压控变容二极管电容特性的解析表达式 被引量：4

1

作者 王建成 明杨 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第1期96-99,共4页

利用场论说推导出非线性电容特性的普遍公式 ,并根据生产厂家给出的实验特性曲线 ,用Matlab程序进行曲线拟合 .得出 MMVL10 5 GT1变容二极管的非线性电容作为电压的函数解析式 。

关键词 压控变容二极管 电容特性 解析表达式 网络场论说 非线性电容 曲线拟合 MMVL105GT1变容二极管

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超突变结构变容二极管雪崩击穿电压的研究 被引量：5

2

作者 朱长纯 钱伟 谢永桂 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期17-24,共8页

在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上,对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算,得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表.本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺,从... 在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上,对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算,得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表.本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺,从而获得了优于Kannma和Soukup的掺杂分布模型和计算结果. 展开更多

关键词 变容二极管 击穿电压 数值计算

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一种新的超突变结电容电压方程 被引量：3

3

作者 吴春瑜 朱长纯 张九惠 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期99-101,共3页

本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。

关键词 变容二极管 超突变结

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超突变结变容管C－V曲线拐点存在条件的研究 被引量：1

4

作者 朱长纯 吴春瑜 张九惠 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期22-25,33,共5页

根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释．

关键词 变容二极管 拐点 电容-电压曲线 超突变结构

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超突变结变容管容压变化指数的研究 被引量：1

5

作者 吴春瑜 朱长纯 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1996年第2期11-12,56,共3页

应用改进的超突变结变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参数值为特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。

关键词 容压变化指数 变容二极管 工艺参数

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(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管

6

作者 韦文生 王天民 +2 位作者 张春熹 李国华 卢励吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期745-750,共6页

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于... 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. 展开更多

关键词 (p)nc-Si H薄膜 (p)nc Si H/(n)c SI异质结 变容二极管

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Ka波段宽带变容管电调振荡器研究

7

作者 樊勇 吴正德 +1 位作者 唐小宏 张永鸿 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期101-102,共2页

本文分析并建立了串联型宽带变容管电调振荡器的电路模型，在Ｋａ波段上完成了电路设计，获得了１３３％的相对电调带宽，带内最小功率４０ｍＷ，最大功率达９０ｍＷ；最大电调带宽达到４６ＧＨｚ．

关键词 耿氏二极管 电调振荡器 KA波段 宽带变容管

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基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计

8

作者 杨勇 郝达兵 +1 位作者 王玉林 李智群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期553-556,共4页

根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情... 根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率。采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用。 展开更多

关键词 计算机辅助设计技术 超突变结变容二极管 离子注入 注入-扩散法 工艺重复性

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基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法

9

作者 安大伟 于伟华 吕昕 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1180-1184,共5页

本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初... 本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初始二极管S参数曲线和TRL测试参数确定芯片电路模型中各集总参数元件数值.二极管对在片各项测试结果和基于改进的电路模型仿真结果相吻合.该二极管对电路模型建模方法可应用于毫米波亚毫米波混频倍频电路的准确分析与设计. 展开更多

关键词 GaAs变容二极管 芯片电路模型 不连续性 毫米波

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变容二级管与温度补偿电路 被引量：1

10

作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2004年第4期14-17,共4页

介绍变容二极管的电特性和温度特性。讨论变容二极管在调频电路中的应用。为了提高调频电路和晶体振荡器的频率稳定度,采用温度补偿电路是一种极其有效的方法。

关键词 变容二极管 调频电路 温度补偿晶体振荡器 温度补偿电路

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变容二极管频率变换作用的数学分析

11

作者 毕无敌 宋其华 孟祥增 《山东工业大学学报》 CAS 1994年第4期326-329,共4页

变容二极管是一种非线性器件．给出其结电容随外电压变化规律的数学式，并在此基础上用幂级数分析了在小信号电压源和小信号电流源两种激励方式下变容二极管的伏库特性．从数学上证明了变容二极管非线性电容特性的频率变换作用及其在线... 变容二极管是一种非线性器件．给出其结电容随外电压变化规律的数学式，并在此基础上用幂级数分析了在小信号电压源和小信号电流源两种激励方式下变容二极管的伏库特性．从数学上证明了变容二极管非线性电容特性的频率变换作用及其在线性电路与参变电容电路间的内在联系． 展开更多

关键词 变容二极管 电容 电压 电路分析 幂级数

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压控电抗元件的SPICE仿真

12

作者 高燕梅 付文秀 《吉林大学学报（信息科学版）》 CAS 2002年第4期5-8,共4页

基于对应用 SPICE程序模拟压控电抗元件方法的讨论 ,针对 SPICE程序没有提供压控电抗元件库模型的问题 ,给出了用数据表格形式和多项式描述非线性压控电容的方法 ;研究了变容二极管的工作特性 ,提出了建立变容二极管 SPICE宏模型的可行... 基于对应用 SPICE程序模拟压控电抗元件方法的讨论 ,针对 SPICE程序没有提供压控电抗元件库模型的问题 ,给出了用数据表格形式和多项式描述非线性压控电容的方法 ;研究了变容二极管的工作特性 ,提出了建立变容二极管 SPICE宏模型的可行方法。将变容二极管的模型插入压控振荡器电路中 ,可以对压控振荡器进行较精确的分析。设计方法简便易懂 ,在压控振荡电路的设计与仿真中有良好的应用价值。 展开更多

关键词 压控电抗元件 SPICE仿真 变容二极管 压控振荡器 子电路 受控源 SPICE程序 电路仿真

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变容二极管背靠背拓扑结构的性能分析

13

作者 刘明鑫 房梦旭 +1 位作者 唐斌 冯文英 《电子科技》 2016年第3期137-139,144,共4页

针对变容二极管在实际应用电路中,由于非线性所造成的寄生调制、频率抖动、频率失真、AM to PM噪声引入等问题,文中采用变容二极管背靠背拓扑结构(BBS),通过改善压控线性度来降低电路RF调制、频率抖动、相位噪声等影响,既能抑制非线性... 针对变容二极管在实际应用电路中,由于非线性所造成的寄生调制、频率抖动、频率失真、AM to PM噪声引入等问题,文中采用变容二极管背靠背拓扑结构(BBS),通过改善压控线性度来降低电路RF调制、频率抖动、相位噪声等影响,既能抑制非线性导致的寄生调制现象,又简化了调节电压。为目前广泛应用变容管作为电调元件的电路提供了参考。 展开更多

关键词 变容二极管 背靠背拓扑 VCO 电调滤波器 调频电路

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超突变结变容管的模型研究

14

作者 朱长纯 钱伟 朱仁跃 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第12期43-48,F003,共7页

在改进的超突变结变容管掺杂分布模型的基础上,对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究,并用二分法得到了通常实用范围的V_b,N_o数据表:同时用牛顿迭代法进行了数值求解,得出了归一化的C-V和W-V数据表.

关键词 变容二极管 模型 超突变结

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变容二极管在 TCXO 中引起的频率波动

15

作者 周雪芬 《计量学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期231-233,共3页

变容二极管在ＴＣＸＯ中引起的频率波动ＴｈｅＧｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆＦｒｅｑｕｅｎｃｙＦｌｕｃｔｕａｔｉｏｎｂｙＶａｒａｃｔｏｒＤｉｏｄｅｉｎＴＣＸＯ周雪芬（中国计量科学研究院，北京１０００１３）本文于１９９７－０９... 变容二极管在ＴＣＸＯ中引起的频率波动ＴｈｅＧｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆＦｒｅｑｕｅｎｃｙＦｌｕｃｔｕａｔｉｏｎｂｙＶａｒａｃｔｏｒＤｉｏｄｅｉｎＴＣＸＯ周雪芬（中国计量科学研究院，北京１０００１３）本文于１９９７－０９－２４收到，１９９８－０２－０９修... 展开更多

关键词 石英晶体振荡器 变容二极管 TCXO 频率波动

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变容二极管的新发展及其应用

16

作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2005年第5期41-43,共3页

评述当前变容二极管的新动态,如大电容比、双离子注入、嵌入到调谐器中、多管芯化、超小型化、低电压化和应用多样化等。

关键词 变容二极管 超突变结 电调谐器 综述

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扫描信号发生器的设计与实现

17

作者 李耀武 《包头职业技术学院学报》 2004年第2期13-15,共3页

扫描信号发生器用于产生电压随时间线性变化的扫描信号,它在许多系统中起到至关重要的作用,本文设计了一种基于微机的扫描信号发生器的实现方法,给出了电路的硬件框图、电路的工作原理及函数发生器的数学模型,实验证明电路设计合理,输... 扫描信号发生器用于产生电压随时间线性变化的扫描信号,它在许多系统中起到至关重要的作用,本文设计了一种基于微机的扫描信号发生器的实现方法,给出了电路的硬件框图、电路的工作原理及函数发生器的数学模型,实验证明电路设计合理,输出的扫描信号实时、准确、有效。 展开更多

关键词 变容二极管 扫描信号 函数发生器

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超突变结变容管的设计模型 被引量：1

18

作者 钱刚 郝达兵 顾卿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1158-1161,共4页

通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件... 通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符。研制的变容二极管的主要参数：击穿电压VBR为50~55 V;电容变化比（C-4V/C-8V）为2.42~2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150~180,实测参数与模拟结果吻合得很好。设计模型和模拟软件得到了验证。 展开更多

关键词 超突变结 外延-扩散法 C-V特性 击穿电压 品质因素

原文传递

新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数 被引量：1

19

作者 吴春瑜 朱长纯 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期127-138,128,共13页

在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。

关键词 变容管 超突变结 容压变化指数 变容二极管

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常γ砷化镓电调变容二极管设计与实验研究 被引量：1

20

作者 潘乃琦 胡荣中 林叶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期314-320,共7页

电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布函数,导出了C—V计算公式,并给出器件设计方法。采用平面扩散... 电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布函数,导出了C—V计算公式,并给出器件设计方法。采用平面扩散管芯结构,制得了γ=1和1.25的GaAs电调变容二极管,在2～18GHz宽带线性压控振荡器中获得了满意的使用结果。 展开更多

关键词 砷化镓 变容二极管 设计

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