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一种开管铝镓扩散工艺的研究
1
作者 刘秀喜 薛成山 +1 位作者 林玉松 李玉国 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期403-408,共6页
就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺... 就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺杂工艺。 展开更多
关键词 晶闸管 受主杂质 掺杂机制 扩散
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镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施
2
作者 刘秀喜 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第2期149-152,共4页
针对铝乳胶源涂布与气相Ｇａ杂质相结合的受主双质掺杂技术，分析了产生表面层缺陷的原因。
关键词 受主双质掺杂 表面层缺陷 位错 晶闸管 镓铝扩散
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晶闸管铝镓闭管扩散工艺的计算机模拟
3
作者 赵旭东 陈治明 《陕西机械学院学报》 1990年第2期115-121,143,共7页
为了对晶闸管特性进行计算机模拟,有必要对其P区的杂质浓度分布建立准确而便于计算的模型。文中对形成P区二段式杂质分布的铝镓分步闭管扩散工艺进行了讨论。对较低浓度铝的最终分布着重考虑它在扩镓过程中的再分布,而对高浓度镓的最终... 为了对晶闸管特性进行计算机模拟,有必要对其P区的杂质浓度分布建立准确而便于计算的模型。文中对形成P区二段式杂质分布的铝镓分步闭管扩散工艺进行了讨论。对较低浓度铝的最终分布着重考虑它在扩镓过程中的再分布,而对高浓度镓的最终分布则着重考虑扩散系数的变化。与实验样品的扩展电阻探针测试数据进行比较后表明,本工作所用模型与实验结果有较好的吻合,适宜于在实际工艺过程中使用。 展开更多
关键词 晶闸管 闭管 扩散工艺 计算机模拟
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螺栓型晶闸管的双扩散工艺
4
作者 何德轩 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1989年第3期57-58,42,共3页
关键词 螺栓型 晶闸管 双扩散工艺
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“全扩散-镀镍”工艺生产晶闸管管芯
5
作者 程德明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期15-17,共3页
“全扩散-镀镍”工艺具有节省黄金、技术与经济性较好的优点,国内已多用于功率整流二极管管芯的生产中.本文介绍了采用该工艺生产晶闸管管芯的工艺设计、技术情况.成果已获安徽省1987年优秀科技咨询项目二等奖.
关键词 晶闸管 管芯 全扩散 镀镍
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