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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器
1
作者 李泽坤 陈继新 +1 位作者 郑司斗 洪伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期187-191,共5页
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段
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应用于WiFi6的新型高线性度功率放大器设计
2
作者 姚凤薇 焦凌彬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期93-98,共6页
针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改... 针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改进,有效降低了射频系统的功耗。针对各次谐波分量产生的影响,对输出匹配网络进行了优化。仿真结果表明:该射频功率放大器芯片小信号增益达到了32.6 dB;在中心频率5.5 GHz时1 dB压缩点功率为30.4 dBm,功率附加效率超过27.9%;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-40 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.4 dB;5.5 GHz时1 dB压缩点功率为29.06 dBm;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-30 dBc。当输出功率为20 dBm时,二次三次谐波抑制到-30 dBc和-45 dBc。 展开更多
关键词 砷化镓异质结双极型晶体管 偏置电路 功率检测电路 匹配网络 高线性度
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太赫兹功率放大单片封装技术研究
3
作者 张博 张勇 +3 位作者 江伟佳 刘广儒 徐锐敏 延波 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期2724-2732,共9页
本文对太赫兹功率放大单片封装技术进行研究,主要包括波导-微带垂直过渡和模块内的模式谐振抑制技术.不同于常规的矩形探针平面过渡,本文提出了一种基于分叉探针的垂直过渡结构,适用于多层电路排布的系统/模块封装,并在WR-4波导频段(170... 本文对太赫兹功率放大单片封装技术进行研究,主要包括波导-微带垂直过渡和模块内的模式谐振抑制技术.不同于常规的矩形探针平面过渡,本文提出了一种基于分叉探针的垂直过渡结构,适用于多层电路排布的系统/模块封装,并在WR-4波导频段(170~260 GHz)进行了背靠背结构的实验验证,在整个波导频带内,回波损耗优于16 dB,单个过渡的插入损耗约0.42 dB,这包括了波导模块接触不良造成的额外的损耗.为进一步降低过渡损耗,提出了一种开口谐振环结构,用来抑制不良接触导致的电磁泄漏,使过渡损耗降低为原来的一半.此外,为避免功率放大模块内部发生模式谐振,提出将电磁带隙结构设置在平面传输线的上腔来抑制高次模的激励、传输和谐振.应用上述技术对工作于210~230 GHz的功率放大单片进行封装及测试.在210 GHz,小信号增益达到最大值20.75 dB,单端封装损耗约0.8 dB;在217 GHz达到最大输出功率15.6 dBm,与芯片手册数据吻合较好. 展开更多
关键词 波导探针过渡 模式谐振 电磁带隙结构 低损耗封装 功率放大器 毫米波与太赫兹
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X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
4
作者 李远鹏 魏洪涛 刘会东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期805-811,共7页
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺... 为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈
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一种W波段硅基多通道多功能芯片
5
作者 于双江 赵峰 +3 位作者 郑俊平 赵宇 高艳红 谭超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期1038-1044,共7页
为实现W波段多通道收发芯片小型化,研究了多层硅片垂直堆叠实现的三维硅基异构集成技术。基于高精度刻蚀工艺制作掩埋芯片的槽体和腔体,利用金属化通孔和上、下金属层实现了集成波导传输结构和滤波结构,结合金属化通孔的紧密分布实现了... 为实现W波段多通道收发芯片小型化,研究了多层硅片垂直堆叠实现的三维硅基异构集成技术。基于高精度刻蚀工艺制作掩埋芯片的槽体和腔体,利用金属化通孔和上、下金属层实现了集成波导传输结构和滤波结构,结合金属化通孔的紧密分布实现了电磁屏蔽侧墙,该工艺在实现小型化的同时保证了抗干扰能力。采用高深宽比的通孔刻蚀技术和金属化技术实现信号的垂直传输,通过金丝键合实现微波单片集成电路(MMIC)芯片和硅基传输结构的物理连接,使用低温晶圆键合技术实现了硅片垂直堆叠,最终经微组装技术实现了92~96 GHz多通道多功能芯片。经测试,接收通道噪声系数小于6.2 dB,接收增益约大于14 dB,发射通道饱和输出功率达到20 dBm,验证了该技术的可行性,为W波段小型化多功能芯片提供了良好的设计思路。 展开更多
关键词 W波段 小型化 三维集成 多通道收发 多功能芯片
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一款基于GaAs工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片
6
作者 张斌 汪柏康 +3 位作者 张沁枫 孙文俊 秦战明 权帅超 《现代电子技术》 北大核心 2024年第4期11-16,共6页
对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进,使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构,并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容,基于砷化镓(GaAs)工艺,借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配... 对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进,使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构,并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容,基于砷化镓(GaAs)工艺,借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配器芯片。芯片实物测试结果表明,在通带4~20 GHz内,插入损耗典型值为0.65 dB,端口回波损耗典型值为20 dB,端口隔离度典型值达到25 dB,芯片尺寸仅为1.0 mm×0.9 mm×0.1 mm。该功率分配器的实测结果与仿真结果相吻合,电特性优良,具有较高的实用价值。 展开更多
关键词 砷化镓 Wilkinson功率分配器 频率补偿电容 ADS软件 小型化 超宽带
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射频微系统关键技术进展及展望
7
作者 徐锐敏 王欢鹏 徐跃杭 《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第5期70-78,共9页
文章简单介绍了微波集成电路的发展动态,综述了以美国DARPA为代表的国内外机构在射频微系统方面的重大研究计划及其水平,简述了射频微系统在通信、雷达、相控阵等领域的代表性应用,并总结了射频微系统互连、仿真与优化和集成架构设计等... 文章简单介绍了微波集成电路的发展动态,综述了以美国DARPA为代表的国内外机构在射频微系统方面的重大研究计划及其水平,简述了射频微系统在通信、雷达、相控阵等领域的代表性应用,并总结了射频微系统互连、仿真与优化和集成架构设计等三个关键技术及其进展情况,最后对射频微系统今后的发展趋势做出了展望。 展开更多
关键词 射频微系统 三维集成互连 多物理场仿真 三维集成架构
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一种功率可调的X波段雷达收发组件的设计与实现
8
作者 姚常飞 张炎 凌清岚 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2023年第10期896-902,共7页
采用混合微波集成电路(Hybrid Microwave Integrated Circuit,HMIC)形式设计了一款X波段雷达收发组件。该收发组件分为频综器、功放及内定标源和接收链路三个模块,各模块间通过外接同轴电缆实现信号的互联。充分利用数控衰减器的功能,... 采用混合微波集成电路(Hybrid Microwave Integrated Circuit,HMIC)形式设计了一款X波段雷达收发组件。该收发组件分为频综器、功放及内定标源和接收链路三个模块,各模块间通过外接同轴电缆实现信号的互联。充分利用数控衰减器的功能,通过调节放大链路的衰减量,从而达到调节发射输出功率的目的。实物测试表明:在10.5 GHz~12 GHz频率范围内,该收发组件发射输出信号功率10 W、5 W、2 W、1 W四档可调,杂散抑制≥65 dBc,接收通道增益为27.5 dB,噪声系数≤4.8 dB。该组件具有输出信号功率可调、噪声系数小、杂散抑制大等特点,满足项目指标要求。 展开更多
关键词 X波段 收发组件 功率可调 噪声系数
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基于HTCC的200 Gbit/s光调制器外壳的研制
9
作者 胡进 颜汇锃 陈寰贝 《电子与封装》 2023年第7期71-76,共6页
研制了一款基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺的光调制器外壳,通过高速端口实现信号的传输。端口的设计采用共面波导结构的水平传输和类同轴结构的垂直传输,通过分析高速信号传输通道的等效电路和在频域上的仿真,实现端口的阻抗匹配,在保证信... 研制了一款基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺的光调制器外壳,通过高速端口实现信号的传输。端口的设计采用共面波导结构的水平传输和类同轴结构的垂直传输,通过分析高速信号传输通道的等效电路和在频域上的仿真,实现端口的阻抗匹配,在保证信号完整性的前提下端口可以实现单通道28 Gbit/s的高速信号传输。将相同条件下的差分过孔结构与类同轴结构在频域和时域下展开分析,验证了类同轴结构可以更有效地保证信号完整性。利用探针测试与背靠背结构相结合的方式对样品进行测试,验证了高速端口可以在保证信号完整性的前提下实现单通道28 Gbit/s的高速信号传输速率。将该结构应用在8通道的光调制器外壳上,可以支持200 Gbit/s以上的高速信号传输。 展开更多
关键词 光调制器外壳 高温共烧陶瓷 信号完整性 GSSG探针
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射频三维微纳集成技术 被引量：1
10
作者 朱健 郁元卫 +2 位作者 刘鹏飞 黄旼 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第2期101-107,120,共8页
后摩尔时代,半导体技术的发展主要有延续摩尔(More Moore)和超越摩尔(More than Moore)两条路径,延续摩尔通过新材料新范式,沿着摩尔定律进一步将线宽逐渐微缩至3 nm甚至进入埃(A)量级,超越摩尔则是采用异质异构三维微纳集成的途径来满... 后摩尔时代,半导体技术的发展主要有延续摩尔(More Moore)和超越摩尔(More than Moore)两条路径,延续摩尔通过新材料新范式,沿着摩尔定律进一步将线宽逐渐微缩至3 nm甚至进入埃(A)量级,超越摩尔则是采用异质异构三维微纳集成的途径来满足下一代电子高速低功耗高性能的需求。异质异构集成可以充分利用不同材料的半导体特性使得系统性能最优化。射频三维微纳集成技术推动高频微电子从平面二维向三维技术突破,成为后摩尔时代高频微电子发展的重要途经。射频三维微纳异质异构集成技术利用硅基加工精度高、批次一致性好、可以多层立体堆叠等特点,不断推动无源器件微型化、射频模组芯片化、射频系统微型化技术发展。本文介绍了射频三维微纳技术发展趋势,并给出了国内外采用该技术开拓RF MEMS器件、RF MEMS模组以及三维射频微系统技术发展和应用案例。 展开更多
关键词 射频MEMS 射频微系统 异构集成 三维集成
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一种集成环行器的X波段三维异构集成T/R模组 被引量：1
11
作者 彭桢哲 李晓林 +2 位作者 董春晖 赵宇 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期37-42,共6页
微电子机械系统(MEMS)环行器被广泛应用于射频(RF)T/R微系统中,解决共用天线且收发隔离的问题。基于硅基三维(3D)异构集成工艺,设计了一种集成MEMS环行器的X波段T/R模组。该模组以高阻硅为介质基板,在硅基板上、下表面电镀金属图形,并... 微电子机械系统(MEMS)环行器被广泛应用于射频(RF)T/R微系统中,解决共用天线且收发隔离的问题。基于硅基三维(3D)异构集成工艺,设计了一种集成MEMS环行器的X波段T/R模组。该模组以高阻硅为介质基板,在硅基板上、下表面电镀金属图形,并堆叠多层硅基晶圆,在硅基模组上封装了集成无源器件(IPD)环行器,完成了多种微波芯片和MEMS环行器的系统级封装(SiP),将环行器紧凑集成在硅基T/R模组中。模组尺寸为12.0 mm×11.3 mm×2.0 mm。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,模组接收通道增益为27 dB,接收通道噪声系数小于3.2 dB;发射通道增益为33 dB,饱和输出功率大于2 W。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS)环行器 射频(RF)微系统 硅基三维(3D)异构集成 硅基T/R模组 系统级封装(SiP)
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毫米波CQFN外壳地孔设计与优化 被引量：1
12
作者 周昊 颜汇锃 +1 位作者 施梦侨 程凯 《电子技术应用》 2023年第2期111-114,共4页
基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,介绍了一款封装尺寸为7 mm×7 mm×1.2 mm的四侧无引线扁平陶瓷(CQFN)型外壳,以满足毫米波微波器件封装的小型化需求。就如何解决陶瓷外壳高频信号传输时电磁泄漏问题,利用仿真软件分别从信号传输... 基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,介绍了一款封装尺寸为7 mm×7 mm×1.2 mm的四侧无引线扁平陶瓷(CQFN)型外壳,以满足毫米波微波器件封装的小型化需求。就如何解决陶瓷外壳高频信号传输时电磁泄漏问题,利用仿真软件分别从信号传输的不同方向对屏蔽地孔作了设计与优化。通过仿真对比,对不同区域的地孔与电磁信号的屏蔽关系进行了论述和总结。结果显示,外壳传输端口可覆盖0.1 GHz~40 GHz的宽频率范围,其插入损耗≤0.65 dB,电压驻波比≤1.50。 展开更多
关键词 四侧无引线扁平陶瓷 40 GHz HTCC
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基于GaAs IPD的X波段200W GaN宽带功率放大器
13
作者 黄旭 银军 +3 位作者 余若祺 斛彦生 倪涛 许春良 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期488-492,共5页
基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大... 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大器封装在采用铜-钼铜-铜热沉的金属陶瓷管壳内,尺寸仅为24 mm×17.4 mm×5 mm。测试结果显示,在36 V漏极电压下,8.5~10.5 GHz频带内饱和输出功率大于200 W,功率附加效率≥38%,功率增益平坦度小于0.8 dB。该功率放大器具有广阔的工程应用前景。 展开更多
关键词 GAN 内匹配 宽带 大功率 GaAs集成无源元件(IPD)
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基于MEMS技术的三维集成K波段四通道T/R微系统
14
作者 刘星 夏俊颖 +3 位作者 薛梅 李晓林 王嘉 赵宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期335-339,共5页
为满足有源相控阵雷达小型化需求,基于微电子机械系统(MEMS)多层3D封装技术研制了一种超小尺寸K波段四通道T/R微系统。该器件结合高精度晶圆、微凸点、重布线层(RDL)、硅通孔(TSV)等先进封装技术,将功能芯片和硅片进行纵向堆叠,实现了... 为满足有源相控阵雷达小型化需求,基于微电子机械系统(MEMS)多层3D封装技术研制了一种超小尺寸K波段四通道T/R微系统。该器件结合高精度晶圆、微凸点、重布线层(RDL)、硅通孔(TSV)等先进封装技术,将功能芯片和硅片进行纵向堆叠,实现了异质异构的三维集成,具有限幅、低噪声放大、功率放大、5 bit数控衰减、6 bit数控移相、串并转换等功能。器件尺寸仅为10.3 mm×10.3 mm×3.88 mm,质量为1.1 g,体积、质量均减小至传统砖式模块的1/10。实测噪声系数3.29 dB,接收增益19.22 dB,发射输出功率22 dBm,功率一致性优于±0.6 dB。实测结果与仿真结果吻合,为T/R前端的小型化研究提供了参考。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 三维集成 T/R 微系统 硅通孔(TSV)
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基于LTCC的X波段四通道发射SiP模块
15
作者 刘子奕 魏浩 +4 位作者 杨文涛 韩威 赵建欣 郑书利 魏恒 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期414-420,共7页
面向雷达相控阵系统应用,研制了一款X波段四通道发射封装内系统(SiP)模块。SiP模块采用低温共烧陶瓷(LTCC)基板,共28层,设计最小线宽为150μm,且内置埋阻。模块集成了驱动放大器、低噪声放大器(LNA)、幅相多功能等芯片,并将四功分器和... 面向雷达相控阵系统应用,研制了一款X波段四通道发射封装内系统(SiP)模块。SiP模块采用低温共烧陶瓷(LTCC)基板,共28层,设计最小线宽为150μm,且内置埋阻。模块集成了驱动放大器、低噪声放大器(LNA)、幅相多功能等芯片,并将四功分器和交叉带状线网络设计于基板内部,提高了模块的集成度和通道间隔离度,采用内部互连的LTCC基板实现了多种有源器件和无源结构的三维集成。测试结果表明,在工作频率9~10.5 GHz,SiP模块单通道增益≥37 dB,输出功率可达24 dBm,通道间隔离度≥25 dB。SiP模块尺寸仅为20 mm×20 mm×2.65 mm,质量约3.35 g。实现了X波段多通道SiP模块的高性能、高集成度和小型化,可广泛应用于相控阵雷达的T/R组件中。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷(LTCC) X波段 四通道 高集成度 封装内系统(SiP)
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L波段1500W GaN功率放大器
16
作者 史强 要志宏 +1 位作者 蒙燕强 曹欢欢 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期218-223,共6页
基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻... 基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻0.19℃/W及高功率密度15 W/mm。采用该GaN HEMT芯片设计了一款L波段功率放大器,采用预匹配技术实现功率放大器高阻抗变换比。经测试,在1.2~1.4 GHz,该功率放大器在栅极电压-1.9 V,漏极电压100 V、脉宽100μs、占空比5%的工作条件下,输出功率大于1500 W,功率增益大于15 dB,功率附加效率大于70%。 展开更多
关键词 L波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 场板结构 结温 预匹配
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宽带无反射滤波功分器的集成设计
17
作者 袁雪 贺鹏超 +2 位作者 苏涛 陈建忠 徐开达 《微电子学与计算机》 2023年第11期88-93,共6页
LTCC(低温共烧陶瓷)技术是现代集成电路设计的新型工艺.基于此工艺,提出了一种具有宽通带的带外无反射滤波功分器的设计方法和实际结构.整体结构由耦合带通结构、带外吸波结构和功分结构组成.通过采用强耦合四分之一波长耦合传输线,实... LTCC(低温共烧陶瓷)技术是现代集成电路设计的新型工艺.基于此工艺,提出了一种具有宽通带的带外无反射滤波功分器的设计方法和实际结构.整体结构由耦合带通结构、带外吸波结构和功分结构组成.通过采用强耦合四分之一波长耦合传输线,实现了较宽的通带.采用带有吸波电阻的带阻滤波器,实现了带外吸波,防止回波造成前级射频器件的损坏或降低射频前端系统的线性度,从而提高通信系统的通信质量.为了验证所提出的设计方法,全波仿真了工作频率在6.85 GHz,相对带宽74%的滤波功分结构,仿真结果与理论设计吻合,验证了设计理论的可实现性. 展开更多
关键词 滤波功分 吸波电阻 无反射滤波 宽通带
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基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器
18
作者 贾玉伟 唐中强 +2 位作者 蔡道民 薛梅 李展 《电子与封装》 2023年第10期76-80,共5页
为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电... 为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电压。测试结果表明,在工作频带为30~1000 MHz时,电调衰减器的最小插入损耗的绝对值小于2.9 dB,其最大衰减量的绝对值大于35.0 dB,其回波损耗小于-10 dB。器件封装尺寸为3.8 mm×3.8 mm×1.0 mm,单只器件质量为38 mg。该电调衰减器满足宽频带、低插损的要求,具有小型化、高集成、轻量化的特点。 展开更多
关键词 小型化 宽带 电调衰减 P型-本征-N型(PIN)二极管 Π型衰减网络 基板塑封
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5G通信的宽带高效率功率放大器设计
19
作者 吴神兵 轩雪飞 +2 位作者 王杨 孔勐 张科 《太原师范学院学报（自然科学版）》 2023年第4期48-51,共4页
一款工作于5G通信频段内的高效率宽带功率放大器被提出.这款功率放大器采用的是型号为CGH40010F的晶体管模型.首先,基于F类功放模式的设计理论,为了将二次谐波匹配至低阻抗区,三次谐波匹配至高阻抗区,对晶体管的输入以及输出端分别采用... 一款工作于5G通信频段内的高效率宽带功率放大器被提出.这款功率放大器采用的是型号为CGH40010F的晶体管模型.首先,基于F类功放模式的设计理论,为了将二次谐波匹配至低阻抗区,三次谐波匹配至高阻抗区,对晶体管的输入以及输出端分别采用谐波控制电路.同时采用多频点匹配方法,在保证高效率的同时,有效的拓展了工作带宽.基于上述理论研究,利用射频仿真软件进行仿真验证,仿真结果显示,在2.5~3.5 GHz的频带内漏极效率为63%~70%,输出功率为39~40 dBm,增益为9~10 dB. 展开更多
关键词 功率放大器 宽带 高效率 5G通信 GaN HEMT
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基于电容补偿技术的毫米波反射式衰减器设计
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作者 浦鈺钤 沈宏昌 +3 位作者 汤飞鸿 郝张伟 张有明 黄风义 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2023年第2期153-160,共8页
为提升衰减精度和附加相移性能,采用电容补偿技术吸收了开关管的寄生效应,设计了2款5位毫米波反射式衰减器芯片.通过剖析3种基本电容补偿拓扑,借助史密斯圆图,分析负载反射系数、衰减量和附加相移随补偿电容的变化情况,总结出采用电容... 为提升衰减精度和附加相移性能,采用电容补偿技术吸收了开关管的寄生效应,设计了2款5位毫米波反射式衰减器芯片.通过剖析3种基本电容补偿拓扑,借助史密斯圆图,分析负载反射系数、衰减量和附加相移随补偿电容的变化情况,总结出采用电容补偿技术设计反射式衰减器的设计流程和优化方法,并流片验证.2款芯片均集成有1个五位衰减器和1个单刀双掷开关,总芯片面积均为3 mm×1 mm.其中芯片A基于0.5μm砷化镓PHEMT工艺,采用了尾电容补偿技术;芯片B基于0.15μm砷化镓PHEMT工艺,采用了开关管前/后电容补偿技术.结果表明,2款芯片包含开关的插入损耗均小于4.5 dB,其中衰减器的插入损耗均小于3 dB,衰减均方根误差都小于0.4 dB,输入1 dB压缩功率都大于25 dBm,芯片A衰减相位变动小于±5°,芯片B衰减相位变动小于±2.5°. 展开更多
关键词 反射式衰减器 毫米波 容性补偿 低衰减误差 低相位变动
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