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基于相关性分离的逻辑电路敏感门定位算法
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作者 蔡烁 何辉煌 +2 位作者 余飞 尹来容 刘洋 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 2024年第1期362-372,共11页
随着CMOS器件特征尺寸进入纳米量级,因高能粒子辐射等造成的电路失效问题日益严重,给电路可靠性带来严峻挑战。现阶段,准确评估集成电路可靠性,并以此为依据对电路进行容错加固,以提高电路系统可靠性变得刻不容缓。然而,由于逻辑电路中... 随着CMOS器件特征尺寸进入纳米量级,因高能粒子辐射等造成的电路失效问题日益严重,给电路可靠性带来严峻挑战。现阶段,准确评估集成电路可靠性,并以此为依据对电路进行容错加固,以提高电路系统可靠性变得刻不容缓。然而,由于逻辑电路中存在大量扇出重汇聚结构,由此引发的信号相关性导致可靠性评估与敏感单元定位面临困难。该文提出一种基于相关性分离的逻辑电路敏感门定位算法。先将电路划分为多个独立电路结构(ICS);以ICS为基本单元分析故障传播及信号相关性影响;再利用相关性分离后的电路模块和反向搜索算法精准定位逻辑电路敏感门单元;最后综合考虑面向输入向量空间的敏感门定位及针对性容错加固。实验结果表明,所提算法能准确、高效地定位逻辑电路敏感单元,适用于大规模及超大规模电路的可靠性评估与高效容错设计。 展开更多
关键词 逻辑电路 失效率 相关性分离 敏感门定位 容错设计
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一种基于分压电路的绑定后TSV测试方法
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作者 刘军 项晨 +1 位作者 陈田 吴玺 《微电子学与计算机》 2024年第4期132-140,共9页
对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)进行绑定后测试可以有效地提升三维集成电路的性能和良率。现有的测试方法虽然对于开路和桥接故障的测试能力较高,但是对于泄漏故障的测试效果较差,并且所需的总测试时间较长。对此,提出了一种基于分... 对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)进行绑定后测试可以有效地提升三维集成电路的性能和良率。现有的测试方法虽然对于开路和桥接故障的测试能力较高,但是对于泄漏故障的测试效果较差,并且所需的总测试时间较长。对此,提出了一种基于分压电路的TSV绑定后测试方法。该方法设计了一种分压电路,进行泄漏故障测试时可以形成一条无分支的电流路径,有效提高了对泄漏故障的测试能力。此外,该方法测试开路故障和泄漏故障时的电流路径不会相互干扰,可以同时测试相邻TSV的开路故障和泄漏故障。实验结果表明,该方法可以测试10 kΩ以下的弱泄漏故障,并且在工艺偏差下依然能够保持较高的测试能力。相比同类测试方法,该方法所需面积开销更小,所需总测试时间更少。 展开更多
关键词 三维集成电路 硅通孔 绑定后测试 内建自测试
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TSV阵列在温度循环下的晶格变化对电学性能影响的研究
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作者 梁堃 王月兴 +1 位作者 何志刚 赵伟 《电子元件与材料》 CAS 2024年第1期47-54,共8页
针对TSV(Through Silicon Via,硅通孔)热机械可靠性较差且其结构特性变化对电学性能影响情况不明的问题,基于一种TSV阵列叉指电极对样品开展了-55~125℃的温度循环试验,测试了温循后阵列电极的电学性能与边界绝缘性能变化,跟踪测试了TS... 针对TSV(Through Silicon Via,硅通孔)热机械可靠性较差且其结构特性变化对电学性能影响情况不明的问题,基于一种TSV阵列叉指电极对样品开展了-55~125℃的温度循环试验,测试了温循后阵列电极的电学性能与边界绝缘性能变化,跟踪测试了TSV铜柱的几何尺寸变化,对比分析了试验前后TSV结构的形貌和晶格特性等衍化规律。结果表明,温度循环载荷导致了TSV-Cu晶粒向上生长、铜柱体积变大、微观结构缺陷产生以及电学性能退化;此外,还定量地构建了晶格特性变化对TSV阵列电极电学性能影响的关系架构,具有一定的工程意义。 展开更多
关键词 TSV阵列 温度循环 绝缘性能 微观缺陷 晶格特性变化
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多层堆叠中晶圆级金金键合的可靠性提升
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作者 商庆杰 张丹青 +1 位作者 宋洁晶 杨志 《电子工艺技术》 2024年第2期19-21,28,共4页
基于电学互联的贯穿硅通孔技术和高精度金金圆片键合技术,开发了一套可应用于制备三维集成射频(RF)收发系统的工艺,并利用反应离子刻蚀机(RIE)中氧气加六氟化硫的键合前处理技术解决了多层堆叠中键合强度较弱的问题。经过扫描电镜(SEM)... 基于电学互联的贯穿硅通孔技术和高精度金金圆片键合技术,开发了一套可应用于制备三维集成射频(RF)收发系统的工艺,并利用反应离子刻蚀机(RIE)中氧气加六氟化硫的键合前处理技术解决了多层堆叠中键合强度较弱的问题。经过扫描电镜(SEM)观察和分析,键合强度弱确认为芯片贴装过程中晶圆表面沾污所致。传统的湿法前处理有一定的局限性,氧气等离子体方法去污能力较弱,均无法用于去除遗留的沾污。利用反应离子刻蚀机氧气加六氟化硫的前处理方式进行键合前处理,不仅增强了去污能力,而且将旧金表面低活性的金层去除,露出干净、活性高的新金表面,有效提升了金金键合的强度,为多层金金键合提供了一种有效的键合前处理方法。 展开更多
关键词 金金键合 多层堆叠 反应离子刻蚀机 MEMS
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高频数字集成电子元件无损检测仪设计与研制
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作者 徐超 李慧 +1 位作者 徐健 李波文 《电子制作》 2024年第2期86-88,110,共4页
目前,在我国集成电子元器件检测中,主要采用两种方式,一是传统的剥离观察法,另一种则是无损检测法。本文介绍了一种采用高频数字技术设计的X光集成电子元件无损检测仪电路,能在不损坏被检测器件的前提下,高清且快速地检测出内部损伤。... 目前,在我国集成电子元器件检测中,主要采用两种方式,一是传统的剥离观察法,另一种则是无损检测法。本文介绍了一种采用高频数字技术设计的X光集成电子元件无损检测仪电路,能在不损坏被检测器件的前提下,高清且快速地检测出内部损伤。该电路克服了传统工频模式设计的集成电子元件无损检测设备体积大、质量重、效率低、清晰度不够等缺陷,使检测仪具有使用轻便、图像清晰的特点。实验结果表明,该电路实际应用切实可行,能满足元器件检测行业的实际需要。 展开更多
关键词 高频技术 X光 无损检测仪
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射频异构集成微系统多层级协同仿真建模与PDK技术综述
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作者 刘军 高爽 +2 位作者 汪曾达 王大伟 陈展飞 《微电子学与计算机》 2024年第1期11-25,共15页
作为后摩尔技术的可选路径之一,基于异构集成工艺实现的集成微系统具有高集成度、低成本、高性能等优点,引起学术界和工业界的广泛关注。异构集成微系统设计是以系统为中心的多层级协同设计,对传统以晶体管为中心的设计方法和设计流程... 作为后摩尔技术的可选路径之一,基于异构集成工艺实现的集成微系统具有高集成度、低成本、高性能等优点,引起学术界和工业界的广泛关注。异构集成微系统设计是以系统为中心的多层级协同设计,对传统以晶体管为中心的设计方法和设计流程带来新的挑战,同时对设计环境的开发带来新的要求。本文对射频集成微系统设计中所需的基础器件/结构建模方法、多工艺混合工艺设计套件(Process Design Kit,PDK)技术、以及电路-模块-系统多层级协同仿真等技术最新进展进行综述。 展开更多
关键词 异构集成射频微系统 多层级协同仿真 建模方法 多工艺混合 工艺设计套件(PDK)
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基于三重注意力的轻量级YOLOv8印刷电路板缺陷检测算法
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作者 沈萍 李想 +1 位作者 杨宁 陈艾东 《微电子学与计算机》 2024年第4期20-30,共11页
在全球产业中,印刷电路板的生产和应用持续增长,已经成为各种电子设备的核心组成部分。由于缺陷尺度较小的问题以及检测模型轻便嵌入便携式设备的需求,印刷电路板图像的自动缺陷检测是一项具有挑战性的任务。为了满足智能制造和使用中... 在全球产业中,印刷电路板的生产和应用持续增长,已经成为各种电子设备的核心组成部分。由于缺陷尺度较小的问题以及检测模型轻便嵌入便携式设备的需求,印刷电路板图像的自动缺陷检测是一项具有挑战性的任务。为了满足智能制造和使用中对高质量印刷电路板产品日益增长的需求,提出一种基于YOLOv8的印刷电路板缺陷检测改进方法。首先,采用轻量级网络MobileViT作为主干网络,减小模型体积和计算量。其次,引入Triplet Attention模块,增强张量中不同维度间特征的捕捉能力。最后,将边界框损失函数替换为LMPDIoU,直接最小化预测框与实际标注框之间的左上角和右下角点距离。实验表明:改进后的检测模型能够在拥有极小参数量的同时保证小尺寸缺陷检测精度较高,模型参数量降低率为89.38%,满足轻便嵌入便携式检测设备和计算机资源受限的场景应用,证实了在印刷电路板缺陷检测领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 印刷电路板 缺陷检测 YOLOv8 轻量级主干网络 注意力机制
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一款NoC总线的低功耗设计
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作者 徐新宇 陈玉蓉 张猛华 《计算机应用文摘》 2024年第5期44-46,共3页
随着集成电路技术的飞速发展,其集成度和复杂度越来越高,导致芯片功耗问题日益严重。文章提出一套兼容片上网络(Net on Chip,NoC)总线的功耗管理总线,针对不同电源域进行低功耗管理,通过电源域开关协议将电源域状态同步到事务活动,且不... 随着集成电路技术的飞速发展,其集成度和复杂度越来越高,导致芯片功耗问题日益严重。文章提出一套兼容片上网络(Net on Chip,NoC)总线的功耗管理总线,针对不同电源域进行低功耗管理,通过电源域开关协议将电源域状态同步到事务活动,且不影响系统其他部分的操作。实验结果表明,功耗管理总线具有低成本、协议简单、兼容性好、轻量级等优势。 展开更多
关键词 NoC总线 低功耗 多电源域 协议
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镍钯金表面引线键合工艺的可靠性及应用
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作者 崔洪波 方健 +2 位作者 宋洋 孟祥毅 吴峰 《电子工艺技术》 2024年第2期14-18,共5页
通过模拟前道工序的实际装配环境,研究了镀镍钯金基板在不同工况条件和不同钯/金层厚度情况下对表面键合强度的影响。结果表明,通过280℃高温回流后,镀层表面会出现少量Cu元素,但对键合强度影响不大。Au/Pd镀层厚度增加均有利于提高可... 通过模拟前道工序的实际装配环境,研究了镀镍钯金基板在不同工况条件和不同钯/金层厚度情况下对表面键合强度的影响。结果表明,通过280℃高温回流后,镀层表面会出现少量Cu元素,但对键合强度影响不大。Au/Pd镀层厚度增加均有利于提高可键合性。在本文的镀层体系中,均可完成高可靠性键合。通过150±3℃,168 h的高温贮存试验表明,Pd和Au界面均可作为键合界面,高温贮存前后平均键合强度均在11 cN以上,满足标准且非常稳定。 展开更多
关键词 镍钯金 镀层厚度 键合强度 高温贮存 可靠性
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集成电路测试管理系统的设计与实现
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作者 郭福洲 《集成电路应用》 2024年第1期60-61,共2页
阐述在集成电路生产中的测试管理系统设计,该系统能够实现对测试数据的存储和管理,支持数据分析和测试报告的生成,提供测试参数配置和测试流程管理功能。
关键词 集成电路 测试管理系统 测试流程管理
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基于先进工艺的低功耗模拟集成电路设计
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作者 肖扬 《集成电路应用》 2024年第1期50-51,共2页
阐述先进工艺的低功耗模拟集成电路设计,探讨模拟集成电路的基础知识,低功耗设计原理以及先进工艺技术的应用,分析一个高效、精密的模拟电路设计案例。
关键词 集成电路 先进工艺 低功耗 模拟电路
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Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration for optical interconnection
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作者 李乐良 李贵柯 +5 位作者 张钊 刘剑 吴南健 王开友 祁楠 刘力源 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期1-9,共9页
The performance of optical interconnection has improved dramatically in recent years.Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration is the key enabler to achieve high performance optical interconnection,which ... The performance of optical interconnection has improved dramatically in recent years.Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration is the key enabler to achieve high performance optical interconnection,which not only provides the optical gain which is absent from native Si substrates and enables complete photonic functionalities on chip,but also improves the system performance through advanced heterogeneous integrated packaging.This paper reviews recent progress of silicon-based optoelectronic heterogeneous integration in high performance optical interconnection.The research status,development trend and application of ultra-low loss optical waveguides,high-speed detectors,high-speed modulators,lasers and 2D,2.5D,3D and monolithic integration are focused on. 展开更多
关键词 silicon-based heterogeneous integration heterogeneous integrated materials heterogeneous integrated packaging optical interconnection
原文传递
基于边缘计算的商业区电力能源用电量动态预测系统
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作者 梁波 解磊 +2 位作者 李函奇 郭珂 孙小斌 《电子设计工程》 2024年第2期138-142,共5页
商业区电力能源内部拥有海量电力数据,动态预测能源用电量可以有效改善系统业务,确保用户拥有较好的用电体验。针对目前预测系统准确率较低这一问题,文中基于边缘计算设计了一种新的商业区电力能源用电量动态预测系统。在硬件设计上,利... 商业区电力能源内部拥有海量电力数据,动态预测能源用电量可以有效改善系统业务,确保用户拥有较好的用电体验。针对目前预测系统准确率较低这一问题,文中基于边缘计算设计了一种新的商业区电力能源用电量动态预测系统。在硬件设计上,利用AC/DC模块将交流电转化为直流电,运用电动机控制器连接被测量电动机与商业区供电,连接传动轴与供电测功机,实现电流传递。利用测功机控制器对区域电网动力电进行管理和控制。在软件设计上,采用边缘计算的方式对区域内电力能源进行分析,模拟构建电量动态预测程序,根据动态预测程序实现用电量预测。实验结果表明,该系统在短期预测和长期预测方面,都具有良好的能力,输出值与真实值相关系数为0.99,预测误差低于0.55%。 展开更多
关键词 边缘计算 电力能源 用电量预测 动态预测 预测系统
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微系统发展现状及其在无人装备领域应用和展望
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作者 龚静 郭茜 +1 位作者 樊鹏辉 冯笛恩 《微电子学与计算机》 2024年第1期1-10,共10页
未来无人装备对微型化、智能化、模块化、低成本化的单机系统有着强烈需求。微系统以其先进架构、高度集成和大规模低成本优势,与未来无人装备发展需求高度契合。对微系统的发展应用现状进行了综合评述,并结合无人装备的发展需求对未来... 未来无人装备对微型化、智能化、模块化、低成本化的单机系统有着强烈需求。微系统以其先进架构、高度集成和大规模低成本优势,与未来无人装备发展需求高度契合。对微系统的发展应用现状进行了综合评述,并结合无人装备的发展需求对未来发展方向进行了展望。首先,从射频微系统、信息处理微系统和导航微系统等方面介绍了微系统的发展现状;其次,总结了微系统在导弹武器系统和无人机平台上的应用现状;最后,结合无人装备的发展需求,展望了微系统在智能可重构、互连标准化、低成本化、单片多功能高可靠等方面的发展趋势。 展开更多
关键词 微系统 发展现状 无人装备应用 未来发展
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8寸CMP设备对小尺寸镀铜InP晶圆的工艺开发
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作者 成明 赵东旭 +3 位作者 王云鹏 王飞 范翊 姜洋 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2024年第3期392-400,共9页
为了实现在8寸化学机械抛光设备上进行小尺寸镀铜InP晶圆的减薄抛光工作,提高设备的兼容性,缩减工艺步骤,减少过多操作导致InP晶圆出现裂纹暗伤和表面颗粒增加等问题,自制特殊模具,使小尺寸InP晶圆在8寸化学机械抛光设备上进行加工,再根... 为了实现在8寸化学机械抛光设备上进行小尺寸镀铜InP晶圆的减薄抛光工作,提高设备的兼容性,缩减工艺步骤,减少过多操作导致InP晶圆出现裂纹暗伤和表面颗粒增加等问题,自制特殊模具,使小尺寸InP晶圆在8寸化学机械抛光设备上进行加工,再根据InP晶圆易碎的缺陷问题,通过调整设备的抛光头压力、转速和抛光垫的转速等相关工艺参数,使其满足后续键合工艺的相关需求。实验结果表明:在使用特殊模具下,当抛光头的压力调整为20.684 kPa、抛光头与抛光垫的转速分别为:93 r/min和87 r/min时,InP晶圆的表面粗糙度达到:Ra≤1 nm;表面铜层的去除速率达到3857×10^(-10)/min;后续与8寸晶圆的键合避免键合位置出现空洞等缺陷,实现2寸InP晶圆在8寸设备上的CMP工艺,大大降低了CMP工艺成本,同时避免晶圆在转移过程中出现表面颗粒度增加和划伤的情况,实现了InP晶圆与Si晶圆的异质键合及Cu互连工艺。 展开更多
关键词 化学机械抛光 磷化铟 去除速率 键合 表面粗糙度
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基于硅基光电子芯片的低损耗动态偏振控制器
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作者 赵倩如 王旭阳 +5 位作者 贾雁翔 张云杰 卢振国 钱懿 邹俊 李永民 《物理学报》 SCIE EI CSCD 2024年第2期181-191,共11页
动态偏振控制器能够实现输入光场任意偏振态到输出光场任意偏振态的控制,可以动态补偿长距离单模光纤导致的双折射效应,是量子通信和相干通信系统中的重要器件.本文设计并实验验证了基于硅基光电子芯片的低损耗动态偏振控制器,芯片采用... 动态偏振控制器能够实现输入光场任意偏振态到输出光场任意偏振态的控制,可以动态补偿长距离单模光纤导致的双折射效应,是量子通信和相干通信系统中的重要器件.本文设计并实验验证了基于硅基光电子芯片的低损耗动态偏振控制器,芯片采用标准的绝缘体上硅工艺制作,器件整体尺寸为5.20 mm×0.12 mm×0.80 mm,整体损耗为5.7 dB,最大功耗为0.2W.基于可变步长.模拟退火算法、低噪声探测器和高静态消光比的器件,动态偏振消光比可锁定至30 dB以上.芯片采用热相移器对TE0光场的相位延迟量进行控制,整体为0°/45°/0°/45°结构,可实现无端偏振控制.基于Lumerical软件对核心部件偏振旋转分束结构进行了优化,该结构将以端面耦合方式进入波导中的TM0模式光场转化至另一波导中的TE0模式光场,而原单波导中TE0模式光场不发生转化,实验测得动态偏振控制器的静态偏振消光比可达40 dB以上.该器件具有小体积、低功耗和低成本的特点,可以广泛应用于量子通信和相干通信等领域,特别是需要考虑体积、功耗和成本的应用场合. 展开更多
关键词 动态偏振控制器 偏振旋转分束 偏振消光比 硅基光芯片
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基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
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作者 田苗 刘民 +3 位作者 林子涵 付学成 程秀兰 吴林晟 《半导体技术》 CAS 2024年第4期316-322,共7页
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。... 以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 锥形 种子层 电镀填充 薄膜沉积
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基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试
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作者 睢林 曹咏弘 +3 位作者 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 《半导体技术》 2024年第1期97-102,共6页
为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的... 为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。 展开更多
关键词 射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗
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Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒对SAC3005/Cu焊点形貌和性能的影响
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作者 王彪 赵建华 +2 位作者 刘一澎 杨杰 严继康 《电子元件与材料》 CAS 2024年第1期121-126,共6页
研究了添加Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒对SAC3005焊料焊点金属间化合物的形貌和性能的影响。采用湿化学法制备Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒,将Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒添加到SAC3005焊料中,经回流焊后,制备SAC3005-xCu_(6)Sn_(5)(x=0%,0.12%,0.18%,质量... 研究了添加Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒对SAC3005焊料焊点金属间化合物的形貌和性能的影响。采用湿化学法制备Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒,将Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒添加到SAC3005焊料中,经回流焊后,制备SAC3005-xCu_(6)Sn_(5)(x=0%,0.12%,0.18%,质量分数)复合焊点。采用金相显微镜对焊点的横断面进行观察,对焊点的横断面金属间化合物(IMCs)进行测量。采用ANSYS有限元软件对界面IMCs模型进行模拟,分析印刷电路板(PCB板)焊点失效机理。结果表明:添加Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒改性SAC3005/Cu焊点后的IMCs层厚度变薄。Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒的加入抑制了回流焊接过程中IMCs的生长,提高了焊点的可靠性。Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒的添加阻碍了Sn原子和Cu原子在界面处的扩散,抑制了Cu_(6)Sn_(5)IMCs的生长。添加质量分数为0.12%的Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒时抑制效果最好。焊点界面Cu_(6)Sn_(5)层和Cu_(3)Sn层是应力应变集中的地方,焊点交界处为焊点服役过程中的薄弱环节。 展开更多
关键词 Cu_(6)Sn_(5)纳米颗粒 SAC3005焊料 金属间化合物 可靠性
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基于硅基过滤片的精子优选芯片设计与优化
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作者 李金坤 童先宏 +3 位作者 江小华 周典法 魏钰 周成刚 《传感器与微系统》 CSCD 2024年第2期81-84,88,共5页
利用半导体工艺技术构建了一种基于硅基过滤片的精子优选微流控芯片,具有高活力的精子会克服重力,在微孔的引导下游向精子收集池。分别在7,15,30,60 min对收集池中的精子取样,采用计算机辅助精子分析(CASA)系统进行精液常规检测、精子... 利用半导体工艺技术构建了一种基于硅基过滤片的精子优选微流控芯片,具有高活力的精子会克服重力,在微孔的引导下游向精子收集池。分别在7,15,30,60 min对收集池中的精子取样,采用计算机辅助精子分析(CASA)系统进行精液常规检测、精子形态学和DNA碎片分析;对硅基过滤片的孔间距和筛选时间进行了优化。结果表明:6μm孔间距和15 min筛选时间为最佳的精子优选方案。所构建的基于硅基过滤片的精子优选芯片,可以有效优选出具有高活力且DNA完整性和形态正常率较高的精子。芯片精液吞吐量大,活动精子回收率较高,有一定的临床价值,同时提供了一种简单易操作的标准化精子优选流程。 展开更多
关键词 硅基过滤片 精子优选 微流控芯片 DNA碎片率 精子形态
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