方法为产品设计提供了参数选择的指导依据。 展开更多
关键词 电子封装 三维集成 晶圆级翘曲 堆叠结构 有限元仿真
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有限元仿真优化布局解决金金键合局域化问题
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作者 张丹青 韩易 +2 位作者 商庆杰 宋洁晶 杨志 《电子与封装》 2024年第4期8-13,共6页
晶圆金金键合技术在集成电路封装、微机电系统(MEMS)器件制造、CMOS图像传感器制作及LED制造等行业中被广泛应用。在MEMS环形器的制造过程中,由于金金键合的压力分布不均匀,导致其键合有效区域仅限于键合区域的边缘位置,即存在键合局域... 晶圆金金键合技术在集成电路封装、微机电系统(MEMS)器件制造、CMOS图像传感器制作及LED制造等行业中被广泛应用。在MEMS环形器的制造过程中,由于金金键合的压力分布不均匀,导致其键合有效区域仅限于键合区域的边缘位置,即存在键合局域化问题,因此器件的整体可靠性较差。结合有限元力学仿真和金金键合实验,优化了键合点的分布,确保键合压力分布更加均匀。将有效键合面积从20%提升到77%,单颗芯片的平均剪切力从41.5 N增大到80.3 N,有效提升了MEMS环形器的可靠性。 展开更多
关键词 封装技术 金金键合 MEMS环形器 有限元仿真
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大尺寸有机基板的材料设计与封装翘曲控制
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作者 李志光 胡曾铭 +4 位作者 张江陵 范国威 唐军旗 刘潜发 王珂 《电子与封装》 2024年第2期41-48,共8页
倒装芯片球栅阵列(FCBGA)基板具有尺寸大、层数多等特点,可以满足大尺寸芯片超高速运算的需求。随着芯片尺寸的增大,有机基板的翘曲问题变得更加突出,因此,需要对有机基板材料在热膨胀系数(CTE)、模量、树脂收缩率、应力控制等方面进行... 倒装芯片球栅阵列(FCBGA)基板具有尺寸大、层数多等特点,可以满足大尺寸芯片超高速运算的需求。随着芯片尺寸的增大,有机基板的翘曲问题变得更加突出,因此,需要对有机基板材料在热膨胀系数(CTE)、模量、树脂收缩率、应力控制等方面进行升级。对FCBGA基板使用的大尺寸有机基板材料进行研究,重点研究其关键性能参数,如CTE、模量和树脂收缩率等,进一步探讨了对树脂基体、无机填料和玻璃纤维布等材料的选择以及生产制造过程中的应力控制,并对大尺寸有机基板材料技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 大尺寸有机基板材料 翘曲 应力控制
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鱼眼型高速连接器的材料性能识别与压接特性仿真研究
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作者 侯冰玉 盛依航 +4 位作者 耿秀侠 胡俊 王剑 王世堉 王明智 《电子与封装》 2024年第3期21-28,共8页
获取高速连接器关键部位准确的力学性能参数,是开展连接器插拔过程仿真和压接可靠性优化设计的前提。针对某型号鱼眼型高速连接器关键部位的材料开展纳米压痕实验,获取了顺应针和PCB孔镀层的载荷-位移曲线。结合内点罚函数优化算法,采... 获取高速连接器关键部位准确的力学性能参数,是开展连接器插拔过程仿真和压接可靠性优化设计的前提。针对某型号鱼眼型高速连接器关键部位的材料开展纳米压痕实验,获取了顺应针和PCB孔镀层的载荷-位移曲线。结合内点罚函数优化算法,采用反演求解的方法得到了顺应针和PCB孔镀层的力学性能参数。建立鱼眼型高速连接器插拔过程的有限元模型,将仿真结果与实验结果进行对比,验证了仿真模型的有效性。对顺应针的几何结构进行参数化表征,通过调整顺应针和PCB孔的几何参数,分析几何参数与插拔力的关系,为鱼眼型高速连接器插拔特性的优化以及可靠性分析提供了参考。 展开更多
关键词 鱼眼型高速连接器 纳米压痕 力学性能 仿真模拟 组装技术
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基于响应面-遗传算法的MCM-BGA芯片散热优化设计
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作者 赵忠伟 岑升波 +2 位作者 邵长春 刘织财 王致诚 《装备制造技术》 2024年第3期18-22,共5页
为了解决芯片结温过高而导致的热失效问题,以某通信用的多芯片组件MCM-BGA为例,对MCM-BGA芯片温度场热分布和热量传递路径进行分析,确定了芯片的主要热传递路径,发现影响芯片结温的主要因素有环境对流换热系数、基板厚度、基板导热系数... 为了解决芯片结温过高而导致的热失效问题,以某通信用的多芯片组件MCM-BGA为例,对MCM-BGA芯片温度场热分布和热量传递路径进行分析,确定了芯片的主要热传递路径,发现影响芯片结温的主要因素有环境对流换热系数、基板厚度、基板导热系数、焊料层厚度、封装外壳等;并基于响应面法试验设计,采用CCD(中心复合设计)选取并构建了自然对流系数、基板导热系数、基板厚度、焊料层厚度与多芯片组件的最高结温之间的数学模型,通过仿真验证了该模型的准确性和有效性;然后采用遗传算法对该数学模型进行优化设计,获得了芯片各参数优化的最佳组合。当自然对流换热系数为60 W/m^(2)·k、基板导热系数为320W/m·k、基板厚度为1.4 mm、焊料厚度为0.16 mm时,MCM-BGA最高结温具有最小值,使多芯片组件MCM-BGA最高结温降低了7.375%。 展开更多
关键词 响应面法 遗传算法 多芯片组件(MCM-BGA) 散热优化 数值模拟
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Sn95Sb5焊料与ENIG/ENEPIG镀层焊点界面可靠性研究
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作者 徐达 魏少伟 +2 位作者 申飞 梁志敏 马紫成 《电子与封装》 2024年第3期29-33,共5页
研究了Sn95Sb5焊料在化学镍金(ENIG)镀层、化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层表面形成的焊点界面微观组织形貌与剪切强度。使用Sn95Sb5焊料在FR4印制板上焊接0805片式电容,焊点在高温时效测试和温度循环过程中均表现出较高的剪切强度,焊点界面... 研究了Sn95Sb5焊料在化学镍金(ENIG)镀层、化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层表面形成的焊点界面微观组织形貌与剪切强度。使用Sn95Sb5焊料在FR4印制板上焊接0805片式电容,焊点在高温时效测试和温度循环过程中均表现出较高的剪切强度,焊点界面连续且完整,剪切强度下降的最大幅度不超过19.2%。Sn95Sb5焊料在ENIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENIG焊点)强度更高。Sn95Sb5焊料在ENEPIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENEPIG焊点)界面反应更为复杂,在焊点界面附近可观察到条块状的(Pd,Ni,Au) Sn4。Sn95Sb5/ENEPIG焊点界面的金属间化合物层平均厚度约为Sn95Sb5/ENIG焊点界面的2倍。 展开更多
关键词 Sn95Sb5焊料 化学镍金镀层 化学镍钯浸金镀层 回流焊 封装技术
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高温环境用陶瓷封装外壳研究
12
作者 杨振涛 余希猛 +2 位作者 段强 淦作腾 张志忠 《电子质量》 2024年第4期75-79,共5页
主要对高温电子器件的应用领域和高温封装用陶瓷封装外壳的研究进展进行了介绍,同时对传统陶瓷外壳的高温性能进行了研究。研究结果表明,传统陶瓷外壳的材料及金属化体系在高温环境下会发生显著变化,外壳寄生参数会随着环境温度的升高... 主要对高温电子器件的应用领域和高温封装用陶瓷封装外壳的研究进展进行了介绍,同时对传统陶瓷外壳的高温性能进行了研究。研究结果表明,传统陶瓷外壳的材料及金属化体系在高温环境下会发生显著变化,外壳寄生参数会随着环境温度的升高而增大,长时间的高温环境还会导致外壳金层氧化变色、金层与陶瓷间分层和产生气泡甚至脱落等问题,无法满足高温环境的使用需求。因此,需要开发出一种新的金属化体系和与之相匹配的材料体系,来解决现有陶瓷外壳在高温环境下无法使用的技术问题。 展开更多
关键词 高温电子器件 封装 陶瓷外壳 高温环境
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基于Anand模型的BGA封装热冲击循环分析及焊点疲劳寿命预测
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作者 张惟斌 申坤 +1 位作者 姚颂禹 江启峰 《电子与封装》 2024年第3期45-49,共5页
BGA封装在电子元器件中的互连、信息传输等方面起着重要作用,研究封装元件的可靠性以及内部焊点在高温、高湿、高压等极限条件下的稳定性显得尤为重要。基于Anand模型分析了封装元件在热冲击下的塑性变形和应力分布,同时对不同空间位置... BGA封装在电子元器件中的互连、信息传输等方面起着重要作用,研究封装元件的可靠性以及内部焊点在高温、高湿、高压等极限条件下的稳定性显得尤为重要。基于Anand模型分析了封装元件在热冲击下的塑性变形和应力分布,同时对不同空间位置焊点的最大应力与主要失效位置进行了对比,并运用Darveaux模型计算出焊点最危险单元的裂纹萌生、裂纹扩展速率和疲劳寿命。结果表明,在热冲击极限载荷下,封装元件的温度呈现对称分布,表面温度与内部温度差较大,约为15℃;最大变形为0.038 mm,最大变形位置为外侧镀膜处;最大应力为222.18 MPa,内部其余部分的应力值为20 MPa左右。对于内部焊点,最大应力为19.02 MPa (250 s),应力最大位置在锡球下方边缘,预估其疲劳寿命为6.29天。 展开更多
关键词 BGA封装 Anand模型 焊点 热冲击 疲劳寿命
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金属盖板镀层形貌对平行缝焊器件抗盐雾性能的影响
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作者 马明阳 曹森 +2 位作者 杨振涛 张世平 欧彪 《电子与封装》 2024年第4期30-35,共6页
气密性封装是高可靠集成电路制造的关键技术。探讨了金属盖板表面镀层形貌对平行缝焊器件耐盐雾性能的影响。研究发现,平行缝焊后金属盖板表面出现的贯穿性裂纹是降低平行缝焊器件耐盐雾性能的关键因素。在相同封帽参数下,表面镀层为长... 气密性封装是高可靠集成电路制造的关键技术。探讨了金属盖板表面镀层形貌对平行缝焊器件耐盐雾性能的影响。研究发现,平行缝焊后金属盖板表面出现的贯穿性裂纹是降低平行缝焊器件耐盐雾性能的关键因素。在相同封帽参数下,表面镀层为长条形晶胞的盖板封帽后出现多条贯穿性裂纹,无法通过24 h盐雾试验后气密性检测。而表面镀层为均匀大小的圆形晶胞的盖板具备更高的抗封帽裂纹能力,封帽后无贯穿性裂纹出现,且可通过48 h盐雾试验后气密性检测。 展开更多
关键词 封装 平行缝焊 金属盖板 镀层形貌 盐雾试验 气密性检测
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纳米银无压封装互连技术
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作者 吴成金 谭沿松 高丽兰 《天津理工大学学报》 2024年第2期41-48,共8页
纳米银无压烧结技术作为一种新型封装互连技术,凭借烧结银层的优异性能,逐步在第三代半导体器件的封装互连领域应用和推广。目前,无压烧结银技术只适用于芯片级别小面积互连领域,在基板级别大面积互连领域存在若干瓶颈,有待深入研究。... 纳米银无压烧结技术作为一种新型封装互连技术,凭借烧结银层的优异性能,逐步在第三代半导体器件的封装互连领域应用和推广。目前,无压烧结银技术只适用于芯片级别小面积互连领域,在基板级别大面积互连领域存在若干瓶颈,有待深入研究。文章详细介绍了现有的小面积无压烧结纳米银互连工艺以及可靠性,在此基础上,针对大面积无压烧结银工艺所面临的瓶颈,引入一种双层印刷焊膏(双印法)的低温无压烧结工艺。采用超声扫描成像技术对烧结质量进行表征,获得双印法中使用的两层银焊膏的成分优化配比并对其烧结机理进行分析,为纳米银基板级大面积无压烧结互连提供一种可行方案。最后,展望了基板级别大面积无压烧结银工艺的发展趋势和应用前景。 展开更多
关键词 电子封装 纳米银 无压烧结 芯片级别 基板级别
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基于ENEPIG镀层的无压纳米银膏烧结失效分析
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作者 徐达 戎子龙 +2 位作者 杨彦锋 魏少伟 马紫成 《电子与封装》 2024年第4期20-24,共5页
总结了在化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层上采用纳米银膏进行无压烧结时出现的失效模式。通过分析烧结镀层的微观形貌及力学性能,确认界面污染、烧结不充分及镀层缺陷是导致烧结失效的主要原因。应特别关注镍原子向镀层表面扩散导致的烧结失... 总结了在化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层上采用纳米银膏进行无压烧结时出现的失效模式。通过分析烧结镀层的微观形貌及力学性能,确认界面污染、烧结不充分及镀层缺陷是导致烧结失效的主要原因。应特别关注镍原子向镀层表面扩散导致的烧结失效风险。为保证烧结质量的稳定性和可靠性,需要充分重视界面的洁净度,对芯片、基板的存储条件和存储寿命实施严格管控,还需要优化烧结曲线,充分考虑溶剂释出所需时间、烧结峰值温度及其停留时间、降温速率等因素。研究结果为纳米银膏的无压烧结研究提供了新的理论参考。 展开更多
关键词 封装可靠性 烧结失效 纳米银膏 化学镍钯浸金镀层
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基于陶瓷基板一体化封装的高可靠性LC滤波器组装工艺研究
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作者 李亚飞 温桎茹 +4 位作者 蒲志勇 张钧翀 张伟 董姝 吴秦 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期42-47,共6页
针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊... 针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊膏,经回流焊接形成润湿良好的焊点,利用微压水柱清洗去除残留的助焊剂。经过调试和涂胶固定绕线电感后采用平行缝焊完成产品封装。对回流焊装配的LC滤波器进行过程检验、温度和机械试验。结果表明,由所研究的组装工艺制成的LC滤波器具有较好的工序直通率,满足高可靠环境应用要求,适合于批量化生产。 展开更多
关键词 陶瓷基板 一体化封装 LC滤波器 回流焊接 可靠性
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SiC功率模块的液冷散热设计与节能分析
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作者 巩飞 郭鸿浩 《中北大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期98-104,共7页
为综合评估SiC功率模块的液冷冷板散热效果,设计了串联、并联与串并联3种冷板流道结构,从器件温升、系统能效、散热性能3个方面共计10项指标评估了冷板性能,基于ICEPAK仿真分析了液冷系统流场与温度场的稳态分布特征,从节能角度给出了... 为综合评估SiC功率模块的液冷冷板散热效果,设计了串联、并联与串并联3种冷板流道结构,从器件温升、系统能效、散热性能3个方面共计10项指标评估了冷板性能,基于ICEPAK仿真分析了液冷系统流场与温度场的稳态分布特征,从节能角度给出了液冷散热方案的工程应用选择与优化建议。研究结果表明,冷板内部串联流道设计的温升与散热性能指标更优,但其能效表现系数仅为并联设计的1/5,散热表现的提升以增加冷板内部压力损失为代价,降低了其能效表现;3种流道设计下,冷却液流量由8.2 L/min提高至24.6 L/min,冷板的能效表现系数分别由1 275,6 407,1 425下降至53.2,258.3,60.6,故提高冷却液流量并非改善散热的首选。实际工程应用中,在器件的温升允许范围内,应优先选择冷板内部的并联流道设计与多冷板间并联的散热方案,以提高散热系统的节能性。 展开更多
关键词 功率模块 热设计 冷板 液冷 节能
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一种防硫化TOP框架的研究
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作者 杜元宝 王国君 +1 位作者 张耀华 张日光 《照明工程学报》 2024年第2期82-85,共4页
目前,LED照明市场SMD LED光源使用框架主要包括2835、3014、5730等。这些框架表面镀高反射镀层是银。银是一种很活泼的金属,很容易发生氧化和硫化,导致LED光源内部发黑,甚至死灯。LED光源封装所用硅胶都采用高折率(n=1.5)的硅胶,高折射... 目前,LED照明市场SMD LED光源使用框架主要包括2835、3014、5730等。这些框架表面镀高反射镀层是银。银是一种很活泼的金属,很容易发生氧化和硫化,导致LED光源内部发黑,甚至死灯。LED光源封装所用硅胶都采用高折率(n=1.5)的硅胶,高折射率(n=1.5)封装硅胶气密性好,可有效隔绝空气中的O、S元素对框架表面银层攻击,但仍具有一定局限性,当空气中O、S元素元素很丰富时,长时间仍会渗入框架内部,引发硫化、氧化问题,进而导致器件失效。新防硫化框架在银层上又增加一层TiO_(2)和AL_(2)O_(3)组合防硫化镀层设计,实验结果表明,TiO_(2)和AL_(2)O_(3)组合的防硫化镀层可提高表面反射率,阻隔空气中O、S元素进入框架内部与银发生化学反应,提升贴片LED光源的可靠性。 展开更多
关键词 LED 硫化 高折率 低折率
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一种基于热阻矩阵的2.5D封装芯片结温预测模型
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作者 刘加豪 古莉娜 +2 位作者 陈方舟 郭小童 赵昊 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第1期63-67,共5页
随着2.5D封装芯片的封装尺寸不断减小和功率密度持续增加,芯片内部温度急剧上升。为了满足芯片散热和可靠性需求,准确预测服役过程中芯片的结温具有重要的意义。在充分考虑热耦合效应后,从2.5D封装芯片的热阻网络拓扑结构出发,提出了一... 随着2.5D封装芯片的封装尺寸不断减小和功率密度持续增加,芯片内部温度急剧上升。为了满足芯片散热和可靠性需求,准确预测服役过程中芯片的结温具有重要的意义。在充分考虑热耦合效应后,从2.5D封装芯片的热阻网络拓扑结构出发,提出了一种基于热阻矩阵的2.5D封装芯片结温预测模型。同时,采用FloTHERM热仿真软件对该预测模型进行了验证。结果表明,在对2.5D封装芯片施加不同功率后,该模型的计算结果和FloTHERM仿真结果相对误差小于5%。由此说明,该模型能够高效准确地预测2.5D封装芯片的结温。 展开更多
关键词 2.5D封装 热阻矩阵 热耦合效应 结温预测 有限元分析
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