期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)
被引量：
1
1
作者
俞慧强
沈波
+7 位作者
周玉刚
张荣
刘杰
周慧梅
施毅
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期61-66,共6页
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的...
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
展开更多
关键词
压电极化
异质结
电容-电压方法
下载PDF
职称材料
电容-电压法研究Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结压电极化效应（英文）
2
作者
俞慧强
沈波
+7 位作者
周玉刚
张荣
刘杰
周慧梅
施毅
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期61-66,共6页
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的...
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
展开更多
关键词
压电极化
异质结
电容电压方法
下载PDF
职称材料
题名
电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)
被引量：
1
1
作者
俞慧强
沈波
周玉刚
张荣
刘杰
周慧梅
施毅
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
机构
南京大学物理系
Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期61-66,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 41和 6 99870 0 1)
国家重点基础研究课题专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)
+1 种基金
国家高技术研究和发展项目
日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
文摘
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
关键词
压电极化
异质结
电容-电压方法
Keywords
piezoe
l
ectric po
l
arization
a l xga 1-xn/gan
capacitance vo
l
tage method
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
电容-电压法研究Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结压电极化效应（英文）
2
作者
俞慧强
沈波
周玉刚
张荣
刘杰
周慧梅
施毅
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
机构
南京大学物理系
Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期61-66,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 41和 6 99870 0 1)
国家重点基础研究课题专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)
+1 种基金
国家高技术研究和发展项目
日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
文摘
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
关键词
压电极化
异质结
电容电压方法
Keywords
piezoe
l
ectric po
l
arization
a l xga 1-xn/gan
capacitance vo
l
tage method
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)
俞慧强
沈波
周玉刚
张荣
刘杰
周慧梅
施毅
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
2
电容-电压法研究Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结压电极化效应（英文）
俞慧强
沈波
周玉刚
张荣
刘杰
周慧梅
施毅
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
