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应力调控下基于Skyrmion的晶体管特性
1
作者 陆文魁 贾帅璠 +1 位作者 陈琳 陶志阔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期800-805,共6页
研究了不同应力、磁各向异性常数对电流驱动Skyrmion的动力学特性影响。随着施加应力增大,能够产生稳定Skyrmion的各向异性常数取值范围的上下限增大,即外加应力影响电流驱动时Skyrmion运行的稳定性。设计了一种宽-窄-宽型Skyrmion基晶... 研究了不同应力、磁各向异性常数对电流驱动Skyrmion的动力学特性影响。随着施加应力增大,能够产生稳定Skyrmion的各向异性常数取值范围的上下限增大,即外加应力影响电流驱动时Skyrmion运行的稳定性。设计了一种宽-窄-宽型Skyrmion基晶体管,通过调控应力和各向异性常数来调控晶体管的开关特性。仿真结果表明,当极化电流密度、各向异性常数变化时,晶体管导通状态对应的应力范围也随之变化。研究结果为设计Skyrmion基晶体管及相关逻辑功能器件提供了新思路。 展开更多
关键词 SKYRMION 电流驱动 应力调控 自旋电子学 晶体管
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)充电器的原理及分析
2
作者 陆地 秦祖荫 《长安大学学报（建筑与环境科学版）》 CAS 2003年第3期66-69,共4页
介绍了 IGBT的发展状况以及采用 IGBT为逆变器主元件所组成的充电器 ,并对电路的组成和基本工作原理进行了详细的理论分析 ,且进行了相应的仿真和实验验证 .给出了实验用样机和系统的实验曲线 .该装置具有体积小、重量轻、工作频率高等... 介绍了 IGBT的发展状况以及采用 IGBT为逆变器主元件所组成的充电器 ,并对电路的组成和基本工作原理进行了详细的理论分析 ,且进行了相应的仿真和实验验证 .给出了实验用样机和系统的实验曲线 .该装置具有体积小、重量轻、工作频率高等显著的特点 .实验表明 ,该系统具有良好的输出响应特性 ,并且提高了充电器的效率 .实验结果进一步验证了理论分析和系统方案的正确性 . 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 充电器 逆变 静电敏感器件 电路结构
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用p埋层CMOS工艺制造横向磁敏晶体管
3
作者 邵传芬 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第4期66-69,共4页
本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数载流子受到双重偏转作用,消除了横向无功电流。在CMOS工艺的基... 本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数载流子受到双重偏转作用,消除了横向无功电流。在CMOS工艺的基础上加了P埋层,消除了纵向无功电流。器件对磁场有良好的线性响应。 展开更多
关键词 LMT 线性响应 磁敏晶体管 CMOS工艺
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抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究
4
作者 周正利 沈启舜 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期24-27,共4页
介绍了一种新型的用ＣＭＯＳ标准工艺制作的具有抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管．理论分析及实验测量结果表明。
关键词 抑制侧壁注入 磁敏晶体管 CMOS工艺
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怎样选用元器件讲座(十八)——磁敏三极管
5
作者 任致程 《家庭电子》 1998年第6期54-55,共2页
磁敏三极管,是在磁敏二极管的基础上设计的一种磁电转换器件。由于采用的是硅材料,因而其稳定性比较高,温漂系数比较小。磁敏三极管属双极型晶体管结构,它具有正、反向磁灵敏度极性和有确定的磁敏感面。典型的磁敏三极管有3CCM。图1(a)... 磁敏三极管,是在磁敏二极管的基础上设计的一种磁电转换器件。由于采用的是硅材料,因而其稳定性比较高,温漂系数比较小。磁敏三极管属双极型晶体管结构,它具有正、反向磁灵敏度极性和有确定的磁敏感面。典型的磁敏三极管有3CCM。图1(a)是3CCM的正视图,图1(b)是侧视图。 展开更多
关键词 磁敏三极管 双极型 晶体管 磁电转换器件
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IGBT RBSOA失效分析及改善方案
6
作者 高东岳 孙军 蔡南雄 《中国集成电路》 2013年第5期77-80,共4页
一种绝缘栅双极晶体管模块在做反向偏置安全工作区测试时,器件在较低的关断电流下就发生了损坏。失效分析显示失效区的位置靠近栅极条区。模拟显示失效区处元胞结构并非对称,而正常元胞结构是对称的,由此造成了该处元胞的闩锁电流密度... 一种绝缘栅双极晶体管模块在做反向偏置安全工作区测试时,器件在较低的关断电流下就发生了损坏。失效分析显示失效区的位置靠近栅极条区。模拟显示失效区处元胞结构并非对称,而正常元胞结构是对称的,由此造成了该处元胞的闩锁电流密度比对称结构元胞的闩锁电流密度低。因此,元胞结构的一致性不好是RBSOA关断电流低的原因。通过修改版图设计,使工作区元胞结构一致。对改版后的芯片封装后进行RBSOA测试,结果显示安全关断电流有明显提高。 展开更多
关键词 RBSOA测试 闩锁电流密度 元胞结构的一致性
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1WKu波段GaAs MESFET
7
作者 罗海云 张俊杰 《半导体情报》 1990年第2期12-17,共6页
采用新型通孔结构制作的微波功率GaAs FET,在12GHz,输出功率达1.2W,相应功率增益为6.6dB。在15GHz输出功率为1.1W,相应增益为5.5dB,漏极效率大于30％。
关键词 GAAS MESFET KU波段
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半导体三维磁敏管及其线性度分析
8
作者 刘亿 赖宗声 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期18-18,17,共2页
一般情况下,磁场与敏感器很难严格垂直或平行,这就要求敏感器对磁场的三个分量都敏感.此时,只要磁矢的绝对值达到某一定值,敏感器就会有一信号输出.为此,本文设计了一种3-D(三维)磁敏晶体管,空间分辩率为10×15×80μm^3,其结... 一般情况下,磁场与敏感器很难严格垂直或平行,这就要求敏感器对磁场的三个分量都敏感.此时,只要磁矢的绝对值达到某一定值,敏感器就会有一信号输出.为此,本文设计了一种3-D(三维)磁敏晶体管,空间分辩率为10×15×80μm^3,其结构见图1. 展开更多
关键词 半导体 三维 磁敏管 线性 分析
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磁敏晶体管射极跟随电路介绍
9
作者 于新 《家电检修技术》 2009年第9期46-46,共1页
由于磁敏晶体管的β值小于1，而且输出阻抗比较高，所以在实际应用时，首先考虑的问题就是采用什么样的电路，以便使磁敏晶体管产生的信号得以放大。
关键词 磁敏晶体管 电路介绍 阻抗比 信号
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