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电泳沉积PVDF/Al/CuO复合含能薄膜及其燃烧性能研究
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作者 胡祥 王宇 +3 位作者 王玉滢 齐梦迪 马自力 尹艳君 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期30-35,共6页
基于含氟聚合物的强氧化及含氟量高的特性,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为代表,通过电泳技术,采用石胆酸(LCA)作为表面活性剂,制备了PVDF/Al/CuO有机/无机杂化含能薄膜,并对其组分、结构、形貌及含能特性进行了系统的表征。结果表明:PVDF电泳... 基于含氟聚合物的强氧化及含氟量高的特性,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为代表,通过电泳技术,采用石胆酸(LCA)作为表面活性剂,制备了PVDF/Al/CuO有机/无机杂化含能薄膜,并对其组分、结构、形貌及含能特性进行了系统的表征。结果表明:PVDF电泳沉积过程中石胆酸的最佳添加剂量为3mL(1wt%);当PVDF添加量为2wt%时,PVDF/Al/CuO复合薄膜的燃烧性能最好,热释放能量达3924J/g,远远高于Al/CuO的热释放能量。产生上述实验结果的主要原因是PVDF本身具有氧化特性,能够与铝发生化学反应,释放热量;此外,PVDF热分解产生的氟能够腐蚀铝表面的钝化膜,进而释放活性铝,极大提升了Al/CuO体系的能量释放效果。 展开更多
关键词 电泳沉积 PVDF/Al/cuo含能薄膜 燃烧现象
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氧气压强对脉冲激光沉积法制备的CuO薄膜性能的影响
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作者 向玉春 朱建雷 袁亚 《真空》 CAS 2023年第3期42-45,共4页
采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜,研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明:在氧压为3×10^(-3)Pa,3~5Pa,和8~12Pa时,沉积的薄膜分别为单一Cu_(2)O相、混合Cu_(2)O/CuO相和单一CuO相;当氧压从... 采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜,研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明:在氧压为3×10^(-3)Pa,3~5Pa,和8~12Pa时,沉积的薄膜分别为单一Cu_(2)O相、混合Cu_(2)O/CuO相和单一CuO相;当氧压从5Pa增加到8Pa时,CuO薄膜的取向从(111)变化到(002);霍尔测试表明,在3~5Pa下沉积的CuO薄膜为p型,而在8~12Pa下沉积的薄膜为n型;氧气压强为5Pa时,薄膜电阻率较小,载流子浓度最大。 展开更多
关键词 氧化铜薄膜 半导体 脉冲激光沉积法 电学性能 光学性能
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Nanocrystalline CuO Thin Films for H<sub>2</sub>S Monitoring: Microstructural and Optoelectronic Characterization
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作者 Vikas Patil Datta Jundale +5 位作者 Shailesh Pawar Manik Chougule Prsad Godse Sanjay Patil Bharat Raut Shashwati Sen 《Journal of Sensor Technology》 2011年第2期36-46,共11页
Nanocrystalline copper oxide (CuO) thin films were deposited onto glass substrates by a spin coating technique using an aqueous solution of copper acetate. These films were characterized for their structural, mor-phol... Nanocrystalline copper oxide (CuO) thin films were deposited onto glass substrates by a spin coating technique using an aqueous solution of copper acetate. These films were characterized for their structural, mor-phological, optoelectronic properties by means of X-ray diffraction (XRD) scanning electron microscopy (SEM), UVspectroscopy and four probe method. The CuO films are oriented along (1 1 1) plane with the monoclinic crystal structure. These films were utilized in H2S sensors. The dependence of the H2S response on the operating temperature, H2S concentration of CuO film (annealed at 700。C) was investigated. The CuO film showed selectivity for H2S. The maximum H2S response of 25.2 % for the CuO film at gas concentra-tion of 100 ppm at operating temperature 200oC was achieved. 展开更多
关键词 cuo Thin films Structural PROPERTIES OPTOELECTRONIC PROPERTIES H2S Sensor
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A Comparison of Optical Properties of CuO and Cu<sub>2</sub>O Thin Films for Solar Cell Applications
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作者 Radu Bunea Ashwin Kumar Saikumar Kalpathy Sundaram 《Materials Sciences and Applications》 2021年第7期315-329,共15页
Solar energy is becoming more popular and widespread, and consequently, the materials to manufacture solar cells are becoming more limited and costly. Therefore, in order to keep solar energy affordable and available,... Solar energy is becoming more popular and widespread, and consequently, the materials to manufacture solar cells are becoming more limited and costly. Therefore, in order to keep solar energy affordable and available, we must research alternative materials such as copper oxides. Some benefits of copper oxides include being available in abundance, affordable, low toxicity, low bandgap, and a high absorption coefficient—all of which contribute to it being a valuable interest for the manufacturing of solar cells. In this study, CuO thin films were synthesized utilizing RF sputtering technique with deposition occurring at room temperature followed by thermal annealing between 100°C and 400<span style="white-space:normal;">°</span>C and using different gases, oxygen (O<sub>2</sub>) (oxidizing and reactive gas) and nitrogen (N<sub>2</sub>) (inert gas), besides air. Afterwards, these thin films were evaluated for a range of wavelengths: 200 - 400 nm (UV spectrum), 400 - 700 nm (Visible spectrum), and 700 - 800 nm (IR spectrum), for both, optical transmittance and photoluminescence. In addition, the CuO results were compared to our Cu<sub>2</sub>O results from a previous study to assess their differences. In the results of this study, the CuO thin film initially had a bandgap of 2.19 eV at room temperature, and by increasing the annealing temperature to different levels, the bandgap decreased respectively. The presence of air in the chamber allowed for the highest decrease, followed by the nitrogen (N<sub>2</sub>) and the lowest decrease was observed in the presence of oxygen (O<sub>2</sub>). This was reflected in the decrease in the bandgap values from 2.19 eV (room temperature) to 2.05 eV for the films annealed at 400<span style="white-space:normal;">°</span>C. 展开更多
关键词 Cu2O Thin film cuo Thin film Optical Properties Bandgap Photoluminescence
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CuO薄膜的制备及其光伏特性 被引量:3
5
作者 张君善 郭林肖 +3 位作者 高斐 刘晓静 宋美周 李宁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期700-703,共4页
通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n... 通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在AM 1.5光照条件下p-CuO/n-Si电池的开路电压为0.33V,短路电流密度为6.27mA/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41%. 展开更多
关键词 cuo薄膜 磁控溅射 P-N结 光伏特性
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CuO-Zr复合膜的制备及其反应光声光谱研究 被引量:4
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作者 胡艳 崔庆华 +1 位作者 叶迎华 沈瑞琪 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期25-28,共4页
以CuO和Zr为靶材,利用磁控溅射技术,采用最佳工艺条件,在载玻片衬底上沉积了Zr/CuO和CuO/Zr复合膜。利用X射线衍射、扫描电镜和反应性光声光谱技术分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和反应特性进行了分析和表征。结果表明:复合膜中的Z... 以CuO和Zr为靶材,利用磁控溅射技术,采用最佳工艺条件,在载玻片衬底上沉积了Zr/CuO和CuO/Zr复合膜。利用X射线衍射、扫描电镜和反应性光声光谱技术分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和反应特性进行了分析和表征。结果表明:复合膜中的Zr和CuO均以晶相形式存在,复合膜由近似球状的纳米粒子构成,在激光能量的刺激下CuO-Zr复合薄膜发生了氧化-还原反应。 展开更多
关键词 磁控溅射 cuo薄膜 Zr薄膜 反应性光声光谱
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介电式Al/CuO复合薄膜点火桥的电爆性能 被引量:8
7
作者 朱朋 周翔 +2 位作者 沈瑞琪 叶迎华 胡艳 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期366-369,共4页
提出了"介电式复合薄膜点火桥"的概念,并以Al膜作电极,CuO膜作电介质层,用微细加工技术制备了介电式Al/CuO复合薄膜点火桥样品,尺寸为2000μm×2000μm×2.6μm,电阻值约4Ω。用60 V以上恒压源可激发点火桥发生电爆炸,电爆过... 提出了"介电式复合薄膜点火桥"的概念,并以Al膜作电极,CuO膜作电介质层,用微细加工技术制备了介电式Al/CuO复合薄膜点火桥样品,尺寸为2000μm×2000μm×2.6μm,电阻值约4Ω。用60 V以上恒压源可激发点火桥发生电爆炸,电爆过程中Al/CuO复合薄膜发生了氧化还原反应,生成的单质Cu使点火桥产生了延迟放电效应。用原子发射光谱双谱线法测试了60 V和80 V激发时点火桥的电爆炸温度和持续时间。60 V激发时点火桥电爆炸温度主要分布在2500~3500 K,持续时间约0.35 ms;80 V激发时点火桥电爆炸温度主要分布在3500~4000 K,持续时间约0.55 ms。 展开更多
关键词 军事化学与烟火技术 介电式 Al/cuo复合薄膜 点火桥 电爆性能
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脉冲准分子激光CuO-SnO_2薄膜沉积及其结构分析 被引量:7
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作者 方国家 刘祖黎 +4 位作者 张增常 王豫 刘春 王昕玮 姚凯伦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期653-657,共5页
采用脉冲准分子激光沉积(PLD)技术,分别在Si(111)单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高a轴(200)取向的CuO掺杂的SnO2薄膜。X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM扫描附件)分析表明:在Si(111)片上沉... 采用脉冲准分子激光沉积(PLD)技术,分别在Si(111)单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高a轴(200)取向的CuO掺杂的SnO2薄膜。X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM扫描附件)分析表明:在Si(111)片上沉积,400~500℃退火温度处理的薄膜,只有(200)峰存在;当退火温度升高到600~700℃时,SnO2的其余诸峰相应出现,薄膜呈多晶态,取向度降低,晶粒尺寸变大,晶粒分界明显.在玻璃基片上沉积的薄膜,经400℃低温处理后,(200)取向度很小;随着退火温度的升高,达到500℃时薄膜呈高a轴(200)取向生长,结晶度较好,晶粒分布均匀. 展开更多
关键词 薄膜 氧化铜 结构分析 脉冲准分子激光 氧化锡
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多晶硅与Al/CuO复合薄膜集成的含能点火器件的点火性能 被引量:7
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作者 李勇 王军 +2 位作者 高泽志 周彬 沈瑞琪 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期182-187,共6页
为研究多晶硅桥型与尺寸对Al/Cu O含能点火器件点火性能的影响规律,用多晶硅和Al/Cu O复合薄膜集成制备了6种不同形状和尺寸的含能点火器件,采用尼亚D-最优感度试验法测试了四种尺寸、两种桥形共6种类型(S、M、Lr、Lv、Hr、Hv)点火器件... 为研究多晶硅桥型与尺寸对Al/Cu O含能点火器件点火性能的影响规律,用多晶硅和Al/Cu O复合薄膜集成制备了6种不同形状和尺寸的含能点火器件,采用尼亚D-最优感度试验法测试了四种尺寸、两种桥形共6种类型(S、M、Lr、Lv、Hr、Hv)点火器件的点火感度。探索了临界爆发电压,得到了点火时间随激励电压的变化规律。采用感度实验和点火实验对比研究了多晶硅点火器件和含能点火器件的点火性能。结果表明,含能点火器件的感度与点火时间随桥膜体积的增大而减小。V形桥膜有助于降低作用时间与作用所需能量。Lv型含能点火器件感度为8.19 V,标准偏差0.14,均低于Lv型多晶硅点火器件(8.70 V、0.53)。Lv型含能点火器件14 V时的点火时间(52.85μs)比多晶硅点火器件点火时间(109.12μs)短,且该差值随激励能量升高而降低。 展开更多
关键词 点火器件 含能复合薄膜 Al/cuo 多晶硅 点火性能
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磁控溅射法制备SnO_2-CuO薄膜及其气敏特性研究 被引量:1
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作者 杜鹏 邱美艳 +1 位作者 孙以材 潘国锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期781-784,共4页
用直流磁控溅射法分别在Si及陶瓷管上制备掺有CuO的SnO2纳米薄膜,并用马弗炉进行500℃和700℃的退火处理。利用气敏测试系统对各样品进行气敏特性测试,500℃退火的样品对几种被测气体基本都有较高的灵敏度,且随着工作温度的提升,气敏特... 用直流磁控溅射法分别在Si及陶瓷管上制备掺有CuO的SnO2纳米薄膜,并用马弗炉进行500℃和700℃的退火处理。利用气敏测试系统对各样品进行气敏特性测试,500℃退火的样品对几种被测气体基本都有较高的灵敏度,且随着工作温度的提升,气敏特性下降。700℃退火的样品对乙醇具有很好的选择性,表现较好的灵敏度,当最佳工作电压为6.5 V时,在乙醇气体小注入条件下,对样品的测试体现了样品良好的气敏特性。 展开更多
关键词 SnO2-cuo薄膜 气敏特性 灵敏度 掺杂
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电泳沉积法制备CuO薄膜的微观结构分析 被引量:1
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作者 石锋 李玉国 孙钦军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期87-89,共3页
在经清洗后的硅(111)衬底上,分别采用电泳过程中氧化制备CuO薄膜和电泳制备Cu膜后退火氧化制备CuO薄膜。用XRD和SEM对薄膜样品进行了组分、表面形貌等微观结构的分析,发现两种方法制备的CuO薄膜的组分基本一致,但形貌完全不同,前者是由... 在经清洗后的硅(111)衬底上,分别采用电泳过程中氧化制备CuO薄膜和电泳制备Cu膜后退火氧化制备CuO薄膜。用XRD和SEM对薄膜样品进行了组分、表面形貌等微观结构的分析,发现两种方法制备的CuO薄膜的组分基本一致,但形貌完全不同,前者是由非常均匀的CuO小颗粒(200nm)相连而成团簇状,后者是由一些大小均匀的半径约为200nm的CuO小颗粒和气孔相互交融紧密连接而成的条状或块状。电泳过程中氧化制备的CuO薄膜结晶质量较好。 展开更多
关键词 电泳沉积法 cuo薄膜 微观结构
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CuO掺杂SrFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3-δ)负温度系数厚膜热敏电阻的电学性能 被引量:3
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作者 袁昌来 巫秀芳 +4 位作者 刘心宇 黄静月 李擘 梁梅芳 莫崇贵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期387-392,共6页
采用印刷法制备了CuO掺杂SrFe0.9Sn0.1O3-δ(CSFS)厚膜负温度系数(NTC)热敏电阻(掺杂量为20mol%~50mol%).对其微观结构及电性能研究发现:随着CuO掺杂含量的增加,厚膜表面变得更加致密,室温电阻逐渐降低至0.46 M?,而热敏常数基... 采用印刷法制备了CuO掺杂SrFe0.9Sn0.1O3-δ(CSFS)厚膜负温度系数(NTC)热敏电阻(掺杂量为20mol%~50mol%).对其微观结构及电性能研究发现:随着CuO掺杂含量的增加,厚膜表面变得更加致密,室温电阻逐渐降低至0.46 M?,而热敏常数基本保持在3300K附近.CuO的加入导致SrFe0.9Sn0.1O3-δ分裂成多种铁含量更低的SrFe1-xSnxO3-δ物相(0. 展开更多
关键词 SrFe0.9Sn0.1O3-δ 厚膜NTC热敏电阻 cuo 阻抗分析
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纳米结构CuO/Ti薄膜催化剂的制备及其催化对硝基苯酚还原研究 被引量:1
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作者 李浩 邹秀婷 +2 位作者 廖锦云 王海涛 张喜斌 《惠州学院学报》 2016年第3期1-4,共4页
采用水热法制备出了负载于钛片基材上的氧化铜薄膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征。SEM照片显示氧化铜薄膜由许多厚度约为10 nm的氧化铜纳米片所组成,XRD谱图显示氧化铜为面心立方结构。以水合肼还原对硝... 采用水热法制备出了负载于钛片基材上的氧化铜薄膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征。SEM照片显示氧化铜薄膜由许多厚度约为10 nm的氧化铜纳米片所组成,XRD谱图显示氧化铜为面心立方结构。以水合肼还原对硝基苯酚为模型反应考察了所制备的薄膜催化剂的催化性能,研究发现催化过程中氢氧化钠用量对水合肼还原对硝基苯酚的速率有显著影响。在氢氧化钠用量为0.8-1.6克的范围内,对硝基苯酚还原速率随着氢氧化钠用量的增加显著增加,进一步增加其用量则导致对硝基苯酚还原速率的下降。表明动力学计算,Cu O/Ti催化水合肼还原对硝基苯酚反应的表观活化能仅为28.0 k J/mol,证实了所制备的薄膜催化剂具有很高的催化活性。 展开更多
关键词 氧化铜 薄膜 催化剂 对硝基苯酚
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预涂CuO的二氧化钛薄膜光催化性能与结构研究 被引量:4
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作者 任成军 钟本和 陈国强 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期828-831,共4页
载波片上浸涂一层CuO的TiO2薄膜会诱导金红石相生成,并有效提高其光催化活性,其中预涂一层含量1.0%(质量分数,下同)Cu(CH3COO)2水溶液其光催化活性增幅最大(提高53%)。结果表明:TiO2薄膜晶格畸变越大,金红石型TiO2含量越高,薄膜光催化... 载波片上浸涂一层CuO的TiO2薄膜会诱导金红石相生成,并有效提高其光催化活性,其中预涂一层含量1.0%(质量分数,下同)Cu(CH3COO)2水溶液其光催化活性增幅最大(提高53%)。结果表明:TiO2薄膜晶格畸变越大,金红石型TiO2含量越高,薄膜光催化性能就越好。扫描电镜显示预涂一层CuO的TiO2薄膜颗粒粒径较纯TiO2薄膜小。X射线光电子能谱研究表明,预涂一层CuO的TiO2薄膜中Ti3+含量较纯TiO2薄膜高。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 预涂cuo 光催化活性 微结构
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内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善 被引量:1
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作者 聂国政 邹代峰 +1 位作者 钟春良 许英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第22期426-432,共7页
制备了基于内嵌氧化物铜(CuO)薄膜的并五苯薄膜晶体管器件.将3 nm CuO薄膜内嵌入到并五苯(pentacene)中,作为空穴注入层,降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒.相对于纯并五苯薄膜晶体管器件,研制的晶体管的迁移率、阈值电压(VTH)、电流... 制备了基于内嵌氧化物铜(CuO)薄膜的并五苯薄膜晶体管器件.将3 nm CuO薄膜内嵌入到并五苯(pentacene)中,作为空穴注入层,降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒.相对于纯并五苯薄膜晶体管器件,研制的晶体管的迁移率、阈值电压(VTH)、电流开关比(Ion/Ioff)等参数都有明显改善.X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯向CuO的电子转移. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 cuo 电子转移 接触电阻
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Cu2O的生成对CuO纳米薄膜电极锂离子电池特性的影响
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作者 衡伯军 卿晨 +3 位作者 汪海 孙大明 王碧霄 唐一文 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2016年第6期421-427,共7页
以铜箔为基底,采用一步水热法制备CuO纳米结构薄膜,通过XRD、SEM、XPS对所制薄膜的形貌、成分进行分析,并测试CuO薄膜电极的锂离子电池特性,研究铜基底与CuO薄膜之间生成的Cu_2O对电池性能的影响。结果表明,较高反应温度有利于铜基底和... 以铜箔为基底,采用一步水热法制备CuO纳米结构薄膜,通过XRD、SEM、XPS对所制薄膜的形貌、成分进行分析,并测试CuO薄膜电极的锂离子电池特性,研究铜基底与CuO薄膜之间生成的Cu_2O对电池性能的影响。结果表明,较高反应温度有利于铜基底和薄膜之间Cu_2O的生成,且利于改善CuO薄膜纳米结构;140℃反应温度下生长出的CuO薄膜电极,其比电容和电容保持率均高于80℃反应温度下生长出的CuO薄膜电极,其电池循环能力更强,这与铜基底和CuO薄膜之间产生的Cu_2O层有关。 展开更多
关键词 cuo 纳米薄膜电极 锂离子电池 CU2O 铜箔
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CuO薄膜与过氧化氢协同光催化降解甲基橙
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作者 徐玲 刘昌龄 +3 位作者 徐海燕 吴世彪 王峰 李春艳 《合肥师范学院学报》 2012年第3期76-79,共4页
本文以Cu(NO3)2.3H2O为铜源,浓氨水为络合剂和NaOH调节溶液的pH,采用化学浴法(CBD)制备了CuO薄膜。通过X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其光催化前后的结构和形貌进行了表征。将CuO薄膜放在含有H2O2的甲基橙溶液中,经不同光源... 本文以Cu(NO3)2.3H2O为铜源,浓氨水为络合剂和NaOH调节溶液的pH,采用化学浴法(CBD)制备了CuO薄膜。通过X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其光催化前后的结构和形貌进行了表征。将CuO薄膜放在含有H2O2的甲基橙溶液中,经不同光源照射一定时间后,取其溶液进行可见分光光度分析来研究CuO薄膜的光催化性能。试验结果表明:紫外灯光源下,当催化剂CuO薄膜的表面积为12.50cm2、3.0%H2O2用量为40.0ml、pH=7时,降解甲基橙溶液的效果较好,光照10min后降解率就达到100.0%;不加H2O2时,需光照40min降解率才能达到100.0%,说明H2O2对CuO膜光催化降解甲基橙起到协同促进作用。 展开更多
关键词 cuo薄膜 甲基橙 光催化 降解
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高温超导Bi_2Sr_(1.6)La_(0.6)CuO_6外延薄膜生长模式的AFM研究
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作者 陶宏杰 杨海涛 +3 位作者 张鹰子 杨多贵 李林 赵忠贤 《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第1期76-79,共4页
利用AFM对在(100)和与(100)有6°切偏角的SrTiO3基片上用射频溅射方法制备的高温超导Bi2Sr1.6La0.4CuO6+δ(Bi2201)薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片,... 利用AFM对在(100)和与(100)有6°切偏角的SrTiO3基片上用射频溅射方法制备的高温超导Bi2Sr1.6La0.4CuO6+δ(Bi2201)薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片,实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于0.4°的(100)SrTiO3基片,本征的生长模式是梯田岛模式(Volmer-Weber模式),每层的厚度为c/2(1.25nm);在切偏角为6°的衬底上沉积的Bi2201薄膜则以台阶流模式(Step-flowmode)生长。Bi系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。 展开更多
关键词 原子力显微学 外延膜生长 超导体 BSLCO 高TC
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纳米Al/CuO含能复合薄膜的反应性研究进展 被引量:3
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作者 史安然 鲍立荣 +3 位作者 张伟 陈芷怡 沈瑞琪 叶迎华 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期262-275,共14页
亚稳态分子间复合物(Metastable Intermolecular Composites,MICs)具有超高的反应速率、高体积能量密度、微米级的临界反应传播尺寸等优点,在微型含能器件和火箭推进剂等领域展现出广阔的应用前景。纳米Al/CuO含能复合薄膜是当前亚稳态... 亚稳态分子间复合物(Metastable Intermolecular Composites,MICs)具有超高的反应速率、高体积能量密度、微米级的临界反应传播尺寸等优点,在微型含能器件和火箭推进剂等领域展现出广阔的应用前景。纳米Al/CuO含能复合薄膜是当前亚稳态分子间复合物领域的研究热点之一,其利用气相沉积方法进行制备,与含能微机电系统(Microelectromechanical Systems,MEMS)的微细加工工艺兼容,在集成化含能器件方面具有极大的应用前景。本文综述了纳米Al/CuO含能复合薄膜的制备、热性能、燃烧性能、反应动力学以及过渡层对其反应性的影响、含能器件(点火器)及其应用技术方面的研究,并对纳米Al/CuO含能复合薄膜的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 纳米Al/cuo含能复合薄膜 反应性 含能器件 研究进展
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溅射沉积CuO薄膜的光学和电学特性 被引量:3
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作者 王俪蓉 刘卫国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期722-726,共5页
以金属铜为靶材,氧气为反应气体,保持200℃的基底温度不变,通过调节氧氩比(OFR)和反应压强,利用直流反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了一系列氧化铜薄膜。利用能谱对薄膜材料的元素含量进行测量和分析,结果显示:OFR=1∶1和2∶1时,... 以金属铜为靶材,氧气为反应气体,保持200℃的基底温度不变,通过调节氧氩比(OFR)和反应压强,利用直流反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了一系列氧化铜薄膜。利用能谱对薄膜材料的元素含量进行测量和分析,结果显示:OFR=1∶1和2∶1时,铜元素和氧元素的含量比约在0.90-0.97的范围内变动。用四探针测试仪对薄膜的电阻率进行测量,用分光光度计测量薄膜的透过率,并用外推法推导出氧化铜薄膜的禁带宽度。利用霍尔效应测试仪对薄膜的电学参数进行测量和分析。 展开更多
关键词 cuo薄膜 禁带宽度 反应磁控溅射 Cu2O薄膜
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