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锗酸镉中镨的长余辉发光特性
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作者 易守军 刘应亮 +3 位作者 张静娴 袁定胜 容建华 黄浪欢 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期280-283,共4页
通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料。测其结构为一单相。分析了Cd2Ge7O16,Cd2Ge7O16∶Pr3+的激发光谱和发射光谱,指出Cd2Ge7O16∶Pr3+的发光是Cd2Ge7O16本身和Pr3+离子发射产生,基质的发光是Cd2Ge7O16中有... 通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料。测其结构为一单相。分析了Cd2Ge7O16,Cd2Ge7O16∶Pr3+的激发光谱和发射光谱,指出Cd2Ge7O16∶Pr3+的发光是Cd2Ge7O16本身和Pr3+离子发射产生,基质的发光是Cd2Ge7O16中有陷阱能级,电子从导带跃迁到陷阱能级而产生,Pr3+的发光是该离子的4f-4f跃迁产生的;并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱,电子陷阱和空穴陷阱分别能储存电子和空穴,从而产生余辉。并提出余辉机理模型。 展开更多
关键词 发光学 Cd2ge7o16:pr^3+ 长余辉 电子陷阱 空穴陷阱 稀土
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