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CdCl_2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究
被引量:
3
1
作者
黄小融
张静全
+2 位作者
郑家贵
黎兵
蔡伟
《四川师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1999年第4期419-422,共4页
对CdS薄膜用不同浓度的CdCl2溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σd和电导激活能Ea随CdCl2溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用CdCl2处理再退火的样品,暗电导率σd随温度T变化的关系(lnσd...
对CdS薄膜用不同浓度的CdCl2溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σd和电导激活能Ea随CdCl2溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用CdCl2处理再退火的样品,暗电导率σd随温度T变化的关系(lnσd1000/T)为分段直线,对应于不同的Ea.本文就上述结果进行了讨论,并用Cl-的扩散进行了解释.
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关键词
退火
硫化镉
多晶薄膜
氯化镉处理
电学性质
下载PDF
职称材料
题名
CdCl_2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究
被引量:
3
1
作者
黄小融
张静全
郑家贵
黎兵
蔡伟
机构
四川师范大学化学系
贵州师范大学物理系
四川大学材料科学系
出处
《四川师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1999年第4期419-422,共4页
基金
国家"九五"攻关项目
文摘
对CdS薄膜用不同浓度的CdCl2溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σd和电导激活能Ea随CdCl2溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用CdCl2处理再退火的样品,暗电导率σd随温度T变化的关系(lnσd1000/T)为分段直线,对应于不同的Ea.本文就上述结果进行了讨论,并用Cl-的扩散进行了解释.
关键词
退火
硫化镉
多晶薄膜
氯化镉处理
电学性质
Keywords
CdS film
cdcl 2 treatment
Annealing
Conductivity
Activation energy
分类号
TN304.251 [电子电信—物理电子学]
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CdCl_2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究
黄小融
张静全
郑家贵
黎兵
蔡伟
《四川师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1999
3
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职称材料
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