无束腰的磁浸没透镜系统的理论研究和数值模拟 被引量：2

1

作者 程敏 唐天同 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期326-330,共5页

采用曲轴坐标系统 ,导出了磁浸没透镜的宽束曲光轴理论 ,研究了初始正则角动量矩不为零的无束腰磁透镜系统的电子光学性质 ;数值模拟出了能产生缩倍聚场分布的磁透镜结构 ,并计算了具有解析表达式的缩倍聚场的高斯成像性质 。

关键词 磁浸没透镜 无束腰 曲光轴 芯片 曝光系统

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光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术 被引量：1

2

作者 范建兴 杨华中 汪蕙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期886-891,共6页

提出了在各膜层之间插入虚膜的计算方法 ,导出了相应的光学薄膜传输矩阵 .该方法使得膜与膜之间解耦 ,并便于在计算机上存储和计算薄膜的反射率、透射率以及能流密度 .对抗蚀剂曝光的计算结果表明这种技术是有效的 .

关键词 虚膜插入模拟技术 光学传输矩阵 抗蚀剂曝光 光学薄膜计算 集成电路 曝光技术

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离子束合成法形成的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构 被引量：1

3

作者 吴名枋 赖初喜 +1 位作者 姚淑德 王雪梅 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期340-343,共4页

用离子束合成法先后在Si(100)衬底中形成了连续的SiO_2及CoSi_2埋层,从而形成了复合的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构。卢瑟福背散射、沟道技术及用扫描电镜所作的电子通道花样被用来对这一结构形成的各个阶段进行分析。这一结构可望... 用离子束合成法先后在Si(100)衬底中形成了连续的SiO_2及CoSi_2埋层,从而形成了复合的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构。卢瑟福背散射、沟道技术及用扫描电镜所作的电子通道花样被用来对这一结构形成的各个阶段进行分析。这一结构可望用于今后新型的微电子器件、光电器件及三维集成电路等。 展开更多

关键词 沟道技术 离子注入 化合物埋层

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宽束考夫曼离子源的原理及其使用 被引量：4

4

作者 尤大纬 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 1993年第1期55-61,共7页

宽束考夫曼离子源被广泛地应用于薄膜工艺刻蚀、镀膜、注入诸领域。近20年来考夫曼离子源在我国得到了迅速的发展。至此已有必要提出正确的使用方法。以纠正一些错误的用法。本文给出一些基本概念以利于如何正确选择工作参数以及维修。

关键词 薄膜工艺 离子源 离子束工艺

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自吸式气体支承静特性的研究 被引量：2

5

作者 潘晋 徐丰仁 沈钊 《电子工业专用设备》 1990年第2期31-34,39,共5页

绪 言 气体静压支承采用 粘度较小的气体作为润 滑剂,具有以下几方面 的特点:(1)摩擦阻 力小,运动速度快; (2)运转平滑、精度高, 低速运动无爬行;(3)耐高、低温性能好,适应环境能力强;(4)正常工作时,磨损小、寿命长;(5)清洁度高。且气... 绪 言 气体静压支承采用 粘度较小的气体作为润 滑剂,具有以下几方面 的特点:(1)摩擦阻 力小,运动速度快; (2)运转平滑、精度高, 低速运动无爬行;(3)耐高、低温性能好,适应环境能力强;(4)正常工作时,磨损小、寿命长;(5)清洁度高。且气体可由支承排入大气。 展开更多

关键词 电子束曝光机 气体支承 自吸式

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聚焦离子束扫描显像技术 被引量：1

6

作者 彭志坚 张彬庭 《电子工业专用设备》 2009年第7期36-37,45,共3页

聚焦离子束(FIB)是一种将微分析和微加工相结合的新技术,广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子离子成像。扫描显像技术是FIB的重要功能,主要用于器件精密加工中,校正束与工件的坐标位置,修正像的畸变。还可以在显示器上观察加... 聚焦离子束(FIB)是一种将微分析和微加工相结合的新技术,广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子离子成像。扫描显像技术是FIB的重要功能,主要用于器件精密加工中,校正束与工件的坐标位置,修正像的畸变。还可以在显示器上观察加工工件的表面形貌,使加工更加直观。FIB其它所有的功能和应用都要在扫描离子显微镜所显示的图像下进行,叙述了用于FIB扫描显像的一种新方法。 展开更多

关键词 FIB 微细加工 微分析 扫描 显像

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弯曲轴静电聚焦—偏转复合系统的象差计算

7

作者 刘志雄 西门纪业 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期36-42,共7页

本文对透镜后偏转和透镜中偏转的两种静电聚焦一偏转复合系统的三级几何象差和一级色差进行了数值计算。计算结果表明,在匹配弯曲轴的情况下,这种复合系统有可能获得较小的偏转象差,同时本文也给出了判断复合系统中聚焦场与偏转场真正... 本文对透镜后偏转和透镜中偏转的两种静电聚焦一偏转复合系统的三级几何象差和一级色差进行了数值计算。计算结果表明,在匹配弯曲轴的情况下,这种复合系统有可能获得较小的偏转象差,同时本文也给出了判断复合系统中聚焦场与偏转场真正匹配的某些判据。 展开更多

关键词 偏转 复合系统 色差 弯曲轴 微电子

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烧结钕铁硼永磁体矫顽力理论及其影响 被引量：17

8

作者 唐杰 刘颖 +3 位作者 张然 杨刚 高升吉 涂铭旌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期61-63,73,共4页

综述了建立在不同缺陷模型基础上的烧结钕铁硼永磁体矫顽力的成核理论、热激活理论、钉扎理论和发动场理论等;简述了添加合金元素对钕铁硼磁体矫顽力的影响,通常少量多加合金元素有利于其整体性能的提高;详述了钕铁硼磁体的生产工艺,如... 综述了建立在不同缺陷模型基础上的烧结钕铁硼永磁体矫顽力的成核理论、热激活理论、钉扎理论和发动场理论等;简述了添加合金元素对钕铁硼磁体矫顽力的影响,通常少量多加合金元素有利于其整体性能的提高;详述了钕铁硼磁体的生产工艺,如熔炼、制粉、成型、烧结回火等对其矫顽力的影响;提出了提高烧结钕铁硼永磁矫顽力的有效途径和未来其生产研究的主要方向。 展开更多

关键词 烧结钕铁硼永磁体 矫顽力 理论 工艺 影响

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聚焦离子束加工技术及其应用 被引量：9

9

作者 马向国 顾文琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期575-577,582,共4页

对聚焦离子束加工技术在集成电路芯片的诊断与修改、修复光刻掩模缺陷、制作透射电镜样品以及多用途微切割上的应用作了详细介绍。

关键词 聚焦离子柬 液态金属离子源 应用

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x光纳米光刻掩模的离子束制备法 被引量：1

10

作者 韩勇 彭良强 +3 位作者 巨新 伊福廷 张菊芳 吴自玉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期44-45,共2页

重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。

关键词 纳米光刻 纳米线 x光掩模 离子束制备法

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双频激光测量系统及其在IC加工设备中的应用

11

作者 卢维美 《电子工业专用设备》 1990年第1期16-19,30,共5页

本文介绍美国HP公司生产的双频激光测量系统以及在IC加工设备中的应用,并对采用该测量系统时应注意的问题进行讨论。

关键词 激光 测量系统 IC 加工设备 双频

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分步曝光机汞灯灯箱的热设计

12

作者 王志越 《电子工业专用设备》 1991年第4期23-25,共3页

前 言 随着超大规模集成电路技术的发展,对半导体工艺设备的要求也越来越高,象现在的兆位集成技术,就要求分步曝光机(亦称DSW)系统具有足够的曝光能量来实现高效率生产,也就是要具有大功率的照明光源。做为DSW系统,它对环境的要求是非... 前 言 随着超大规模集成电路技术的发展,对半导体工艺设备的要求也越来越高,象现在的兆位集成技术,就要求分步曝光机(亦称DSW)系统具有足够的曝光能量来实现高效率生产,也就是要具有大功率的照明光源。做为DSW系统,它对环境的要求是非常苛刻的。为使DSW系统高可靠地工作,就必须对其主要发热元件——大功率汞灯曝光光源部分进行合理的热设计,以使灯箱结构满足整机对它的散热要求,提高设备的工作性能和可靠性。 展开更多

关键词 曝光机 热设计 灯箱 水银灯

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液态金属离子源静电透镜离子枪的实验研究 被引量：3

13

作者 彭永生 刘心红 陆家和 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第4期270-275,共6页

液态金属离子源（LMIS）的亚微米聚焦离子束（FIB）在现代分析技术和微细加工等领域有很多应用。介绍一种计算机控制的快速、灵活、准确的束斑测量方法；并报导用这种方法对采用Orloff—Swanson静电透镜离子枪的FIB性能的研究结果，包... 液态金属离子源（LMIS）的亚微米聚焦离子束（FIB）在现代分析技术和微细加工等领域有很多应用。介绍一种计算机控制的快速、灵活、准确的束斑测量方法；并报导用这种方法对采用Orloff—Swanson静电透镜离子枪的FIB性能的研究结果，包括源尖对中对束斑的影响、各电极电位对束斑的影响及束斑与束流的关系等。通过仔细的源尖位置调节，在束能13keV，束流1．0nA时，FIB束斑在亚微米范围。 展开更多

关键词 液态金属离子源 静电透镜离子枪 实验

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TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析 被引量：3

14

作者 褚维群 郭炜 《计算机技术与发展》 2008年第2期223-225,229,共4页

针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的"非晶化"影响进行分析和研究。在总结已有成果的基础上,得到一些新的突破:通过可信、简便的制样方法,可以直接观察到"非晶层";可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分... 针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的"非晶化"影响进行分析和研究。在总结已有成果的基础上,得到一些新的突破:通过可信、简便的制样方法,可以直接观察到"非晶层";可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的IC硅衬底样品的极限厚度。通过一系列自主设计的实验,得到如下结果:离子束的能量对"非晶层"厚度的影像非常大;"非晶层"的厚度与切割时离子束的加速电压有关,与离子束电流及入射角度等基本无关。 展开更多

关键词 TEM样品制备 非晶化 聚焦离子束

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离子束溅射制备Co/Pt多层膜的结构和磁性

15

作者 许思勇 赵怀志 +1 位作者 冯嘉猷 李文治 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第2期92-96,共5页

采用离子束溅射技术制备了Co／Pt多层膜，并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度（tCo）或Pt层厚度（tPt）的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的（002）织构，Pt层表现出fcc结构的（111）织构。当Co层和Pt层都比较薄时，界面有Co-P... 采用离子束溅射技术制备了Co／Pt多层膜，并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度（tCo）或Pt层厚度（tPt）的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的（002）织构，Pt层表现出fcc结构的（111）织构。当Co层和Pt层都比较薄时，界面有Co-Pt的化合物形成。当tPt=2．4nm而tCo在0．6～2．4nm变化时，样品的磁矫顽力（Hc）随tCo增加而下降，饱和磁化强度（Ms）随tCo增加而增加。当tCo=1．2nm而tPt在1．2～4．8nm变化时，Hc呈现先升后降的变化，Ms随tPt增大而减小。样品的Hc还受调制周期（D）和周期数ny的影响，通过对Co层和Pt层的厚度比、调制周期、周期数的设计，可以获得较大的磁矫顽力。 展开更多

关键词 离子束溅射 钴/铂多层膜 磁矫顽力 结构 磁性

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高精度30kV高压稳压电源的研制

16

作者 陈振生 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第5期547-550,共4页

本文介绍了为新型电子束曝光机研制的高精度30kV高压稳压电源。该电源采用双闭环调整,集中补偿和分散补偿相结合的设计方案。对电源的关键性技术采取了有力措施,使各项技术指标均达到设计要求。

关键词 稳压电源 电子束曝光机 高稳定性

全文增补中

DJ—2可变矩形电子束曝光机的DMA驱动程序 被引量：373

17

作者 罗武庭 《LSI制造与测试》 1989年第4期20-26,47,共8页

关键词 矩形 电子束 曝光机 DMA驱动程序

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可变矩形束曝光机的曝光方式和曝光数据调度

18

作者 罗武庭 沈国鏐 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 1991年第3期33-40,共8页

本文介绍可变矩形束曝光机的曝光原理及其控制,叙述了两种曝光方式的工作过程,并介绍了在曝光过程中的数据调度。最后评价两种曝光方式的优缺点及适用场合。

关键词 曝光机 数据调度 集成电路

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DJ—2可变矩形电子束曝光系统偏转放大器 被引量：49

19

作者 张淑兰 《LSI制造与测试》 1989年第4期14-19,共6页

关键词 矩形 电子束 曝光系统 偏转放大器

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电子束曝光机图形参数测试 被引量：3

20

作者 左云芝 《LSI制造与测试》 1989年第4期32-35,共4页

关键词 电子束 曝光机 图形参数 测试

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