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氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究
被引量:
2
1
作者
戴宪起
王建利
闫慧娟
《河南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期50-53,共4页
利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2...
利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2)结构T4位最稳定.InN(0001)表面容易形成铟层,氮空位很可能是造成n型InN的高载流子浓度的施主.
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关键词
吸附
第一性原理
INN
形成能
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职称材料
题名
氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究
被引量:
2
1
作者
戴宪起
王建利
闫慧娟
机构
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《河南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期50-53,共4页
基金
国家自然科学基金资助课题(60476047)
河南省高校科技创新人才支持计划资助(2008HASTIT030)
文摘
利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2)结构T4位最稳定.InN(0001)表面容易形成铟层,氮空位很可能是造成n型InN的高载流子浓度的施主.
关键词
吸附
第一性原理
INN
形成能
Keywords
Adsorption
first-principles indium nitride formation energy
分类号
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究
戴宪起
王建利
闫慧娟
《河南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
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