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CPLD芯片抗高g值冲击性能分析 被引量:18
1
作者 徐鹏 祖静 李乐 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2007年第1期148-150,共3页
利用Hopk inson杆对弹载加速度存储测试仪器电路模块常用的CPLD芯片,在未用环氧树脂胶灌封和不同方向(沿平行和垂直与冲击方向)灌封状态下进行了抗高g值冲击性能实验研究。结果表明:CPLD芯片具有很高的抗冲击性能,并且与冲击方向无关。... 利用Hopk inson杆对弹载加速度存储测试仪器电路模块常用的CPLD芯片,在未用环氧树脂胶灌封和不同方向(沿平行和垂直与冲击方向)灌封状态下进行了抗高g值冲击性能实验研究。结果表明:CPLD芯片具有很高的抗冲击性能,并且与冲击方向无关。在目前弹体侵彻各种目标时的加速度幅值范围内,CPLD芯片不会失效。 展开更多
关键词 CPLD芯片 加速度 冲击
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SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制 被引量:1
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作者 多新中 张苗 +2 位作者 高剑侠 王连卫 林成鲁 《微细加工技术》 1998年第4期36-42,共7页
常规的体硅基础电路通常只能工作在200℃以下,SOI(Silicon-On-In-sulator)电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求,并分析了SOI电路在高温下的电学特性,讨论了为将S... 常规的体硅基础电路通常只能工作在200℃以下,SOI(Silicon-On-In-sulator)电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求,并分析了SOI电路在高温下的电学特性,讨论了为将SOI高温电路商业化,应当解决的一些技术问题。 展开更多
关键词 SOI电路 体硅电路 硅集成电路
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故障诊断文献中存在问题的探讨 被引量:1
3
作者 杨祖樱 张志涌 《福建电力与电工》 1996年第1期1-4,共4页
对国外故障诊断经典文献中影响较大的理论:模型问题,可诊性问题和诊断方法问题,发表见解并与文献作者和广大同仁展开讨论。
关键词 故障诊断 科技文献 集成电路
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加密IC卡坏卡原因分析及几种处理措施
4
作者 段斌 胡洪波 +1 位作者 卓崇林 谢孟林 《电子与自动化》 1997年第6期46-49,共4页
关键词 IC卡 坏卡 加密IC卡
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CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
5
作者 王怀荣 姚达 +4 位作者 苏秀娣 许仲德 陆剑侠 顾长志 金曾孙 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第3期72-74,共3页
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能... 以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路; 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 S O D 展开更多
关键词 集成电路 抗辐射 恢复 CMOS/SOD电路 抗核加固
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影响IC可靠性的几个典型因素
6
作者 袁杰 陈光炳 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第6期59-63,共5页
通过对几种IC失效样品失效分析结果的展示,叙述了这些结果的内在原因及其对可靠性的影响;针对出现的失效提出了相应的控制和纠正措施。
关键词 可靠性 失效分析 缺陷 集成电路
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裸芯片组装微电路失效机理研究
7
作者 李永常 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1992年第2期45-49,共5页
本文总结了几年来研制的微电路发生失效的各类情况,通过失效组装件的测试和解剖,对失效的机理进行了分析,并研究出了相应的可靠性保障技术。在实践中逐步形成了二次集成微电路小批量投产的质量控制体系,从而使产品的成品率与可靠性有了... 本文总结了几年来研制的微电路发生失效的各类情况,通过失效组装件的测试和解剖,对失效的机理进行了分析,并研究出了相应的可靠性保障技术。在实践中逐步形成了二次集成微电路小批量投产的质量控制体系,从而使产品的成品率与可靠性有了明显的长足进步。 展开更多
关键词 集成电路 可靠性 芯片组装 微电路
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数、模多用电子实验仪
8
作者 沈艳 朱绣鑫 《实验技术与管理》 CAS 1995年第4期43-44,共2页
目前,为本科生或研究生开设的实验中,大部分应用了中、大规模集成电路,而在开设的综合性、设计性实验中,又要同时用不同的几组电源和信号源。在调试电路时,电压表是不可缺少的,另外,还要经常测量信号频率、输入与输出的逻辑电平。实验... 目前,为本科生或研究生开设的实验中,大部分应用了中、大规模集成电路,而在开设的综合性、设计性实验中,又要同时用不同的几组电源和信号源。在调试电路时,电压表是不可缺少的,另外,还要经常测量信号频率、输入与输出的逻辑电平。实验室为满足上述要求,需要投入相当数目的经费。为此,我们研制了“数、模电子多用仪”,现将其介绍如下。 展开更多
关键词 集成电路 电子实验仪 高校
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电耐久性试验中集成电路功率器件功耗的确定
9
作者 焦舜华 《电子产品可靠性与环境试验》 1990年第3期50-52,共3页
关键词 集成电路 功率器件 功耗 试验
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IC卡的加密
10
作者 曾动 《广东通信技术》 1996年第1期9-10,共2页
本文首先介绍了IC卡的概念和IC卡加密的内容,主要描述加密系统DES的算法和程序实现的主要流程,以及DES在IC卡加密中的运用。最后展望了IC卡加密的发展方向。
关键词 集成电路卡 加密技术 发展方向
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集成电路及其应用
11
作者 澄江 《电气时代》 1994年第12期12-12,共1页
二十四 色处理集成电路 CD7193为PAL制彩色电视机色度信号处理集成电路,具有标准解码比例输出的色差信号,适用于不同发光特性的显象管。本电路采用双列直插24脚塑料封装,其外形及引出端排列示于图1,附表列出管脚功能及符号。
关键词 集成电路 彩电 应用
原文传递
静电造成集成电路爆炸及其预防
12
作者 倪行伟 《电子工艺简讯》 1993年第6期5-6,共2页
关键词 集成电路 爆炸 静电
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集成电路铝膜腐蚀成因及其电子能谱分析
13
作者 黄杭生 《电子产品可靠性与环境试验》 1989年第5期29-34,共6页
关键词 集成电路 铝膜腐蚀 电子能谱分析
全文增补中
InP基HEMT器件技术及其在集成电路上的应用
14
作者 王抗旱 《半导体情报》 1995年第2期27-31,共5页
本文报道了用于制造超高过集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2,6dB的50GHz... 本文报道了用于制造超高过集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2,6dB的50GHz低噪声放大器和一个增益为9dB,带宽为60GHz的分布基带放大器。本文还讨论了挖槽终止层的使用以进一步提高挖槽的重复性。 展开更多
关键词 INP基 HEMT器件 集成电路 晶体管 制造
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IC卡应用系统的可靠性与安全性 被引量:2
15
作者 张友德 《电子技术(上海)》 北大核心 1996年第8期5-7,共3页
文章介绍了EEPROM存贮器卡、加密EEPROM存贮器卡、CPU卡、智能卡、IU卡发行机、IC卡读写机、IC卡可靠性、IC卡信息安全性的特点,决定因素及其设计。
关键词 IC卡 加密 安全性 可靠性 集成电路
原文传递
敷形涂复的新桃战
16
作者 张侠魂 《有线通信技术》 1990年第1期40-42,共3页
关键词 印制板 敷形涂复 电子设备
原文传递
国产二次集成电路的主要失效模式及分析
17
作者 田耀亭 《航天工艺》 1996年第2期33-35,共3页
在总结了国产二次集成电路的主要失效模式的基础上,分析了其产生的原因,并针对反映的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。
关键词 集成电路 失效分析 工艺
原文传递
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