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一种带有尾电流源反馈的FBAR振荡器
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作者 丁增辉 黄继伟 《微电子学与计算机》 2024年第1期113-117,共5页
为改善振荡器相位噪声性能,设计了一种带有尾电流源反馈的薄膜体声波谐振器(FBAR)振荡器。研究表明,尾电流源晶体管闪烁噪声和谐振回路是振荡器相位噪声的主要来源。为了降低尾电流源晶体管闪烁噪声对振荡器相位噪声的影响,采用两组对... 为改善振荡器相位噪声性能,设计了一种带有尾电流源反馈的薄膜体声波谐振器(FBAR)振荡器。研究表明,尾电流源晶体管闪烁噪声和谐振回路是振荡器相位噪声的主要来源。为了降低尾电流源晶体管闪烁噪声对振荡器相位噪声的影响,采用两组对称分离且工作在亚阈值区域的P型金属氧化物半导体(PMOS)偏置电流源进行尾电流反馈。与传统单个尾电流源相比,该技术具有更好的相位噪声性能。同时,基于对Hajimiri噪声模型的分析,利用尾电流源反馈技术,控制振荡器在振幅达到峰值及零穿越点时的电流大小,以进一步改善相位噪声性能。高Q值谐振器可以显著提高振荡器的整体相位噪声性能,因此,设计采用高Q值微机电系统(MEMS)器件FBAR作为谐振腔,并通过TSMC 180 nm RF CMOS工艺完成电路设计。结果表明:该振荡器输出频率为1.93 GHz,整体电路功耗为580μW,在1 kHz偏频处相位噪声为-89.7 dBc/Hz,计算得到灵敏值(Factor Of Merit,FOM)为217 dB。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 振荡器 相位噪声 尾电流源反馈
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薄膜体声波谐振器FBAR技术在滤波器的应用研究及其专利数据分析
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作者 李文婷 刘展鹏 《价值工程》 2024年第22期155-158,共4页
本文简单介绍了薄膜体声波谐振器FBAR的具体结构、工作原理以及FBAR技术的应用,重点介绍了FBAR技术在滤波器的应用及其工作原理,梳理了常见的几种FBAR滤波器结构,最后通过检索分析,从多个角度对FBAR技术在滤波器应用领域的专利申请进行... 本文简单介绍了薄膜体声波谐振器FBAR的具体结构、工作原理以及FBAR技术的应用,重点介绍了FBAR技术在滤波器的应用及其工作原理,梳理了常见的几种FBAR滤波器结构,最后通过检索分析,从多个角度对FBAR技术在滤波器应用领域的专利申请进行专利分析,为后续企业在该应用领域进行专利布局提供一定的参考价值。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 fbar滤波器 滤波器结构 专利分析
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FBAR滤波器TRL校准的仿真与测试
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作者 丁文波 徐鹏 +4 位作者 李劲 周明睿 章景恒 马新国 吕辉 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第1期138-144,共7页
针对薄膜体声波谐振腔(FBAR)滤波器测试夹具误差校准,提出一种改进的TRL校准方法,将三维电磁仿真和TRL计算结合,用于测试套件(夹具和TRL校准件)的前期设计与优化,确保TRL校准件达到足够精度。由于DUT(device under test,待测器件)参数未... 针对薄膜体声波谐振腔(FBAR)滤波器测试夹具误差校准,提出一种改进的TRL校准方法,将三维电磁仿真和TRL计算结合,用于测试套件(夹具和TRL校准件)的前期设计与优化,确保TRL校准件达到足够精度。由于DUT(device under test,待测器件)参数未知,实测中采用四种不同结构的测试套件,校准前各组测试结果差异较大,但TRL校准后高度吻合,通带内的差异小于0.2 dB,不但精准确定DUT真实参数,而且表明本TRL校准方法对于不同结构夹具去嵌入的有效性。该仿真计算不仅可以设计高精度测试套件,避免过度依靠实测,并且可与实测相互验证,并可推广到其他微波器件的测量,节省测试成本。 展开更多
关键词 TRL校准 薄膜体声波谐振腔滤波器 电磁仿真
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微型FBAR器件性能优化设计
4
作者 周晓伟 吴秀山 +1 位作者 孙坚 徐红伟 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期6-10,25,共6页
利用有限元仿真软件建立了薄膜体声波谐振器模型,研究了不同谐振面积(3600~10000μm^(2))条件下,电极形状(矩形、梯形、圆形和正五边形)及变迹角(30°、36°、40°和45°)对寄生谐振的影响,得到史密斯阻抗曲线和不圆度... 利用有限元仿真软件建立了薄膜体声波谐振器模型,研究了不同谐振面积(3600~10000μm^(2))条件下,电极形状(矩形、梯形、圆形和正五边形)及变迹角(30°、36°、40°和45°)对寄生谐振的影响,得到史密斯阻抗曲线和不圆度值,讨论了阶梯负载结构对横向声波泄露的抑制作用。仿真结果表明,电极形状为非正五边形,变迹角为40°时,对寄生谐振的抑制效果最好;在谐振面积为3600μm^(2)时,其不圆度为6.45%,与谐振面积为10000μm^(2)时矩形电极相当。设计的电极阶梯负载结构提升了并联谐振点处的品质因数,当电极横向尺寸为60μm时,二阶电极负载结构的品质因数为1378,比无电极负载结构的品质因数高10.07%。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 有限元仿真 谐振面积 寄生谐振 品质因数
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FBAR电极和压电薄膜制备工艺研究
5
作者 高渊 宋洁晶 +3 位作者 李亮 赵洋 吕鑫 冀子武 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1103-1107,共5页
薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构... 薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构。同步调节光刻胶掩膜侧壁角度和刻蚀选择比,得到了平缓的底电极侧壁角度,实现了有利于AlN溅射连续性的底电极形貌,通过调节溅射工艺中N_(2)流量组分和温度等参数得到高质量的AlN薄膜,对比不同质量分数和温度的腐蚀溶液对AlN腐蚀工艺的影响,对AlN腐蚀不净及钻蚀问题进行分析,得到最佳的AlN腐蚀条件。最终工艺优化后制备出的FBAR经测试具有良好的滤波器特性,该研究对FBAR制备工艺和性能的提升具有借鉴意义。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 溅射 刻蚀 选择比 腐蚀
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薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器研究
6
作者 廖俊杰 冯耀刚 +3 位作者 万蔡辛 蔡春华 秦明 张志强 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1669-1680,共12页
薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器具有小尺寸、高频、宽频带、高功率容量等特点,符合5G通信系统对射频滤波器的要求,因而成为射频滤波器的研究热点。对FBAR滤波器的结构原理、电路拓扑形式、关键材料和空腔结构方案四个方面进行了综合阐述... 薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器具有小尺寸、高频、宽频带、高功率容量等特点,符合5G通信系统对射频滤波器的要求,因而成为射频滤波器的研究热点。对FBAR滤波器的结构原理、电路拓扑形式、关键材料和空腔结构方案四个方面进行了综合阐述与研究。首先介绍了FBAR的基本结构、描述了其工作原理,并指出用于衡量性能优劣的两个关键参数——有效压电耦合系数k_(eff)^(2)和品质因数Q。然后概括了FBAR滤波器的电路拓扑形式,并分析了Ladder形式、Lattice形式和Ladder-Lattice组合形式三种电路拓扑形式的特点。随后研究了FBAR滤波器的关键材料——压电材料与电极材料,并进行了性能特性的比较。其次总结了FBAR的空腔工艺制备方案,重点关注硅反面刻蚀型与空气隙型两大类,并给出了对比与讨论。最后对FBAR滤波器的进一步发展做出了展望。 展开更多
关键词 MEMS fbar滤波器 电路拓扑形式 关键材料 空腔结构方案
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大于3 GHz超宽带FBAR滤波器结构设计与仿真
7
作者 陈功田 谢若渊 +2 位作者 孙景 张伟 杨斌 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第5期663-666,共4页
该文提出了一种获得相对带宽约为70.61%的基于氮化铝薄膜的超宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器的设计方法,即在中心频率为6.5 GHz下滤波器的带宽为4.835 GHz。仿真分析表明,通过串并联电感的方式,并在电感端串并联电容,可消除因增加电... 该文提出了一种获得相对带宽约为70.61%的基于氮化铝薄膜的超宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器的设计方法,即在中心频率为6.5 GHz下滤波器的带宽为4.835 GHz。仿真分析表明,通过串并联电感的方式,并在电感端串并联电容,可消除因增加电感而带来的谐波谐振点干扰对带通的影响,实现了FBAR滤波器的超宽带。该工作开辟了设计和制作带宽超过3 GHz的超宽带体声波滤波器的新途径。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 fbar滤波器 超宽带体声波滤波器 氮化铝
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FBAR技术的敏感应用与发展研究
8
作者 何杰 袁小平 +5 位作者 刘荣贵 许昕 李昕 袁媛 毛海燕 马晋毅 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期19-26,31,共9页
薄膜声体波谐振器(FBAR)技术以其频率高,品质因数(Q)高,插入损耗低,与半导体集成电路(IC)工艺兼容等优良特性在无线通信领域获得了广泛应用。基于FBAR技术的传感器具有灵敏度高,体积小,线性度好及易于集成等特点,符合目前传感器的微型... 薄膜声体波谐振器(FBAR)技术以其频率高,品质因数(Q)高,插入损耗低,与半导体集成电路(IC)工艺兼容等优良特性在无线通信领域获得了广泛应用。基于FBAR技术的传感器具有灵敏度高,体积小,线性度好及易于集成等特点,符合目前传感器的微型化、智能化、信息化的主流发展趋势。该文对FBAR传感器的研究现状、发展动向等方面进行了总结并对石英晶体微天平(QCM)、声表面波(SAW)和FBAR这几种声波质量传感器进行了比较。最后对FBAR传感器技术作了简要评述并讨论了FBAR传感器未来的发展趋势。 展开更多
关键词 薄膜声体波谐振器(fbar) fbar质量传感器 fbar物理传感器 声波质量传感器
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Portable FBAR based E-nose for cold chain real-time bananas shelf time detection 被引量:1
9
作者 Chen Wu Jiuyan Li 《Nanotechnology and Precision Engineering》 CAS CSCD 2023年第1期32-39,共8页
Being cheap,nondestructive,and easy to use,gas sensors play important roles in the food industry.However,most gas sensors are suitable more for laboratory-quality fast testing rather than for cold-chain continuous and... Being cheap,nondestructive,and easy to use,gas sensors play important roles in the food industry.However,most gas sensors are suitable more for laboratory-quality fast testing rather than for cold-chain continuous and cumulative testing.Also,an ideal electronic nose(E-nose)in a cold chain should be stable to its surroundings and remain highly accurate and portable.In this work,a portable film bulk acoustic resonator(FBAR)-based E-nose was built for real-time measurement of banana shelf time.The sensor chamber to contain the portable circuit of the E-nose is as small as a smartphone,and by introducing an air-tight FBAR as a reference,the E-nose can avoid most of the drift caused by surroundings.With the help of porous layer by layer(LBL)coating of the FBAR,the sensitivity of the E-nose is 5 ppm to ethylene and 0.5 ppm to isoamyl acetate and isoamyl butyrate,while the detection range is large enough to cover a relative humidity of 0.8.In this regard,the E-nose can easily discriminate between yellow bananas with green necks and entirely yellow bananas while allowing the bananas to maintain their biological activities in their normal storage state,thereby showing the possibility of real-time shelf time detection.This portable FBAR-based E-nose has a large testing scale,high sensitivity,good humidity tolerance,and low frequency drift to its surroundings,thereby meeting the needs of cold-chain usage. 展开更多
关键词 Film bulk acoustic resonator(fbar) Portable E-nose Real-time detection Layer by layer
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FBAR滤波器的底电极图形化工艺研究
10
作者 倪烨 任秀娟 +4 位作者 段英丽 张智欣 陈长娥 于海洋 孟腾飞 《电子与封装》 2023年第5期85-88,共4页
对薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器晶圆制造过程中的关键工艺——底电极图形化工艺进行了研究。通过优化光刻工艺中的焦面和曝光量,制作出了角度约为50°的胶图形;同时调整干法刻蚀设备的工艺参数,实现了角度为10.91°的底电极侧... 对薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器晶圆制造过程中的关键工艺——底电极图形化工艺进行了研究。通过优化光刻工艺中的焦面和曝光量,制作出了角度约为50°的胶图形;同时调整干法刻蚀设备的工艺参数,实现了角度为10.91°的底电极侧壁斜坡形貌结构,为FBAR滤波器的芯片制造工艺研究打下基础。 展开更多
关键词 fbar滤波器 晶圆制造 图形化 斜坡形貌
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边缘负载FBAR谐振器有限元仿真分析 被引量:3
11
作者 刘红斌 张铁林 +2 位作者 胡晗 衣新燕 李国强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第1期21-25,44,共6页
外部激励施加于薄膜体声波谐振器(FBAR)时会激发纵向与横向剪切的振动,引发能量损耗,为了减少寄生谐振,降低FBAR器件的工作损耗,提高器件的品质因数,故需要抑制横向剪切振动。该文采用有限元仿真法讨论了顶电极边缘负载参数对FBAR器件... 外部激励施加于薄膜体声波谐振器(FBAR)时会激发纵向与横向剪切的振动,引发能量损耗,为了减少寄生谐振,降低FBAR器件的工作损耗,提高器件的品质因数,故需要抑制横向剪切振动。该文采用有限元仿真法讨论了顶电极边缘负载参数对FBAR器件横向寄生的影响,并通过COMSOL仿真软件实现且制备了结构完整的谐振器。测试结果表明,负载结构可有效提升器件品质因数约10%。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 边缘负载 有限元仿真 寄生
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窄带FBAR带通滤波器设计 被引量:7
12
作者 周斌 高杨 +2 位作者 何移 李君儒 何婉婧 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期487-493,共7页
由薄膜体声波谐振器构成的滤波器,其带宽受压电材料机电耦合系数的影响,较难实现窄带滤波器设计。使用ADS射频仿真软件设计了一种通带为1.18~1.20 GHz的窄带薄膜体声波滤波器,分别通过比较增加无源电容元件、改变串并联谐振器面积比、... 由薄膜体声波谐振器构成的滤波器,其带宽受压电材料机电耦合系数的影响,较难实现窄带滤波器设计。使用ADS射频仿真软件设计了一种通带为1.18~1.20 GHz的窄带薄膜体声波滤波器,分别通过比较增加无源电容元件、改变串并联谐振器面积比、在压电振荡堆内增加一层非压电层和采用两个中心频率不同的薄膜体声波滤波器串联这四种方法,得出窄带薄膜体声波滤波器的优化设计方案。设计得到的滤波器突破了压电材料本身机电耦合系数限定的带宽值,实现了窄带要求,并且带外抑制以及带内插损等设计指标均满足要求。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 窄带滤波器 机电耦合系数 带宽 压电材料 先进设计系统(ADS)
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S波段FBAR滤波器芯片的研制 被引量:9
13
作者 李丽 郑升灵 +1 位作者 李丰 李宏军 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第5期617-619,623,共4页
采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空... 采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空气腔制作等关键工艺技术,制备的4节FBAR滤波器中心频率为2 340MHz,3dB带宽为25MHz,中心插损为3.8dB,矩形系数达2.24∶1,输入、输出阻抗均为50Ω,芯片体积仅为1mm×1mm×0.3mm,该性能与同频率、同带宽的介质滤波器性能进行了对比,体积可缩小几千倍,矩形系数优于介质滤波器。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar)滤波器 一维Mason模型 AlN压电薄膜 空气腔
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X波段FBAR用AlN薄膜制备研究 被引量:3
14
作者 彭华东 徐阳 +4 位作者 张永川 杜波 司美菊 蒋欣 赵明 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期170-172,共3页
采用中频磁控溅射法,在硅基上制备了X波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器用AlN压电薄膜。对AlN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为2.21°,膜厚均匀性优于0.5%,薄膜应力为-5.02 MPa... 采用中频磁控溅射法,在硅基上制备了X波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器用AlN压电薄膜。对AlN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为2.21°,膜厚均匀性优于0.5%,薄膜应力为-5.02 MPa,应力可在张应力和压应力间进行调节。将该AlN薄膜制备工艺应用于FBAR器件的制作,研制出X波段FBAR器件,谐振频率为9.09 GHz,插入损耗为-0.38 dB。 展开更多
关键词 AlN 压电薄膜 中频磁控溅射 薄膜应力 薄膜体声波谐振器(fbar)
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S波段低插损FBAR陷波器的研制 被引量:3
15
作者 蒋平英 蒋世义 +4 位作者 何西良 陈金琳 彭霄 徐阳 刘娅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第2期157-160,共4页
该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399~2412 MHz,陷... 该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399~2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800~2300 MHz和2500~2800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 陷波器 芯片 梯形结构 低插损
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S波段网格型FBAR滤波器的研制 被引量:4
16
作者 李丽 申晓芳 李宏军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期369-373,共5页
介绍了一种单端口,端口阻抗为50Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现。对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过程进行了说明。采用0.35μm Ga As工艺实现了3~8 ... 介绍了一种单端口,端口阻抗为50Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现。对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过程进行了说明。采用0.35μm Ga As工艺实现了3~8 GHz频率范围的巴伦芯片,在FBAR滤波器芯片的中心频率处,幅度不平衡度为0.53 d B,相位不平衡度为0.55°。制备的FBAR滤波器通带频率范围为3 100~3 400 MHz,1 d B带宽约为369 MHz,在2 660 MHz和3 840 MHz处带外抑制分别为45.6 d Bc和41.3 d Bc,尺寸仅为12 mm×7 mm×2.9 mm。将实测结果与仿真结果进行了对比,两者一致性很好。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar)滤波器 芯片 网格型结构 宽带 巴伦
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密封空气型FBAR温度传感器 被引量:5
17
作者 丁扣宝 刘世洁 何兴理 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期649-651,656,共4页
薄膜体声波谐振器(FBAR)是性能优良的压电换能器。通过在体硅刻蚀型FBAR背面密封空气的方法制作了密封空气型FBAR,研究了密封空气型FBAR用作温度传感器的可行性。实验结果表明,在20~100℃的温度范围内,密封空气型FBAR温度传感器的并联... 薄膜体声波谐振器(FBAR)是性能优良的压电换能器。通过在体硅刻蚀型FBAR背面密封空气的方法制作了密封空气型FBAR,研究了密封空气型FBAR用作温度传感器的可行性。实验结果表明,在20~100℃的温度范围内,密封空气型FBAR温度传感器的并联谐振频率随温度线性变化,且具有很好的稳定性与可靠性。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 压电换能器 密封空气型薄膜体声波谐振器(fbar) 温度传感器
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FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究 被引量:7
18
作者 董树荣 王德苗 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期155-158,共4页
采用射频反应磁控溅射法,制备了用于薄膜体声波谐振器的(002)取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为(002)取向为主混合少量(103)取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向,获得好的(00... 采用射频反应磁控溅射法,制备了用于薄膜体声波谐振器的(002)取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为(002)取向为主混合少量(103)取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向,获得好的(002)取向的基片温度在380℃~400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式,要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0.3~0.4,氮气分压比高有利于(002)取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率,且与氮气分压关联,较合适的值为12W/cm^2~15W/cm^2。 展开更多
关键词 ALN 射频反应溅射 fbar 晶体结构
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温度对FBAR反应器的运行特性及古菌微生物群落影响 被引量:1
19
作者 赵洪颜 李雪 +6 位作者 李楠 刘虹豆 朴仁哲 许广波 李艳茹 王伟东 崔宗均 《中国环境科学》 EI CAS CSSCI CSCD 北大核心 2018年第1期169-178,共10页
为探讨固定床厌氧反应器(FBAR)在不同温度下的运行特性及微生物群落变化,比较了高温(50℃)、中温(35℃)、低温(4℃)3个温度阶段反应器产甲烷特性及古菌群落变化.结果表明;绝对产气量由大至小依次为高(50℃)、中(35℃)、低温(4℃),单位... 为探讨固定床厌氧反应器(FBAR)在不同温度下的运行特性及微生物群落变化,比较了高温(50℃)、中温(35℃)、低温(4℃)3个温度阶段反应器产甲烷特性及古菌群落变化.结果表明;绝对产气量由大至小依次为高(50℃)、中(35℃)、低温(4℃),单位负荷产气量依次为中温(2.84L/OLR),低温(2.5L/OLR),高温(1.8L/OLR);甲烷含量依次为低温(74.5%)、中温(63.5%),高温(57.3%),不同温度阶段对挥发性有机酸含量变化有一定的影响.克隆文库分析表明:不同温度条件下固定床厌氧反应器内部微生物群落的丰富性存在很大的差异.定量PCR分析表明:甲烷鬃毛菌是中温和高温反应器内的优势菌,低温4℃炭纤维载体和污泥中的优势菌都是甲烷微菌.从能耗、经济效益角度分析低温条件更适合沼气发酵,而主要是以嗜氢产甲烷菌代谢途径为主. 展开更多
关键词 固定床厌氧反应器(fbar) 温度 运行特性 微生物群落 产甲烷菌
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薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振特性的模拟分析 被引量:2
20
作者 汤亮 郝震宏 乔东海 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1911-1916,1919,共7页
主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影... 主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响进行了详细分析.结果表明,薄膜体声波谐振器谐振频率主要由压电材料和厚度决定但电极的影响也是很大的.在制作高频FBAR器件(5GHz以上)时,采用氮化铝作压电材料比用氧化锌作压电材料更合适. 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason等效电路模型 微波振荡器 双工器 射频微机电系统
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