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基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
1
作者 田苗 刘民 +3 位作者 林子涵 付学成 程秀兰 吴林晟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期316-322,共7页
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。... 以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 锥形 种子层 电镀填充 薄膜沉积
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焦耳热对Cu/Ga-21.5In-10Sn/Cu液-固电极界面微观结构的影响
2
作者 董冲 郭世浩 +3 位作者 马海涛 高朝卿 王云鹏 赵宁 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期863-869,共7页
室温Ga基液态金属兼具金属的导电性和液体的流动性,是柔性电子器件的首选材料。在电子产品微型化趋势下,Ga基液态金属导体面临着更大的电流密度、更高的焦耳热效应等问题,严重影响着液-固电极界面的微观结构及结构稳定性。利用实验数据... 室温Ga基液态金属兼具金属的导电性和液体的流动性,是柔性电子器件的首选材料。在电子产品微型化趋势下,Ga基液态金属导体面临着更大的电流密度、更高的焦耳热效应等问题,严重影响着液-固电极界面的微观结构及结构稳定性。利用实验数据与数值模拟相结合的方法,通过改变通电过程中的换热介质研究了焦耳热对Cu/Ga-21.5In-10Sn/Cu液-固电极界面微观结构演化的影响。结果表明,在400 A/cm^(2)的电流密度下通电24 h后,Cu/Ga-21.5In-10Sn/Cu界面会生成CuGa2,阴极和阳极界面生成的CuGa2层厚度没有显著差异,并且在阴极Cu电极表面出现明显的溶蚀坑,表现出极性效应,而且通电过程中产生的焦耳热会导致阴极Cu电极表面溶蚀坑的快速生成。 展开更多
关键词 柔性电子 Ga-21.5In-10Sn 焦耳热 界面反应 金属间化合物(IMC)
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含亚氨基抑制剂分子对钴电沉积的影响
3
作者 贺宇 吴挺俊 +3 位作者 朱雷 李鑫 李卫民 俞文杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期911-918,共8页
金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸... 金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸钴-硼酸体系中,研究了不同电流密度对电沉积得到的钴薄膜形貌、晶体结构、电阻率等的影响。并且分析了含亚氨基抑制剂分子苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并咪唑(MBI)对钴电化学反应的抑制作用,探究其对钴薄膜形貌、晶粒尺寸和电阻率的影响。结果表明,无抑制剂时,钴晶粒以Co(002)为主;BZI的抑制能力强于MBI;由于BZI的抑制能力过强,无法沉积完整的钴薄膜;抑制剂MBI的加入会增强钴薄膜晶体的(101)晶面的取向。 展开更多
关键词 钴 电沉积 晶体结构 电阻率 抑制剂 苯并咪唑(BZI) 2-巯基苯并咪唑(MBI)
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堆叠封装中不同直径铅锡焊球的剪切性能
4
作者 郭凯宇 冉红雷 王珺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期157-162,176,共7页
铅锡(63Sn37Pb)焊球由于其优异的热机械性能,目前仍普遍应用于航天等领域。随着高集成度三维(3D)堆叠封装的广泛应用,焊球的剪切性能成为影响封装器件可靠性的关键因素。通过焊球剪切试验以及失效分析,结合焊球剪切试验有限元模拟,研究... 铅锡(63Sn37Pb)焊球由于其优异的热机械性能,目前仍普遍应用于航天等领域。随着高集成度三维(3D)堆叠封装的广泛应用,焊球的剪切性能成为影响封装器件可靠性的关键因素。通过焊球剪切试验以及失效分析,结合焊球剪切试验有限元模拟,研究了单个铅锡焊球的剪切性能,对比分析了焊球的弹塑性模型和Anand粘塑性模型,在仿真分析中考虑了温度对剪切曲线的影响。研究结果表明,焊球剪切强度随焊球直径的增加而减小,随剪切速率的升高和剪切高度的降低而增大;焊球剪切后的失效模式主要表现为焊料断裂;Anand粘塑性模型比弹塑性模型更接近试验结果。该研究结果可为3D堆叠封装中铅锡焊球设计和有限元模型选择提供有益参考。 展开更多
关键词 铅锡焊球 失效分析 剪切试验 有限元分析 弹塑性模型 粘塑性模型
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3D-IC类同轴屏蔽型TSV的热力响应分析及结构优化
5
作者 孙萍 王志敏 +1 位作者 黄秉欢 巩亮 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期818-826,共9页
硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最... 硅通孔(TSV)是解决三维集成电路(3D-IC)互连延迟问题的关键技术之一。TSV内部结构的变形失效,大多是由循环温度载荷产生的交变应力引起的。从信号完整性角度考虑,建立了接地TSV形状分别为圆柱形和椭圆柱形的类同轴屏蔽型TSV模型。基于最大Mises应力准则,对比分析了循环温度载荷对2种类同轴屏蔽型TSV热应力-应变的影响及最大应力点的主要失效形式。最后综合考虑TSV的几何参数对导体和凸块危险点Mises应力的影响,对椭圆柱形类同轴屏蔽型TSV结构进行多目标优化,将2种最优结构中2个危险点的Mises应力分别降低15.10%、17.18%和18.89%、6.74%。为提高TSV热可靠性的优化设计提供参考。 展开更多
关键词 三维集成电路(3D-IC) 热管理 屏蔽型硅通孔(TSV) 有限元仿真 热力响应 多目标优化
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GaAs芯片上倒装Si芯片的金凸点高度与键合工艺参数优化
6
作者 厉志强 柳溪溪 +1 位作者 张震 赵永志 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期527-531,共5页
随着射频集成电路向小型化、高集成方向发展,基于金凸点热超声键合的芯片倒装封装因凸点尺寸小、高频性能优越成为主流技术之一。以GaAs芯片上倒装Si芯片的互连金凸点为研究对象,通过有限元仿真方法,分析了温度和剪切力作用下不同高度... 随着射频集成电路向小型化、高集成方向发展,基于金凸点热超声键合的芯片倒装封装因凸点尺寸小、高频性能优越成为主流技术之一。以GaAs芯片上倒装Si芯片的互连金凸点为研究对象,通过有限元仿真方法,分析了温度和剪切力作用下不同高度金凸点的等效应力,得到金凸点的最优高度值。通过正交试验,研究键合工艺参数(压力、保持时间、超声功率、温度)对金凸点高度和键合强度的影响规律。通过可靠性试验,验证了工艺优化后倒装焊结构的可靠性。结果表明:键合工艺参数对凸点高度的影响排序为压力>超声功率>温度>保持时间,对剪切力的影响排序为压力>超声功率>保持时间>温度。 展开更多
关键词 金凸点 热超声键合 倒装 工艺参数 可靠性
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基于硅基集成工艺的基板堆叠传输结构设计
7
作者 刘慧滢 焦晓亮 +3 位作者 王江 高艳红 岳超 岳琦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期532-537,共6页
随着电子产品向小型化、轻量化方向发展,堆叠基板的垂直互连成为高密度电路集成的关键技术。垂直互连结构会影响跨层传输的信号质量,进而影响电路的射频性能。基于该互连结构的主要传输原理,采用多层硅基板进行堆叠,通过焊球实现上下层... 随着电子产品向小型化、轻量化方向发展,堆叠基板的垂直互连成为高密度电路集成的关键技术。垂直互连结构会影响跨层传输的信号质量,进而影响电路的射频性能。基于该互连结构的主要传输原理,采用多层硅基板进行堆叠,通过焊球实现上下层的信号传输,利用HFSS仿真软件建立垂直互连结构模型,分析了关键结构参数对传输性能的影响。仿真结果表明优化后的垂直互连结构在DC~20 GHz的频段内回波损耗优于15 dB,传输损耗优于0.5 dB,能够实现良好的微波传输性能。 展开更多
关键词 宽频带 垂直传输结构 类同轴结构 模型仿真 硅基板
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先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展
8
作者 张明辉 高丽茵 +2 位作者 刘志权 董伟 赵宁 《电子与封装》 2023年第3期52-62,共11页
在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电... 在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电迁移性能好,其工艺制备尺寸可减小到微米级且无坍塌现象。铜-铜(Cu-Cu)直接互连结构可以实现精密制备以及在高电流密度下服役。对Cu-Cu键合材料的选择、键合工艺的特点及服役可靠性的相关研究进展进行了总结。 展开更多
关键词 Cu-Cu直接键合 先进电子封装 表面处理 键合工艺
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碳纳米材料互连线的单粒子串扰特性研究
9
作者 刘保军 张爽 李成 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1637-1643,共7页
碳纳米材料互连线由于其良好的电学、热学和力学特性,成为研究热点.随着技术节点的缩减,串扰效应对电路的影响愈加显著.本文针对单壁碳纳米管束(Single Walled Carbon Nanotube Bundles,SWCNT)、多壁碳纳米管束(Multi Walled Carbon Nan... 碳纳米材料互连线由于其良好的电学、热学和力学特性,成为研究热点.随着技术节点的缩减,串扰效应对电路的影响愈加显著.本文针对单壁碳纳米管束(Single Walled Carbon Nanotube Bundles,SWCNT)、多壁碳纳米管束(Multi Walled Carbon Nanotube Bundles,MWCNT)、单层石墨烯(Single Layer Graphene Nano-Ribbon,SLGNR)及多层石墨烯(Multi Layer Graphene Nano-Ribbon,MGLNR)的互连线,研究了统一的等效RLC模型,并构建了单粒子串扰(SEC)的等效电路,对比分析了四种互连线在32 nm,21 nm和14 nm技术节点下的SEC峰值电压和脉冲宽度.结果表明,与铜互连线相比,碳纳米材料互连线的SEC较弱,但对传输信号的衰减作用较大,综合信号衰减和耦合作用程度,SWCNT和MLGNR更能有效抑制SEC的传播和影响.最后,本文利用灰色理论,分析了SEC与RLC参数之间的潜在关联性. 展开更多
关键词 碳纳米管 石墨烯 互连线 单粒子串扰
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多芯片模块互连可靠性预测分析
10
作者 赵鹏飞 林倩 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1129-1136,共8页
为了预测多芯片模块(MCM)的互连短路和断路失效,采用ANSYS参数化设计语言(APDL)实现了由2个Si开关芯片和2个GaAs低噪声放大器芯片组成的高集成度双通道MCM的3D自动建模。对不同工作条件下的MCM进行了热传导分析。基于原子通量散度(AFD)... 为了预测多芯片模块(MCM)的互连短路和断路失效,采用ANSYS参数化设计语言(APDL)实现了由2个Si开关芯片和2个GaAs低噪声放大器芯片组成的高集成度双通道MCM的3D自动建模。对不同工作条件下的MCM进行了热传导分析。基于原子通量散度(AFD)原理,采用有限元分析(FEA)法对该MCM在不同工作温度和电压下的互连可靠性进行了分析,得到该MCM在不同工作条件下的AFD分布、温度分布,以及温度、AFD与工作电压的关系曲线。结果表明,芯片和塑封材料的温度随着工作电压的升高而增加,且该MCM的互连可靠性随着温度和工作电压的增加而显著降低。研究结果可为MCM的版图设计提供参考,以保障其互连可靠性。 展开更多
关键词 多芯片模块(MCM) 温度可靠性 电迁移 ANSYS参数化设计语言(APDL) 自动建模 有限元分析(FEA)
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同轴硅通孔热应力诱导界面分层失效研究
11
作者 杨陈 张立文 +2 位作者 杨贺 黄慧霞 曹磊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期73-79,共7页
界面分层失效已成为同轴硅通孔(TSV)应用中重要的热可靠性问题之一。构建有限元分析模型对其热可靠性进行仿真,发现在TSV结构中铜屏蔽环/SiO_(2)界面顶端附近出现明显的热应力集中,可能更易在该界面发生分层失效。为研究结构参数对铜/Si... 界面分层失效已成为同轴硅通孔(TSV)应用中重要的热可靠性问题之一。构建有限元分析模型对其热可靠性进行仿真,发现在TSV结构中铜屏蔽环/SiO_(2)界面顶端附近出现明显的热应力集中,可能更易在该界面发生分层失效。为研究结构参数对铜/SiO_(2)界面分层失效的影响,通过对中心铜导体半径、苯并环丁烯(BCB)厚度、铜屏蔽环厚度、SiO_(2)厚度、硅衬底厚度、TSV高度进行变参分析,计算了该界面分层裂纹尖端能量释放率。结果表明:铜屏蔽环厚度对界面能量释放率影响最大,中心铜导体半径次之,SiO_(2)厚度、硅衬底厚度和TSV高度的影响较小,因此减小铜屏蔽环厚度能够有效提高铜屏蔽环/SiO_(2)界面可靠性。 展开更多
关键词 界面分层 同轴硅通孔(TSV) 有限元分析 热应力 能量释放率
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倒装芯片封装中多层铜互连结构的界面分层
12
作者 黄慧霞 张立文 +3 位作者 杨贺 杨陈 曹磊 李团飞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期255-261,267,共8页
芯片封装过程中,较高的机械热应力易导致多层铜互连结构发生分层甚至断裂失效。运用三级子模型技术建立了倒装芯片10层铜互连结构的有限元分析模型,通过计算不同界面裂纹尖端能量释放率对多层铜互连结构的界面分层展开研究。结果表明:... 芯片封装过程中,较高的机械热应力易导致多层铜互连结构发生分层甚至断裂失效。运用三级子模型技术建立了倒装芯片10层铜互连结构的有限元分析模型,通过计算不同界面裂纹尖端能量释放率对多层铜互连结构的界面分层展开研究。结果表明:第10层Cu/SiN和金属间电介质(IMD)/SiN界面,以及第9层Cu/SiN界面的裂纹尖端能量释放率远大于其他界面,是易发生分层失效的关键界面;总体互连线介电材料的弹性模量和热膨胀系数对关键界面能量释放率都有影响。基于此分析,对总体互连线介电材料的选取进行优化,发现第10层选择弹性模量与热膨胀系数乘积最大的非掺杂硅玻璃(USG),第9层选择弹性模量与热膨胀系数乘积最小的有机硅酸盐玻璃(OSG)时更有利于提高多层铜互连结构界面可靠性。 展开更多
关键词 铜互连结构 子模型技术 界面分层 能量释放率 介电材料
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集成电路中金属互连工艺的研究进展
13
作者 张学峰 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1053-1061,共9页
随着集成电路中器件尺寸不断微缩,RC延时成为制约电路工作频率的主要因素。作为后端制程发展的里程碑之一,引入铜(Cu)和低介电常数(κ)材料作为互连导体和介质材料可以显著降低RC延时。然而,随着工艺技术节点达到5 nm或更低,电阻的尺寸... 随着集成电路中器件尺寸不断微缩,RC延时成为制约电路工作频率的主要因素。作为后端制程发展的里程碑之一,引入铜(Cu)和低介电常数(κ)材料作为互连导体和介质材料可以显著降低RC延时。然而,随着工艺技术节点达到5 nm或更低,电阻的尺寸效应使得Cu互连技术无法满足性能需求。由于低κ材料在工艺集成上的限制,尺寸微缩导致的RC延时主要通过金属化方法来抑制。介绍了金属互连工艺的发展和挑战,综述了为解决上述问题近几年金属互连技术的最新研究进展,包括新工艺和新材料的开发以优化传统的扩散阻挡层/衬垫层,Ru半大马士革工艺以及混合金属互连工艺,展望了后摩尔时代金属互连技术的发展。 展开更多
关键词 铜(Cu)互连 低κ材料 后端工艺(BEOL) 金属化 尺寸微缩
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3D封装及其最新研究进展 被引量：20
14
作者 邓丹 吴丰顺 +3 位作者 周龙早 刘辉 安兵 吴懿平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第7期443-450,共8页
介绍了3D封装的主要形式和分类。将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析。围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等,重点阐述了3D互连... 介绍了3D封装的主要形式和分类。将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析。围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等,重点阐述了3D互连工艺的最新研究成果。结合行业背景和国内外专家学者的研究,指出3D封装主要面临的是散热和工艺兼容性等问题,提出应尽快形成统一的行业标准和系统的评价检测体系,同时指出对穿透硅通孔(TSV)互连工艺的研究是未来研究工作的重点和热点。 展开更多
关键词 3D封装 穿透硅通孔 金属化 散热 嵌入式工艺
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集成电路铜互连线及相关问题的研究 被引量：20
15
作者 宋登元 宗晓萍 +1 位作者 孙荣霞 王永青 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期29-32,共4页
论述了Ｃｕ作为互连金属的优点、面临的主要问题及解决方案，介绍了制备Ｃｕ互连线的双镶嵌工艺及相关工艺问题，讨论了Ｃｕ阻挡层材料的作用及选取原则，对低κ材料的研究的进展情况也进行了简要的介绍。
关键词 集成电路 铜互连线 阻挡层 低K电介质
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非直角互连——布线技术发展的新趋势 被引量：8
16
作者 洪先龙 朱祺 +3 位作者 经彤 王垠 杨旸 蔡懿慈 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期225-233,共9页
由于集成电路制造工艺的不断提高 ,集成电路的设计规模遵循Moore定律持续向前发展 ,并出现了系统级芯片 (SOC)这一新的集成电路设计概念 .同时遇到的困难之一是互连线成为影响电路性能的决定因素 :芯片速度变慢、功耗增大、噪声干扰加... 由于集成电路制造工艺的不断提高 ,集成电路的设计规模遵循Moore定律持续向前发展 ,并出现了系统级芯片 (SOC)这一新的集成电路设计概念 .同时遇到的困难之一是互连线成为影响电路性能的决定因素 :芯片速度变慢、功耗增大、噪声干扰加剧 .若采用以往基于直角互连结构的基础模型进行互连线性能的优化 ,其能力受到限制 .于是 ,人们试图采用其他互连结构作为突破途径 ,以实现高性能的集成电路 .在这种技术需求与目前工艺支持的背景下 ,从 2 0世纪 90年代初出现的关于非直角互连的零散的、试探性的研究 ,将成为国际上布线领域新的热点研究方向 .文中将针对非直角布线方面以往零散的研究工作进行总结与分析 ,指出了目前需要解决的关键技术 ,并结合自己的研究工作基础提出了可行的技术路线与设想 . 展开更多
关键词 布线 λ-几何结构 非直角互连 系统级芯片 集成电路
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系统级封装(SIP)技术及其应用前景 被引量：9
17
作者 韩庆福 成立 +4 位作者 严雪萍 张慧 刘德林 李俊 徐志春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期374-377,386,共5页
随着各种半导体新工艺与新材料水平的不断提高,先进的封装技术正在迅速地发展。本文综述了先进的系统级封装(SIP)技术的概念及其进展情况;并举例说明了它的应用情况,同时指出,SIP是IC产业链中知识、技术和方法相互交融渗透及综合应用的... 随着各种半导体新工艺与新材料水平的不断提高,先进的封装技术正在迅速地发展。本文综述了先进的系统级封装(SIP)技术的概念及其进展情况;并举例说明了它的应用情况,同时指出,SIP是IC产业链中知识、技术和方法相互交融渗透及综合应用的结晶。SIP封装集成能最大程度上优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本和提高集成度,掌握这项新技术是进入主流封装领域之关键,有其广阔的发展前景。 展开更多
关键词 系统级封装 片上系统 技术优势 应用前景
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ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺 被引量：8
18
作者 贾英茜 刘玉岭 +2 位作者 牛新环 刘博 孙鸣 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期397-401,共5页
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分... 介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。 展开更多
关键词 化学机械抛光 多层互连 抛光液 二氧化硅 铜 钨
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超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术 被引量：44
19
作者 王阳元 康晋锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1121-1134,共14页
半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之... 半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之一 .在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上 ,重点介绍和评述了低 k介质和 Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题 ,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等 展开更多
关键词 超深亚微米 集成电路 低K介质 互连集成技术 RF互连 光互连
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集成电路Cu互连线的XRD研究 被引量：6
20
作者 徐赛生 曾磊 +3 位作者 张立锋 顾晓清 张卫 汪礼康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期985-987,共3页
对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现... 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。 展开更多
关键词 铜互连 X射线衍射 织构系数 择优取向 添加剂
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