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四方-正交相界处的PLZST反铁电陶瓷电性能研究
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作者 申震 夏翔 +4 位作者 李怡 李荣 杨晓禹 程英晔 史秀梅 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期97-103,共7页
采用固相法烧结制备(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(y)Sn_(1-x-y)Ti_(x))O_(3)反铁电陶瓷样品(x=0.01,0.03,0.05,0.07;y值沿La^(3+)掺杂PZST三元相图反铁电相界处取得),系统研究了B位不同Ti含量对PLZST体系反铁电陶瓷结构、微观形貌、铁电、... 采用固相法烧结制备(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(y)Sn_(1-x-y)Ti_(x))O_(3)反铁电陶瓷样品(x=0.01,0.03,0.05,0.07;y值沿La^(3+)掺杂PZST三元相图反铁电相界处取得),系统研究了B位不同Ti含量对PLZST体系反铁电陶瓷结构、微观形貌、铁电、介电特性的影响。结果表明:该体系PLZST反铁电陶瓷为简单钙钛矿(ABO_(3))结构;且随Ti含量增加,其晶粒尺寸、陶瓷致密度均增大,材料最大极化强度相应提高,同时耐击穿电场强度有所降低;在B位Ti的质量分数为5%时储能特性最佳(W_(re)=1.7 J/cm^(3),η=90.14%);同时,该系列陶瓷具有良好的介电温度稳定性(350℃时介电损耗低于5%)和介电频率稳定性(测试频率在1MHz时介电常数变化率约为10%)。 展开更多
关键词 电子陶瓷 plzst 组分调节 反铁电体
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共沉淀法制备复合钙钛矿结构PLZST的研究 被引量:9
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作者 薛丽红 张一玲 +2 位作者 李强 郭泉泳 刘锐 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期566-570,共5页
用改进的化学共沉淀法制备PLZST前驱体,讨论了共沉淀的最佳pH值范围.通过DTA-TG和XRD详细研究相组成随煅烧温度的变化,并通过和固相合成PLZST多晶料的条件比较可知,共沉淀法合成PLZST多晶料具有纯度高、组份均匀、合成温度低等特点.研... 用改进的化学共沉淀法制备PLZST前驱体,讨论了共沉淀的最佳pH值范围.通过DTA-TG和XRD详细研究相组成随煅烧温度的变化,并通过和固相合成PLZST多晶料的条件比较可知,共沉淀法合成PLZST多晶料具有纯度高、组份均匀、合成温度低等特点.研究表明在700℃低温下即能合成纯钙钛矿相PLZST多晶料.利用化学分析法测定不同温度下合成的PLZST的铅含量表明低温下合成的PLZST,铅挥发量极少,不会由于铅的挥发造成计量比的改变和形成杂相. 展开更多
关键词 化学共沉淀 plzst 钙钛矿相
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铅基驰豫型复合钙钛矿结构PLZST的合成研究 被引量:6
3
作者 严清峰 张一玲 李强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期649-654,共6页
采用传统陶瓷烧结工艺合成了单一复合钙钛矿结构的Pb1-xLax(ZryTizSn1-y-z)O3体系陶瓷(简称PLZST其中0.01≤x≤0.05;0.35≤y≤0.70;0.05≤z≤0.20).研究表明:在选定的... 采用传统陶瓷烧结工艺合成了单一复合钙钛矿结构的Pb1-xLax(ZryTizSn1-y-z)O3体系陶瓷(简称PLZST其中0.01≤x≤0.05;0.35≤y≤0.70;0.05≤z≤0.20).研究表明:在选定的工艺条件下,立方相和正交相PLZST易合成为单一复合钙钛矿结构,而四方相PLZST的合成较困难;采用多次球磨、加适量过量PbO(3%)、控制成型压力、选择合适的烧结温度(135℃)有助于合成单一复合钙钛矿结构的PLZST. 展开更多
关键词 plzst 复合钙钛矿结构 合成 烧结 稀土掺杂 陶瓷 锆钛锡酸铅镧
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助熔剂法生长的PLZST单晶的缺陷研究 被引量:4
4
作者 严清峰 宋锋兵 +1 位作者 张一玲 李强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期211-215,共5页
本文介绍了助熔剂缓慢降温自发成核法生长的稀土掺杂锆钛锡酸铅镧 (PLZST)晶体中出现的几种缺陷 :包裹体、开裂、位错、枝晶 ,分析了这些缺陷的形成机理并提出了减少和消除这些缺陷的一些措施。
关键词 plzst单晶 晶体生长 助熔剂法 缺陷 自发成核法
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稀土掺杂锆钛锡酸铅镧(PLZST)的化学合成研究 被引量:3
5
作者 薛丽红 李强 +1 位作者 张一玲 刘锐 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期157-160,共4页
通过化学共沉淀法合成PLZST多晶料,采用XRD和SEM对多晶料进行表征,考察了煅烧温度、过量Pb掺量、退火处理等条件对PLZST多晶料的影响。研究结果表明,化学共沉淀法合成PLZST具有一定的适用范围,在低温750℃下保温2h便能得到单一的钙钛矿... 通过化学共沉淀法合成PLZST多晶料,采用XRD和SEM对多晶料进行表征,考察了煅烧温度、过量Pb掺量、退火处理等条件对PLZST多晶料的影响。研究结果表明,化学共沉淀法合成PLZST具有一定的适用范围,在低温750℃下保温2h便能得到单一的钙钛矿相,掺入过量的Pb有利于PLZST晶体的生成,适当的退火处理能促进晶体长大。 展开更多
关键词 化学共沉淀 plzst 钙钛矿相
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(Pb0.97La0.02)(Zr0.66Sn0.23Ti0.11)O3纳米粉及PLZST/PVDF复合材料的制备和性能
6
作者 孙玉静 田莳 +1 位作者 李小兵 冯骏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1422-1425,共4页
采用溶胶-水热法合成了PLZST反铁电陶瓷纳米粉,并采用XRD,SEM和SAXS对其相组成、形貌和粒度进行了分析.PLZST晶相单一,纯度高,分散时为纳米球形,团聚为微米六面体,具自组装倾向.用溶解-热压法制备了不同比例的PLZST/PVDF 0-3型压电复合... 采用溶胶-水热法合成了PLZST反铁电陶瓷纳米粉,并采用XRD,SEM和SAXS对其相组成、形貌和粒度进行了分析.PLZST晶相单一,纯度高,分散时为纳米球形,团聚为微米六面体,具自组装倾向.用溶解-热压法制备了不同比例的PLZST/PVDF 0-3型压电复合材料.研究了组成、电极以及极化电压对其介电性能的影响.结果表明:质量比3:1的PLZST/PVDF复合材料在110℃,极化电压为15kV/mm的条件下极化0.5h,可使其相对介电常数从47.7增大到56.0.用SEM观察其微观组织可知,PLZST陶瓷粒子在PVDF聚合物基体中分散很均匀,但存有少量气孔. 展开更多
关键词 plzst PVDF 压电复合材料 溶胶-水热法 介电
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不同锆锡比对PLZST铁电陶瓷相变行为的影响
7
作者 曾涛 罗伟 +2 位作者 张红玲 李健 漏琦伟 《上海电力学院学报》 CAS 2016年第4期397-400,共4页
对不同锆锡比的Pb_(0.97)La_(0.02)(Zr_(0.12+x)Sn_(0.7-x)Ti_(0.18))O_3铁电陶瓷的铁电和相变行为进行了系统的研究,阐明了组成和温度对PLZST铁电陶瓷的相变效应的影响规律.研究结果表明:PLZST铁电陶瓷均呈现典型的铁电体电滞回线.随... 对不同锆锡比的Pb_(0.97)La_(0.02)(Zr_(0.12+x)Sn_(0.7-x)Ti_(0.18))O_3铁电陶瓷的铁电和相变行为进行了系统的研究,阐明了组成和温度对PLZST铁电陶瓷的相变效应的影响规律.研究结果表明:PLZST铁电陶瓷均呈现典型的铁电体电滞回线.随着温度的升高,PLZST12/70/18,PLZST52/30/18,PLZST62/20/18发生铁电-顺电相变,PLZST22/60/18,PLZST32/50/18,PLZST42/40/18为铁电-反铁电-顺电相变. 展开更多
关键词 plzst铁电陶瓷 铁电性能 相变行为
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PLZST陶瓷衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜生长及其磁性能和电输运特性研究 被引量:2
8
作者 肖玲 陈莹 +3 位作者 刘振 王根水 温志渝 董显林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期326-330,共5页
采用磁控溅射法在PLZST陶瓷衬底上制备了不同厚度的LSMO薄膜,并对其微结构、磁性能及电输运特性进行了研究。结果表明,LSMO薄膜具有单一钙钛矿结构,晶粒均匀,表面平整,其中20 nm厚LSMO薄膜粗糙度仅为2.93 nm。在10~300 K温度范围内,LSM... 采用磁控溅射法在PLZST陶瓷衬底上制备了不同厚度的LSMO薄膜,并对其微结构、磁性能及电输运特性进行了研究。结果表明,LSMO薄膜具有单一钙钛矿结构,晶粒均匀,表面平整,其中20 nm厚LSMO薄膜粗糙度仅为2.93 nm。在10~300 K温度范围内,LSMO薄膜均具有大的磁电阻效应,20 nm厚的LSMO薄膜磁电阻温度稳定性优异。随着薄膜厚度的增加,薄膜的居里温度、金属绝缘体转变温度、磁化强度和导电性能降低。这可能是由于Pb、Sn、Zr等离子扩散进入LSMO薄膜中,导致MnO 6八面体畸变造成的。 展开更多
关键词 LSMO薄膜 plzst陶瓷 磁电阻 扩散
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溶胶-凝胶法制备高锆含量PLZST反铁电陶瓷粉体
9
作者 罗婷 王武尚 林建国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期7194-7197,共4页
以三水合乙酸铅(Pb(CH_3COO)_2·3H_2O)、乙酸镧(La(CH_3COO)_3)、乙酸锡(Sn(CH_3COO)_4)、乙酸锆(Zr(CH_3COO)_4)、钛酸丁酯(C_(16)H_(36)O_4Ti)为原料,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.95)Sn_(0.... 以三水合乙酸铅(Pb(CH_3COO)_2·3H_2O)、乙酸镧(La(CH_3COO)_3)、乙酸锡(Sn(CH_3COO)_4)、乙酸锆(Zr(CH_3COO)_4)、钛酸丁酯(C_(16)H_(36)O_4Ti)为原料,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.95)Sn_(0.01)Ti_(0.04))O_3(简称PLZST)反铁电陶瓷粉。采用DSC-TGA差热分析研究PLZST干凝胶的分解性能,用XRD和SEM对不同温度煅烧的PLZST陶瓷粉进行表征,分析煅烧温度对产物的影响。实验结果表明,PLZST干凝胶在550℃以上达到完全分解;干凝胶粉体在850℃煅烧2h,可生成较纯钙钛矿相的高锆含量PLZST陶瓷粉体,粉体颗粒呈球形,平均晶粒约为200nm。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 plzst粉体 钙钛矿相 晶粒尺寸
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PLZST单晶的弛豫结构相变
10
作者 李强 钱文斌 +2 位作者 薛丽红 甄西合 王琳 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1806-1810,共5页
采用复合助熔剂技术,生长了完整、尺寸为2 mm×2 mm×2 mm的锆钛锡酸铅镧(简称PLZST)单晶。X射线衍射分析结果表明:晶体属四方晶系结构,晶格常数为:a=b=4.062 nm,c=4.106 nm。Raman光谱分析确定了PLZST单晶的结构相变温度为175... 采用复合助熔剂技术,生长了完整、尺寸为2 mm×2 mm×2 mm的锆钛锡酸铅镧(简称PLZST)单晶。X射线衍射分析结果表明:晶体属四方晶系结构,晶格常数为:a=b=4.062 nm,c=4.106 nm。Raman光谱分析确定了PLZST单晶的结构相变温度为175℃,且其顺电反铁电相变为可逆相变,具有弛豫特性。通过高分辨透射电镜(HRTEM)分析了晶体的微观结构,讨论了PLZST单晶的弛豫相变规律和相变行为。 展开更多
关键词 锆钛锡酸铅镧 驰豫反铁电单晶 结构相变
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PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究 被引量:5
11
作者 刘鹏 杨同青 +3 位作者 王志宏 徐卓 张良莹 姚熹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期1727-1733,共7页
在三方铁电(FE)四方反铁(AFE)的准同型相界附近制备了一系列组份为(Pb097La002)(Zr1-x-ySnyTix)O3(x=009或01;016≤y≤038)的反铁电陶瓷.研究了Sn含量y对电... 在三方铁电(FE)四方反铁(AFE)的准同型相界附近制备了一系列组份为(Pb097La002)(Zr1-x-ySnyTix)O3(x=009或01;016≤y≤038)的反铁电陶瓷.研究了Sn含量y对电场诱导AFE→FE相变电场Ec、反铁电双电滞回线损耗ΔE、以及温度诱导FE→AFE相变温度TFE,AFE→顺电(PE)相变温度Tc的影响.沿AFEFE相界Ti含量一定的条件下,Ec随着Sn含量y的增加而增大,ΔE减小,TFE与Tc均降低.场诱相变的回线参量Ec,ΔE与相变温度TFE和Tc相关联.在直流偏压下用原位X射线衍射表征了相变时晶格结构的变化,结果表明,当电场达到AFE→FE相变临界场时,伴随相变的发生,晶格结构由四方相转变为三方相。 展开更多
关键词 相变 相稳定性 plzst 电场诱导 反铁电陶瓷
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PLZST反铁电陶瓷的电场诱导多次相变现象 被引量:4
12
作者 刘鹏 杨同青 +2 位作者 徐卓 张良莹 姚熹 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期780-782,共3页
在掺杂 4 %La的Pb(Zr,Sn ,Ti)O3系统中发现了一种温度在 - 4 0~ 4 5℃内的外电场可诱导多次相变材料 .电滞回线测试显示 ,在 4MV·m- 1的电场作用下样品依次从亚稳反铁电态诱导进入两种铁电态 ,其中第二铁电态出现的临界场 2 5MV&... 在掺杂 4 %La的Pb(Zr,Sn ,Ti)O3系统中发现了一种温度在 - 4 0~ 4 5℃内的外电场可诱导多次相变材料 .电滞回线测试显示 ,在 4MV·m- 1的电场作用下样品依次从亚稳反铁电态诱导进入两种铁电态 ,其中第二铁电态出现的临界场 2 5MV·m- 1仅是已发现PZT基陶瓷的 10 %~ 2 0 % .X射线衍射测定样品室温下是正交相结构 .介电测量中强烈的频率弥散现象说明它是一种弛豫体并得到了温度 电场相图 .本研究为用陶瓷样品研究电场诱导多次相变提供了方便 . 展开更多
关键词 电场诱导相变 多次相变 plzst 反铁电陶瓷
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电场诱导PLZST陶瓷反铁电-铁电相变的原位X射线衍射研究 被引量:3
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作者 刘鹏 杨同青 +3 位作者 徐卓 翟继卫 张良莹 姚熹 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第23期2563-2566,共4页
用原位X射线衍射、电滞回线、纵向应变等手段研究了组分分别为(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.75)Ti_(0.09)Sn_(0.16))O_3和(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.65)Ti_(0.01)Sn_(0.25))O_32个样品的电场诱导反铁电-铁电相变现象.结果表明,当外加... 用原位X射线衍射、电滞回线、纵向应变等手段研究了组分分别为(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.75)Ti_(0.09)Sn_(0.16))O_3和(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.65)Ti_(0.01)Sn_(0.25))O_32个样品的电场诱导反铁电-铁电相变现象.结果表明,当外加电场高于相变临界场后,四方反铁电相转变为三方铁电相,四方相轴比a/c越大,相变引起的纵向应变量越大;另外,经外场极化处理的反铁电畴会有取向性.此外还讨论了晶格结构的变化对宏观纵向应变的影响. 展开更多
关键词 相变 电场诱导 反铁电-铁电 plzst陶瓷
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PZT基反铁电材料研究进展 被引量:10
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作者 夏志国 李强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期835-843,共9页
在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电材料。总结了利用La3+、Nb4+、H f4+、Sr2+、Ba2+和Nd3... 在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电材料。总结了利用La3+、Nb4+、H f4+、Sr2+、Ba2+和Nd3+等离子对富锆PZT以及PZST粉体、陶瓷以及薄膜材料的掺杂取代改性研究。讨论了各类PZT基反铁电材料的铁电(FE)-反铁电(AFE)相变机理以及其场致应变性能。展望了PZT基反铁电材料今后研究与应用的发展方向。 展开更多
关键词 反铁电材料 铁电-反铁电相变 PZT95/5 PZST plzst
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反铁电相变陶瓷低频发射换能器 被引量:2
15
作者 吕可佳 李俊宝 +1 位作者 邢建新 尹义龙 《声学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期520-526,共7页
在具有高阶形式的广义压电方程基础上,讨论掺镧改性锆锡钛酸铅PbLa(Zr,Sn,Ti)O_3(PLZST)反铁电相变陶瓷的非线性机电耦合问题,得到类似传统线性压电方程的近似线性电致伸缩方程,给出了一种解决非线性反铁电相变陶瓷换能器电声转换问题... 在具有高阶形式的广义压电方程基础上,讨论掺镧改性锆锡钛酸铅PbLa(Zr,Sn,Ti)O_3(PLZST)反铁电相变陶瓷的非线性机电耦合问题,得到类似传统线性压电方程的近似线性电致伸缩方程,给出了一种解决非线性反铁电相变陶瓷换能器电声转换问题的分析方法,即在直流偏置状态下对PLZST反铁电相变陶瓷的材料参数进行近似线性等效化处理进而分析换能器的电声转换问题。在此基础上,研制了水中谐振频率1.1 kHz新型反铁电相变陶瓷低频弯张换能器。湖上试验结果表明,与同结构同尺寸压电陶瓷弯张换能器相比,目前反铁电换能器样品的发射电压响应约高3 dB,声源级高出9 dB,并验证了本文所提出的分析非线性反铁电相变陶瓷换能器方法的正确性。 展开更多
关键词 发射换能器 相变陶瓷 反铁电 低频 弯张换能器 压电方程 非线性 plzst
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外场下PbLa(Zr,Sn,Ti)O_3陶瓷相变及介电性能行为研究
16
作者 戴中华 姚熹 +2 位作者 徐卓 冯玉军 王军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期375-378,共4页
研究了温度、等静压力对PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷相变、介电常数(εr)及损耗(tanδ)的影响。结果表明:在温度场下,随着温度的升高,PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷从四方反铁电相(AFET)转变为立方顺电相(PEC),在低温段出现频率弥散现象;在压力场下,... 研究了温度、等静压力对PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷相变、介电常数(εr)及损耗(tanδ)的影响。结果表明:在温度场下,随着温度的升高,PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷从四方反铁电相(AFET)转变为立方顺电相(PEC),在低温段出现频率弥散现象;在压力场下,随着等静压力的增加极化过的AFE陶瓷发生FE/AFE相变,同时伴随突然的释放电荷过程;在一定的等静压力下,经极化后变为铁电体的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷在温度的诱导下会转变为反铁电相,最后转变为顺电相;随着等静压力的增加,铁电/反铁电转变温度降低,反铁电/顺电转变温度上升。 展开更多
关键词 等静压 极化 频率弥散 plzst陶瓷
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La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷电场诱导相变的研究
17
作者 弓长 冯玉军 徐卓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1477-1480,共4页
研究了制作工艺对于反铁电陶瓷材料性能的影响,以及调压用PLZST在电场诱导下发生反铁电-铁电相变现象,对反铁电陶瓷在不同强度电场下所表现出的极化强度随电压变化进行了测试,记录结果表明,用于在持续电压作用下调压用反铁电陶瓷,对于... 研究了制作工艺对于反铁电陶瓷材料性能的影响,以及调压用PLZST在电场诱导下发生反铁电-铁电相变现象,对反铁电陶瓷在不同强度电场下所表现出的极化强度随电压变化进行了测试,记录结果表明,用于在持续电压作用下调压用反铁电陶瓷,对于处于反铁电-铁电开关电场附近(EAFE-FE)的电压波动调压效果最好.此时小电压波动能够引起较大范围内的极化强度值的变化,在此时对于能量的吸收作用最强.从而对于调压用反铁电陶瓷应根据陶瓷的电滞回线选择合适的调节范围. 展开更多
关键词 plzst 反铁电陶瓷 相变
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Electric properties and phase transition behavior in lead lanthanum zirconate stannate titanate ceramics with low zirconate content
18
作者 曾涛 漏琦伟 +3 位作者 陈学锋 张红玲 董显林 王根水 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第11期497-501,共5页
The phase transitions, dielectric properties, and polarization versus electric field (P-E) hysteresis loops of Pbo.97Lao.02(Zr0.42Sn0.58-xTix)O3 (0.13≤ x ≤0.18) (PLZST) bulk ceramics were systematically inve... The phase transitions, dielectric properties, and polarization versus electric field (P-E) hysteresis loops of Pbo.97Lao.02(Zr0.42Sn0.58-xTix)O3 (0.13≤ x ≤0.18) (PLZST) bulk ceramics were systematically investigated. This study exhibited a sequence of phase transitions by analyzing the change of the P-E hysteresis loops with increasing temperature. The anfiferroelectric (AFE) to ferroelectric (FE) phase boundary of PLZST with the Zr content of 0.42 was found to locate at the Ti content between 0.14 and 0.15. This work is aimed to improve the ternary phase diagram of lanthanum-doped PZST with the Zr content of 0.42 and will be a good reference for seeking high energy storage density in the PLZST system with low-Zr content. 展开更多
关键词 plzst ceramics FERROELECTRICITY ANTIFERROELECTRICITY phase transition
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Properties of PbLa(Zr,Sn,Ti)O_(3) ceramics near ferroelectric-antiferroelectric phase boundary 被引量:2
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作者 DAI Zhonghua YAO Xi XU Zhuo FENG Yujun WANG Jun 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2006年第8期1000-1004,共5页
Two chemical compositions PbLa(Zr,Sn, Ti)O3 (PLZST) ceramics near the ferroelectric-anti- ferroelectric (FE/AFE) phase boundary were pre- pared by a traditional solid-state reaction process. The electrostriction prope... Two chemical compositions PbLa(Zr,Sn, Ti)O3 (PLZST) ceramics near the ferroelectric-anti- ferroelectric (FE/AFE) phase boundary were pre- pared by a traditional solid-state reaction process. The electrostriction properties under the electric field and the influence of hydrostatic pressure on the phase transition and the dielectric properties of these PLZST ceramics have been studied. Under the AC electric field, the strain of these two samples reached 0.21% and 0.13%, respectively. With increasing pressure, the FE/AFE phase transition temperature of the antiferroelectrics decreased and the antiferro- electric-paraelectric (AFE/PE) phase transition tem- perature increased, while the ferroelectric-paraelec- tric (FE/PE) phase transition temperature of the ferroelectrics decreased. 展开更多
关键词 氧化物陶瓷 流体静压 相变 反铁电体 PbLa(Zr Sn Ti)O3 plzst FE/AFE
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Electron emission from La-doped Pb(Zr,Sn,Ti)O_3 antiferroelectrics by pulse electric field and the relevant physical mechanism 被引量:1
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作者 ZHANG LinLi FENG YuJun +1 位作者 XU Zhuo SHENG ZhaoXuan 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2009年第19期3489-3493,共5页
We investigate the characteristics of emission current waves of antiferroelectric cathode material lanthanum-doped lead zirconate stannate titanate (PLZST) triggered by pulse field, and analyze the relationship of the... We investigate the characteristics of emission current waves of antiferroelectric cathode material lanthanum-doped lead zirconate stannate titanate (PLZST) triggered by pulse field, and analyze the relationship of the emission current waveforms with the extraction voltage. The close correlation between the triggering pulse polarity and emission current waveform observed evidences the relevant physical process of electron emission. We speculate that the primary emission may result from local phase transition and field emission in the vicinity of triple junctions, and the plasma formation may enhance the electron emission. 展开更多
关键词 电子散射 电子学 掺杂 plzst
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