Au-Si面垒型带电粒子望远镜的研制 被引量：2

1

作者 王柱生 谭继廉 +4 位作者 徐树威 李占奎 郭应祥 谢元祥 鲍志勤 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1377-1379,1434,共4页

介绍了厚度为350μm、有效面积为530mm2的ΔE和厚度为700μm、有效面积为1380mm2E探测器所组成的全耗尽Au—Si面垒型带电粒子望远镜的制备工艺、测试结果(Thc-c/源8.78MeV的能量分辨率ΔE探测器为0.8%、E探测器分辨为1.2%)和该探测器的... 介绍了厚度为350μm、有效面积为530mm2的ΔE和厚度为700μm、有效面积为1380mm2E探测器所组成的全耗尽Au—Si面垒型带电粒子望远镜的制备工艺、测试结果(Thc-c/源8.78MeV的能量分辨率ΔE探测器为0.8%、E探测器分辨为1.2%)和该探测器的主要用途。 展开更多

关键词 全耗尽 au-si面垒 探测器 望远镜 能量分辨率

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高分辨网栅型Au-Si表面势垒探测器的制备和性能

2

作者 丁洪林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期269-272,共4页

制备了对紫外光灵敏且有较高能量分辨的网栅型Au-Si表面势垒探测器,其有效面积为12.56cm^2,金网栅电极厚195×10^(-10)m。对^(241)Am 5.486 MeV α粒子在室温和低真空条件下能量分辨是55-80 keV。探讨了制备工艺并测试了性能。

关键词 网栅型 探测器 面垒探测器 金-硅

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一种电荷灵敏前置放大器的设计与实现

3

作者 王佳帅 秦晋 +2 位作者 许鹏 卜洪涛 王道平 《火箭军工程大学学报》 2024年第3期74-80,共7页

针对传统金硅面垒α谱仪所使用的电荷灵敏前置放大器存在电路结构复杂、损坏后维修周期长的问题,基于低噪声场效应管和集成运算放大器,使用电路仿真软件,设计了针对金硅面垒半导体探测器的电荷灵敏前置放大器,简化了电路结构。对该前置... 针对传统金硅面垒α谱仪所使用的电荷灵敏前置放大器存在电路结构复杂、损坏后维修周期长的问题,基于低噪声场效应管和集成运算放大器,使用电路仿真软件,设计了针对金硅面垒半导体探测器的电荷灵敏前置放大器,简化了电路结构。对该前置放大器参数进行了理论计算和实验测试。结果表明:自制的电荷灵敏前置放大器的电荷变换增益为5×10^(12)V/C,能量变换增益为222 mV/MeV,上升时间为200 ns;将其应用于金硅面垒α谱仪之中,能够测量239Pu板状源的α能谱。 展开更多

关键词 电荷灵敏前置放大器 金硅面垒探测器 电路仿真 α能谱

原文传递

基于嵌入式模块的α表面污染测量仪的研制 被引量：4

4

作者 高嵩 成毅 +4 位作者 庹先国 穆克亮 李向阳 陈明秀 冷慧敏 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期466-471,共6页

介绍了一种高性能的嵌入式386SXCPU模块和基于此模块研制的便携式α表面污染测量仪的系统结构,详细说明了仪器软、硬件各部分的设计思路和实现的技术。通过标准源Pu的对比测量试验,对仪器的239探测效率进行了具体评价,并给出其它主要性... 介绍了一种高性能的嵌入式386SXCPU模块和基于此模块研制的便携式α表面污染测量仪的系统结构,详细说明了仪器软、硬件各部分的设计思路和实现的技术。通过标准源Pu的对比测量试验,对仪器的239探测效率进行了具体评价,并给出其它主要性能指标。该测量仪操作简单,测量结果准确,经现场试用,满足了用户的基本生产需求。 展开更多

关键词 嵌入式模块 Α射线 金硅面垒型半导体探测器 表面污染测量仪 探测效率

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^6LiF夹心谱仪探头用金硅面垒探测器性能测定 被引量：5

5

作者 蒋勇 李俊杰 +1 位作者 郑春 肖建国 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期94-97,共4页

金硅面垒探测器是6LiF夹心谱仪探头的关键组成部分,其参数直接影响整个夹心谱仪的性能。通过实验测定了各金硅面垒探测器在不同偏压下的漏电电流、空气对α粒子的影响、金硅面垒的死层厚度、偏压对峰位和分辨率的影响,以及在180V偏压下... 金硅面垒探测器是6LiF夹心谱仪探头的关键组成部分,其参数直接影响整个夹心谱仪的性能。通过实验测定了各金硅面垒探测器在不同偏压下的漏电电流、空气对α粒子的影响、金硅面垒的死层厚度、偏压对峰位和分辨率的影响,以及在180V偏压下各金硅面垒探测器的最大能量峰位。根据测量结果,选出了两组性能基本相同的金硅面垒探测器,将其组装成性能优良的6LiF夹心谱仪效应探头和本底探头。 展开更多

关键词 ^6LiF夹心谱仪 金硅面垒探测器 能量分辨率 死层

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两种用于氡气测量装置的电荷灵敏前置放大器的研制 被引量：4

6

作者 耿波 方方 +1 位作者 张国华 郑奕挺 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期813-815,805,共4页

介绍了两种用于氡气测量装置的电荷灵敏前置放大器的实例,给出了设计思想、调试过程和技术指标,说明了它们不同的应用场合。

关键词 金硅面垒探测器 电荷灵敏 前置放大器 氡气测量

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基于离散小波变换的低水平α能谱光滑与评价 被引量：4

7

作者 石睿 庹先国 +4 位作者 张金钊 李平川 王旭 刘明哲 成毅 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期7-11,共5页

低水平α能谱测量中,由于α射线的统计涨落和探测器电子学电路的噪声,所得α能谱有严重的谱线噪声。为给精确的α能谱解谱工作做预处理,我们用基于金硅面垒探测器的便携式α能谱仪,在不同真空度下测量239Pu的α能谱,将离散小波变换法应... 低水平α能谱测量中,由于α射线的统计涨落和探测器电子学电路的噪声,所得α能谱有严重的谱线噪声。为给精确的α能谱解谱工作做预处理,我们用基于金硅面垒探测器的便携式α能谱仪,在不同真空度下测量239Pu的α能谱,将离散小波变换法应用于α能谱去噪光滑处理,并提出光滑效果评价的新方法。结果表明,与传统多项式最小二乘法相比较,对低水平、高噪声的α能谱去噪,离散小波变换法效果更优。 展开更多

关键词 低水平α能谱 金硅面垒探测器 离散小波变换 光滑效果评价

原文传递

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 被引量：2

8

作者 刘宗顺 赵德刚 +8 位作者 朱建军 张书明 段俐宏 王海 史永生 刘文宝 张爽 江德生 杨辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期592-596,共5页

制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长35... 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010cm-2. 展开更多

关键词 肖特基势垒 紫外探测器 GaN 开路电压 禁带边 表面态

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RHZM-Ⅰ型氡及其子体连续监测仪 被引量：5

9

作者 张文涛 李爱武 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期816-818,共3页

介绍了一种新型的氡及其子体连续监测仪,它采用特殊设计的静电高压收集衰变室(圆柱体筒)、专用泵取样气路系统以及入口过滤和探测装置、纯氡探测装置。含有两个探测器(测量氡子体的(?)20mm的硅探测器和测量氡浓度的(?)30mm金硅面垒探测... 介绍了一种新型的氡及其子体连续监测仪,它采用特殊设计的静电高压收集衰变室(圆柱体筒)、专用泵取样气路系统以及入口过滤和探测装置、纯氡探测装置。含有两个探测器(测量氡子体的(?)20mm的硅探测器和测量氡浓度的(?)30mm金硅面垒探测器)。计数容量99999999;测量范围:氡浓度0-10MBq/m3,氡子体浓度0-1MBq/m3,氡子体α潜能浓度0-0.01J/m3。具有体积小、灵敏度高、响应时间快、操作方便、自动显示、数据存储、串口传输与打印、超阈报警等特点。能实时显示计数,并在设置的时间间隔内,仪器以两种方式给出氡浓度、氡子体浓度或总α潜能浓度。 展开更多

关键词 硅探测器 金硅面垒探测器 静电高压收集衰变室 氡浓度 氡子体浓度 总α潜能

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金硅面垒探测器的修复与保养 被引量：1

10

作者 杨明太 高戈 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期785-787,共3页

介绍了金硅面垒探测器因放射性的污染或粉尘、油渍等污物的沾附,致使其性能变坏而无法正常使用时,通过清洗和一定的处置使其性能恢复的方法。同时,还叙述了金硅面垒探测器的维护保养方法和使用注意事项。

关键词 金硅面垒探测器 性能修复 保养方法 放射性污染

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241Am/Pu的α放射性比值测定方法的研究及应用 被引量：1

11

作者 乔盛忠 佟伯庭 刘亨军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期34-40,共7页

该工作采用 Si(Au)面垒型高分辨率α谱仪和一纯 Pu 源及纯 Am,对^(241)Am/Pu α放射性比值的测定进行了实验研究,并建立了一种经验的计算公式。应用所建立的方法测定了1AW 高放废液中^(241)Am/Pu 的α放射性的比例,根据这个实验结果,再... 该工作采用 Si(Au)面垒型高分辨率α谱仪和一纯 Pu 源及纯 Am,对^(241)Am/Pu α放射性比值的测定进行了实验研究,并建立了一种经验的计算公式。应用所建立的方法测定了1AW 高放废液中^(241)Am/Pu 的α放射性的比例,根据这个实验结果,再根据采用经效率校正的电离室所测定的各种样品的总α放射性,确定了各种废液中 Pu,Am 及其它核素的含量。 展开更多

关键词 核素 镅 钚 Α放射性 高放废液

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通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究 被引量：1

12

作者 王铁山 王志国 高东风 《核电子学与探测技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期17-21,共5页

重点研讨通过改变探测器偏压，进而改变探测器的ＰＮ 结（有效探测灵敏区）厚度，实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了３ＭｅＶ质子和６．０５ＭｅＶ α粒子在金硅面垒探测器Ｓｉ（Ａｕ）中的能损与探测... 重点研讨通过改变探测器偏压，进而改变探测器的ＰＮ 结（有效探测灵敏区）厚度，实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了３ＭｅＶ质子和６．０５ＭｅＶ α粒子在金硅面垒探测器Ｓｉ（Ａｕ）中的能损与探测器偏压关系曲线。同时利用刻度过的探测器鉴别氘离子束轰击氘钛（ＴｉＤＸ）靶发射的带电粒子能谱。在很强的本底情况下通过调节探测器偏压（灵敏区厚度）实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测量。 展开更多

关键词 金硅面垒探测器 带电粒子鉴别 D-D反应 D-T反应

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硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响

13

作者 白雪平 李华高 +2 位作者 熊平 李立 陈红兵 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期516-519,共4页

利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50... 利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。 展开更多

关键词 红外肖特基势垒探测器 表面处理 PTSI 截止波长

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在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法

14

作者 宋张勇 杨治虎 +8 位作者 阮芳芳 张宏强 邵健雄 崔莹 谢江山 高志民 邵曹杰 卢荣春 蔡晓红 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1000-1004,共5页

在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象。猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析。由于这对重离子-原子碰撞实验中测量... 在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象。猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析。由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果。 展开更多

关键词 Si(Au)面垒半导体探测器 入射窗 峰道址

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金硅面垒探测器中超薄氧化膜的研究

15

作者 蒋锦江 严美琼 +1 位作者 申勇 林理彬 《核电子学与探测技术》 CAS 1987年第2期65-68,共4页

采用激光椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪和电学方法等手段对面垒探测器中的Au-Si界面进行了研究。实验结果表明,在Au-Si之间存在一层数纳米厚的薄氧化层,它的成分和结构与制作工艺有关,通常是不完全氧化膜,它的存在对探测器性能有重大作用。

关键词 面垒探测器 超薄氧化层 激光椭圆偏振仪 俄歇电子能谱

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快速氡浓度检测仪设计

16

作者 王磊 庹先国 +1 位作者 王笑非 李哲 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期994-997,共4页

介绍一种快速氡浓度检测仪的设计方法。通过对^(222)Rn、^(220)Rn及它们的子体^(218)Po(RaA)、^(214)Pb(RaB)、^(214)Bi(RaC)、^(214)Po(RaC')、^(216)Po、^(212)Po的半衰期的分析及氡浓度测量原理分析,进行采取增加导管长度、两级... 介绍一种快速氡浓度检测仪的设计方法。通过对^(222)Rn、^(220)Rn及它们的子体^(218)Po(RaA)、^(214)Pb(RaB)、^(214)Bi(RaC)、^(214)Po(RaC')、^(216)Po、^(212)Po的半衰期的分析及氡浓度测量原理分析,进行采取增加导管长度、两级过滤器的设计方法,将^(222)Rn和^(220)Rn已经衰变子体进行滤除,采用正高压半球形采集仓增加了对氡子体的吸附能力,提高了探测效率。还给出了电子学硬件框图和嵌入式软件流程图。最后给出了与RAD7对比测试结果。 展开更多

关键词 氡浓度 半衰期 金硅面垒探测器 α能谱 泵吸式

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用于氡气测量装置的探测器总成的设计与实现

17

作者 耿波 张国华 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期568-571,共4页

介绍了一种基于静电扩散法的氡气测量装置的探测器总成,它采用由硅胶干燥器、双层滤膜、高压静电收集衰变室和微型气泵构成的采样气路收集氡,利用金硅面垒探测器,电荷灵敏放大器对衰变室内氡的子体进行探测,并配有峰值保持电路。

关键词 氡浓度 金硅面垒探测器 电荷灵敏 峰值展宽电路

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金硅面垒^8Be探测器的研制

18

作者 王柱生 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期670-671,共2页

介绍了金硅面垒8Be探测器的制造工艺和测试结果.有效面积157～570mm2,厚度为280μm,工作电压100～150V时,其漏电流0.04～0.12μA.对于8.78MeV α粒子的能量分辨率为0.54%～0.80%,用该探测器通过对8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能... 介绍了金硅面垒8Be探测器的制造工艺和测试结果.有效面积157～570mm2,厚度为280μm,工作电压100～150V时,其漏电流0.04～0.12μA.对于8.78MeV α粒子的能量分辨率为0.54%～0.80%,用该探测器通过对8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋. 展开更多

关键词 激发能 自旋 能级 能量分辨率 探测器 带电粒子 关联 有效面积 漏电流 工作电压

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金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置 被引量：1

19

作者 张阳 金华 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1462-1466,共5页

讨论了金硅面垒型探测器及电荷灵敏放大器的工作原理,并针对金硅面垒型半导体探测器设计了专用电荷灵敏放大装置。采用晶体管2N3903为核心电荷灵敏放大器,设计由AD812三级放大电路及MAX913甄别电路组成的信号放大整形电路。设计双金硅... 讨论了金硅面垒型探测器及电荷灵敏放大器的工作原理,并针对金硅面垒型半导体探测器设计了专用电荷灵敏放大装置。采用晶体管2N3903为核心电荷灵敏放大器,设计由AD812三级放大电路及MAX913甄别电路组成的信号放大整形电路。设计双金硅面探测器结构及专门的电磁屏蔽措施提高装置的灵敏度及抗电磁干扰能力。该专用电荷灵敏放大装置工作稳定可靠,并具有宽响应带宽、高灵敏度及强抗干扰能力。 展开更多

关键词 金硅面垒型半导体探测器 电荷灵敏放大器 电磁屏蔽 双探测器结构

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离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较 被引量：2

20

作者 崔晓辉 谷铁男 +3 位作者 张燕 袁宝吉 刘明健 闫学昆 《辐射防护通讯》 2011年第2期26-28,共3页

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特... 半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。 展开更多

关键词 半导体探测器 温度特性 离子注入型 金硅面垒型

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