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题名考虑缺陷率模型的多项目晶圆布图规划算法
被引量：1
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作者
张腾
史峥
廖海涛
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机构
浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所
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出处
《计算机工程》
CAS
CSCD
2014年第4期258-261,268,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61204111)
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文摘
针对随机缺陷会降低多项目晶圆实际产出的问题,提出一种新的多项目晶圆布图规划算法。通过在布图规划中引入缺陷率模型的方法,增加芯片产量的裕量,降低因随机缺陷造成的产量损失。同时优化模拟退火流程,使得在布图尺寸约束条件下,布图规划过程能够跳出局部最优解陷阱。对工业实例进行布图规划的结果表明,该算法能够接受不满足布图尺寸约束条件的中间结果,从而遍历解空间,得到全局最优的布图,并且相对已有算法,使用相同数量晶圆进行切割时,算法的布图结果增加了137%的芯片产量的总裕量,同时,降低了25%的工作芯片所需要生产的晶圆数量。
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关键词
多项目晶圆
布图规划
模拟退火算法
代价函数
缺陷率模型
布图尺寸约束
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Keywords
Multi-project Wafer（MPW）
floorplanning
simulated annealing algorithm
cost function
defect rate model
reticle sizeconstraint（rsc）
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分类号
TP301.6
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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