电力半导体模块及其工艺技术 被引量：2

1

作者 吴济钧 吴莉莉 《半导体情报》 2001年第1期23-27,共5页

回顾了电力半导体模块发展里程 ,指出了电力半导体模块今后发展的方向 ,描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了 IGBT模块的结构和工艺技术 ,提出了设计 IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。

关键词 电力半导体模块 智能晶闸管模块 IGBT模块

下载PDF 职称材料

制造高压整流管的新工艺

2

作者 裴素华 薛成山 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期32-34,共3页

利用开管扩散方式，将元素Ｇａ分为低浓度、高浓度两段掺杂，在Ｎ型Ｓｉ的衬底上形成Ｐ区和Ｐ＾＋区用于整流管芯片的制作，能较好地协调元件阻断特性与通态特性的矛盾。

关键词 开管 分段掺杂 整流管 制造工艺 晶闸管

下载PDF 职称材料

晶闸管挖槽法制造工艺

3

作者 陈福元 吴忠龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期9-11,共3页

介绍一种挖槽法制造晶闸管新工艺,它具有简化制作工序、提高器件芯片成品率的特点,适合批量生产.

关键词 晶闸管 挖槽 制造 工艺

下载PDF 职称材料

硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管

4

作者 陈福元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期50-51,共2页

本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。

关键词 硅片粘合 杂质扩散 晶闸管

下载PDF 职称材料

一种制造快速晶闸管的P型双质掺杂技术

5

作者 刘秀喜 薛成山 +3 位作者 孙瑛 王显明 陈刚 赵玉仁 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第4期35-39,共5页

阐述了受主杂质在Ｓｉ中的扩散行为，快速晶闸管制造中的Ｐ型区掺杂工艺设计原理、掺杂方法和杂质浓度分布，并给出了该项技术在工艺生产线上应用结果．通过实验和应用表明，该项技术具有先进性和可行性。

关键词 晶闸管 扩散行为 P型双质掺杂 掺杂

下载PDF 职称材料

一种开管铝镓扩散工艺的研究

6

作者 刘秀喜 薛成山 +1 位作者 林玉松 李玉国 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期403-408,共6页

就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺... 就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺杂工艺。 展开更多

关键词 晶闸管 受主杂质 掺杂机制 扩散

下载PDF 职称材料

发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造

7

作者 何德湛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期33-37,共5页

介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计、制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信、引信（引爆）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。

关键词 激光脉冲 闸流管 高速pnpn闸流管 设计 制造工艺

下载PDF 职称材料

开管铝镓扩散的掺杂机制

8

作者 刘秀喜 薛成山 +2 位作者 孙瑛 王显明 赵富贤 《半导体杂志》 1996年第3期30-34,共5页

针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术。

关键词 工艺方法 镓铝双质扩散 掺杂机制 晶闸管

下载PDF 职称材料

镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施

9

作者 刘秀喜 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第2期149-152,共4页

针对铝乳胶源涂布与气相Ｇａ杂质相结合的受主双质掺杂技术，分析了产生表面层缺陷的原因。

关键词 受主双质掺杂 表面层缺陷 位错 晶闸管 镓铝扩散

下载PDF 职称材料

Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性

10

作者 裴素华 赵善麒 +2 位作者 薛成山 江玉清 孟繁英 《半导体杂志》 1998年第4期30-33,44,共5页

利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布... 利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是制造快速晶闸管的一条新途径。 展开更多

关键词 阶梯分布 耐压特性 晶闸管 掺杂

下载PDF 职称材料

电子清洗剂在KP500A晶闸管制造中的应用 被引量：1

11

作者 刘荡波 王恩虎 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1992年第4期50-52,共3页

关键词 晶闸管 制造 改进 电子清洗剂

下载PDF 职称材料

腐蚀挖槽和P、N型杂质一步掺杂制造晶闸管

12

作者 陈福元 金文新 吴忠龙 《微细加工技术》 EI 1993年第4期63-66,共4页

本文介绍了腐蚀挖槽和硅中P、N型杂质一步扩散掺杂的晶闸管制造工艺,应用该技术提高了产品的性能/价格比。

关键词 晶闸管 掺杂 杂质 腐蚀挖槽 制造

下载PDF 职称材料

新型KP50A螺栓型晶闸管氧化光刻版设计

13

作者 赵异波 《株洲工学院学报》 1999年第1期51-54,共4页

设计了一种用于AA50A螺栓型晶闸管制造过程中的新型光刻版图。通过分析计算得到各有关结构参数及特性参数。经比较证明，本设计结构新颖，操作方便，对提高材料利用率及产品成品率，对降低工人劳动强度和提高工作效率，具有重大意义。

关键词 晶闸管 光刻版 设计 门极 阴极 螺栓型 氧化

下载PDF 职称材料

高温晶闸管的研究 被引量：1

14

作者 李曼 汲有光 《阜新矿业学院学报》 1989年第3期88-91,共4页

本文探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,提高SCR最高工作结温,并使之尽量达到理论值的方法.

关键词 晶闸管 半导体 高温晶闸管

下载PDF 职称材料

阳极短路GTO制造工艺的研究

15

作者 聂代祚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期33-34,共2页

阳极短路型门极可关断（ＧＴＯ）晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明，短路区的制作可以用先选择性扩散Ｎ＋层，然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制，以调节短路电阻，从而获得电特性的优化。

关键词 GTO 短路区 选择扩散 晶闸管 制造工艺

下载PDF 职称材料

方片晶闸管管芯的设计及其制造

16

作者 王正鸣 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1992年第2期45-47,34,共4页

关键词 晶闸管 方片管芯 设计 制造

下载PDF 职称材料

p,n型一掺杂的挖槽门极晶闸管制造法

17

作者 陈福元 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1993年第4期50-52,共3页

提出采用ｐ，ｎ型杂质两面分别涂层一步扩散及挖槽门极的晶闸管制造工艺，有效地控制了门极解发特性参数，降低了器件通态电压，简化了工序，提高了新产品性能价值比。

关键词 晶闸管 挖槽门极 制造

下载PDF 职称材料

KGDS—1可控硅电镀电源的波形与电镀件质量的探讨

18

作者 彭建国 《西仪科技》 1994年第1期13-15,共3页

关键词 可控硅 电镀 电源 波形 电镀件

下载PDF 职称材料

大滚圈滚道的晶闸管中频淬火工艺

19

作者 胡永毅 《机械工人（热加工）》 1991年第10期38-41,共4页

近年来,在我国发展起来的晶闸管中频设备,具有频率能在一定的范围内连续可调、噪声小、占地面积小等优点,其应用越来越广泛,但介绍晶闸管中频淬火工艺的资料还比较少见。我厂在QY8液压汽车起重机回转机构的大滚圈上采用了晶闸管中频淬火... 近年来,在我国发展起来的晶闸管中频设备,具有频率能在一定的范围内连续可调、噪声小、占地面积小等优点,其应用越来越广泛,但介绍晶闸管中频淬火工艺的资料还比较少见。我厂在QY8液压汽车起重机回转机构的大滚圈上采用了晶闸管中频淬火,经过反复试验,摸索出了大滚圈的晶闸管中频淬火工艺,收到了良好的效果。 展开更多

关键词 晶闸管 中频 淬火 工艺

下载PDF 职称材料

γ辐照热稳定性的研究

20

作者 万啸云 李明 《西整技术通迅》 1990年第55期67-68,71,共3页

关键词 晶闸管 少子寿命 控制 热稳定

全文增补中