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CPLD芯片抗高g值冲击性能分析
被引量:
18
1
作者
徐鹏
祖静
李乐
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2007年第1期148-150,共3页
利用Hopk inson杆对弹载加速度存储测试仪器电路模块常用的CPLD芯片,在未用环氧树脂胶灌封和不同方向(沿平行和垂直与冲击方向)灌封状态下进行了抗高g值冲击性能实验研究。结果表明:CPLD芯片具有很高的抗冲击性能,并且与冲击方向无关。...
利用Hopk inson杆对弹载加速度存储测试仪器电路模块常用的CPLD芯片,在未用环氧树脂胶灌封和不同方向(沿平行和垂直与冲击方向)灌封状态下进行了抗高g值冲击性能实验研究。结果表明:CPLD芯片具有很高的抗冲击性能,并且与冲击方向无关。在目前弹体侵彻各种目标时的加速度幅值范围内,CPLD芯片不会失效。
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关键词
CPLD芯片
加速度
冲击
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职称材料
SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制
被引量:
1
2
作者
多新中
张苗
+2 位作者
高剑侠
王连卫
林成鲁
《微细加工技术》
1998年第4期36-42,共7页
常规的体硅基础电路通常只能工作在200℃以下,SOI(Silicon-On-In-sulator)电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求,并分析了SOI电路在高温下的电学特性,讨论了为将S...
常规的体硅基础电路通常只能工作在200℃以下,SOI(Silicon-On-In-sulator)电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求,并分析了SOI电路在高温下的电学特性,讨论了为将SOI高温电路商业化,应当解决的一些技术问题。
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关键词
SOI电路
体硅电路
硅集成电路
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职称材料
故障诊断文献中存在问题的探讨
被引量:
1
3
作者
杨祖樱
张志涌
《福建电力与电工》
1996年第1期1-4,共4页
对国外故障诊断经典文献中影响较大的理论:模型问题,可诊性问题和诊断方法问题,发表见解并与文献作者和广大同仁展开讨论。
关键词
故障诊断
科技文献
集成电路
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职称材料
加密IC卡坏卡原因分析及几种处理措施
4
作者
段斌
胡洪波
+1 位作者
卓崇林
谢孟林
《电子与自动化》
1997年第6期46-49,共4页
关键词
IC卡
坏卡
加密IC卡
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职称材料
CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
5
作者
王怀荣
姚达
+4 位作者
苏秀娣
许仲德
陆剑侠
顾长志
金曾孙
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1999年第3期72-74,共3页
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能...
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路; 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 S O D
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关键词
集成电路
抗辐射
恢复
CMOS/SOD电路
抗核加固
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职称材料
影响IC可靠性的几个典型因素
6
作者
袁杰
陈光炳
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第6期59-63,共5页
通过对几种IC失效样品失效分析结果的展示,叙述了这些结果的内在原因及其对可靠性的影响;针对出现的失效提出了相应的控制和纠正措施。
关键词
可靠性
失效分析
缺陷
集成电路
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职称材料
裸芯片组装微电路失效机理研究
7
作者
李永常
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1992年第2期45-49,共5页
本文总结了几年来研制的微电路发生失效的各类情况,通过失效组装件的测试和解剖,对失效的机理进行了分析,并研究出了相应的可靠性保障技术。在实践中逐步形成了二次集成微电路小批量投产的质量控制体系,从而使产品的成品率与可靠性有了...
本文总结了几年来研制的微电路发生失效的各类情况,通过失效组装件的测试和解剖,对失效的机理进行了分析,并研究出了相应的可靠性保障技术。在实践中逐步形成了二次集成微电路小批量投产的质量控制体系,从而使产品的成品率与可靠性有了明显的长足进步。
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关键词
集成电路
可靠性
芯片组装
微电路
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职称材料
数、模多用电子实验仪
8
作者
沈艳
朱绣鑫
《实验技术与管理》
CAS
1995年第4期43-44,共2页
目前,为本科生或研究生开设的实验中,大部分应用了中、大规模集成电路,而在开设的综合性、设计性实验中,又要同时用不同的几组电源和信号源。在调试电路时,电压表是不可缺少的,另外,还要经常测量信号频率、输入与输出的逻辑电平。实验...
目前,为本科生或研究生开设的实验中,大部分应用了中、大规模集成电路,而在开设的综合性、设计性实验中,又要同时用不同的几组电源和信号源。在调试电路时,电压表是不可缺少的,另外,还要经常测量信号频率、输入与输出的逻辑电平。实验室为满足上述要求,需要投入相当数目的经费。为此,我们研制了“数、模电子多用仪”,现将其介绍如下。
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关键词
集成电路
电子实验仪
高校
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职称材料
电耐久性试验中集成电路功率器件功耗的确定
9
作者
焦舜华
《电子产品可靠性与环境试验》
1990年第3期50-52,共3页
关键词
集成电路
功率器件
功耗
试验
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职称材料
IC卡的加密
10
作者
曾动
《广东通信技术》
1996年第1期9-10,共2页
本文首先介绍了IC卡的概念和IC卡加密的内容,主要描述加密系统DES的算法和程序实现的主要流程,以及DES在IC卡加密中的运用。最后展望了IC卡加密的发展方向。
关键词
集成电路卡
加密技术
发展方向
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职称材料
集成电路及其应用
11
作者
澄江
《电气时代》
1994年第12期12-12,共1页
二十四 色处理集成电路 CD7193为PAL制彩色电视机色度信号处理集成电路,具有标准解码比例输出的色差信号,适用于不同发光特性的显象管。本电路采用双列直插24脚塑料封装,其外形及引出端排列示于图1,附表列出管脚功能及符号。
关键词
集成电路
彩电
应用
原文传递
静电造成集成电路爆炸及其预防
12
作者
倪行伟
《电子工艺简讯》
1993年第6期5-6,共2页
关键词
集成电路
爆炸
静电
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职称材料
集成电路铝膜腐蚀成因及其电子能谱分析
13
作者
黄杭生
《电子产品可靠性与环境试验》
1989年第5期29-34,共6页
关键词
集成电路
铝膜腐蚀
电子能谱分析
全文增补中
InP基HEMT器件技术及其在集成电路上的应用
14
作者
王抗旱
《半导体情报》
1995年第2期27-31,共5页
本文报道了用于制造超高过集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2,6dB的50GHz...
本文报道了用于制造超高过集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2,6dB的50GHz低噪声放大器和一个增益为9dB,带宽为60GHz的分布基带放大器。本文还讨论了挖槽终止层的使用以进一步提高挖槽的重复性。
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关键词
INP基
HEMT器件
集成电路
晶体管
制造
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职称材料
IC卡应用系统的可靠性与安全性
被引量:
2
15
作者
张友德
《电子技术(上海)》
北大核心
1996年第8期5-7,共3页
文章介绍了EEPROM存贮器卡、加密EEPROM存贮器卡、CPU卡、智能卡、IU卡发行机、IC卡读写机、IC卡可靠性、IC卡信息安全性的特点,决定因素及其设计。
关键词
IC卡
加密
安全性
可靠性
集成电路
原文传递
敷形涂复的新桃战
16
作者
张侠魂
《有线通信技术》
1990年第1期40-42,共3页
关键词
印制板
敷形涂复
电子设备
原文传递
国产二次集成电路的主要失效模式及分析
17
作者
田耀亭
《航天工艺》
1996年第2期33-35,共3页
在总结了国产二次集成电路的主要失效模式的基础上,分析了其产生的原因,并针对反映的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。
关键词
集成电路
失效分析
工艺
原文传递
题名
CPLD芯片抗高g值冲击性能分析
被引量:
18
1
作者
徐鹏
祖静
李乐
机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2007年第1期148-150,共3页
基金
武器装备预研基金项目(51847040104HT1401)
文摘
利用Hopk inson杆对弹载加速度存储测试仪器电路模块常用的CPLD芯片,在未用环氧树脂胶灌封和不同方向(沿平行和垂直与冲击方向)灌封状态下进行了抗高g值冲击性能实验研究。结果表明:CPLD芯片具有很高的抗冲击性能,并且与冲击方向无关。在目前弹体侵彻各种目标时的加速度幅值范围内,CPLD芯片不会失效。
关键词
CPLD芯片
加速度
冲击
Keywords
complex programmable logic device(CPLD) chip,acceleration,shock
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制
被引量:
1
2
作者
多新中
张苗
高剑侠
王连卫
林成鲁
机构
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料实验室
出处
《微细加工技术》
1998年第4期36-42,共7页
文摘
常规的体硅基础电路通常只能工作在200℃以下,SOI(Silicon-On-In-sulator)电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求,并分析了SOI电路在高温下的电学特性,讨论了为将SOI高温电路商业化,应当解决的一些技术问题。
关键词
SOI电路
体硅电路
硅集成电路
Keywords
SOI circuit,Bulk silicon circuit.
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
故障诊断文献中存在问题的探讨
被引量:
1
3
作者
杨祖樱
张志涌
机构
福州大学电气系
出处
《福建电力与电工》
1996年第1期1-4,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
对国外故障诊断经典文献中影响较大的理论:模型问题,可诊性问题和诊断方法问题,发表见解并与文献作者和广大同仁展开讨论。
关键词
故障诊断
科技文献
集成电路
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
加密IC卡坏卡原因分析及几种处理措施
4
作者
段斌
胡洪波
卓崇林
谢孟林
机构
湘潭大学
出处
《电子与自动化》
1997年第6期46-49,共4页
关键词
IC卡
坏卡
加密IC卡
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
5
作者
王怀荣
姚达
苏秀娣
许仲德
陆剑侠
顾长志
金曾孙
机构
东北微电子研究所
吉林大学超硬材料国家重点实验室
出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1999年第3期72-74,共3页
文摘
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路; 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 S O D
关键词
集成电路
抗辐射
恢复
CMOS/SOD电路
抗核加固
Keywords
silicon on diam ond, integrated circuit, radiation hardness, recovery characteristic
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
影响IC可靠性的几个典型因素
6
作者
袁杰
陈光炳
机构
机电部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第6期59-63,共5页
文摘
通过对几种IC失效样品失效分析结果的展示,叙述了这些结果的内在原因及其对可靠性的影响;针对出现的失效提出了相应的控制和纠正措施。
关键词
可靠性
失效分析
缺陷
集成电路
Keywords
Reliability, Failure analysis, Defect, Process error
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
裸芯片组装微电路失效机理研究
7
作者
李永常
机构
机电部第十研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1992年第2期45-49,共5页
文摘
本文总结了几年来研制的微电路发生失效的各类情况,通过失效组装件的测试和解剖,对失效的机理进行了分析,并研究出了相应的可靠性保障技术。在实践中逐步形成了二次集成微电路小批量投产的质量控制体系,从而使产品的成品率与可靠性有了明显的长足进步。
关键词
集成电路
可靠性
芯片组装
微电路
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
数、模多用电子实验仪
8
作者
沈艳
朱绣鑫
机构
天津大学电子系
出处
《实验技术与管理》
CAS
1995年第4期43-44,共2页
文摘
目前,为本科生或研究生开设的实验中,大部分应用了中、大规模集成电路,而在开设的综合性、设计性实验中,又要同时用不同的几组电源和信号源。在调试电路时,电压表是不可缺少的,另外,还要经常测量信号频率、输入与输出的逻辑电平。实验室为满足上述要求,需要投入相当数目的经费。为此,我们研制了“数、模电子多用仪”,现将其介绍如下。
关键词
集成电路
电子实验仪
高校
分类号
TN707 [电子电信—电路与系统]
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
电耐久性试验中集成电路功率器件功耗的确定
9
作者
焦舜华
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1990年第3期50-52,共3页
关键词
集成电路
功率器件
功耗
试验
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
IC卡的加密
10
作者
曾动
机构
广东省邮电通讯发展公司
出处
《广东通信技术》
1996年第1期9-10,共2页
文摘
本文首先介绍了IC卡的概念和IC卡加密的内容,主要描述加密系统DES的算法和程序实现的主要流程,以及DES在IC卡加密中的运用。最后展望了IC卡加密的发展方向。
关键词
集成电路卡
加密技术
发展方向
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN918.4 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
集成电路及其应用
11
作者
澄江
出处
《电气时代》
1994年第12期12-12,共1页
文摘
二十四 色处理集成电路 CD7193为PAL制彩色电视机色度信号处理集成电路,具有标准解码比例输出的色差信号,适用于不同发光特性的显象管。本电路采用双列直插24脚塑料封装,其外形及引出端排列示于图1,附表列出管脚功能及符号。
关键词
集成电路
彩电
应用
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
静电造成集成电路爆炸及其预防
12
作者
倪行伟
出处
《电子工艺简讯》
1993年第6期5-6,共2页
关键词
集成电路
爆炸
静电
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
集成电路铝膜腐蚀成因及其电子能谱分析
13
作者
黄杭生
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1989年第5期29-34,共6页
关键词
集成电路
铝膜腐蚀
电子能谱分析
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
全文增补中
题名
InP基HEMT器件技术及其在集成电路上的应用
14
作者
王抗旱
出处
《半导体情报》
1995年第2期27-31,共5页
文摘
本文报道了用于制造超高过集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2,6dB的50GHz低噪声放大器和一个增益为9dB,带宽为60GHz的分布基带放大器。本文还讨论了挖槽终止层的使用以进一步提高挖槽的重复性。
关键词
INP基
HEMT器件
集成电路
晶体管
制造
分类号
TN386.05 [电子电信—物理电子学]
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
IC卡应用系统的可靠性与安全性
被引量:
2
15
作者
张友德
机构
复旦大学计算机系
出处
《电子技术(上海)》
北大核心
1996年第8期5-7,共3页
文摘
文章介绍了EEPROM存贮器卡、加密EEPROM存贮器卡、CPU卡、智能卡、IU卡发行机、IC卡读写机、IC卡可靠性、IC卡信息安全性的特点,决定因素及其设计。
关键词
IC卡
加密
安全性
可靠性
集成电路
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
敷形涂复的新桃战
16
作者
张侠魂
出处
《有线通信技术》
1990年第1期40-42,共3页
关键词
印制板
敷形涂复
电子设备
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
国产二次集成电路的主要失效模式及分析
17
作者
田耀亭
机构
航天工业总公司半导体器件失效分析中心
出处
《航天工艺》
1996年第2期33-35,共3页
文摘
在总结了国产二次集成电路的主要失效模式的基础上,分析了其产生的原因,并针对反映的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。
关键词
集成电路
失效分析
工艺
分类号
TN430.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CPLD芯片抗高g值冲击性能分析
徐鹏
祖静
李乐
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2007
18
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职称材料
2
SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制
多新中
张苗
高剑侠
王连卫
林成鲁
《微细加工技术》
1998
1
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职称材料
3
故障诊断文献中存在问题的探讨
杨祖樱
张志涌
《福建电力与电工》
1996
1
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职称材料
4
加密IC卡坏卡原因分析及几种处理措施
段斌
胡洪波
卓崇林
谢孟林
《电子与自动化》
1997
0
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职称材料
5
CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
王怀荣
姚达
苏秀娣
许仲德
陆剑侠
顾长志
金曾孙
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1999
0
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职称材料
6
影响IC可靠性的几个典型因素
袁杰
陈光炳
《微电子学》
CAS
CSCD
1992
0
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职称材料
7
裸芯片组装微电路失效机理研究
李永常
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1992
0
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职称材料
8
数、模多用电子实验仪
沈艳
朱绣鑫
《实验技术与管理》
CAS
1995
0
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职称材料
9
电耐久性试验中集成电路功率器件功耗的确定
焦舜华
《电子产品可靠性与环境试验》
1990
0
下载PDF
职称材料
10
IC卡的加密
曾动
《广东通信技术》
1996
0
下载PDF
职称材料
11
集成电路及其应用
澄江
《电气时代》
1994
0
原文传递
12
静电造成集成电路爆炸及其预防
倪行伟
《电子工艺简讯》
1993
0
下载PDF
职称材料
13
集成电路铝膜腐蚀成因及其电子能谱分析
黄杭生
《电子产品可靠性与环境试验》
1989
0
全文增补中
14
InP基HEMT器件技术及其在集成电路上的应用
王抗旱
《半导体情报》
1995
0
下载PDF
职称材料
15
IC卡应用系统的可靠性与安全性
张友德
《电子技术(上海)》
北大核心
1996
2
原文传递
16
敷形涂复的新桃战
张侠魂
《有线通信技术》
1990
0
原文传递
17
国产二次集成电路的主要失效模式及分析
田耀亭
《航天工艺》
1996
0
原文传递
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