期刊文献+
共找到134篇文章
< 1 2 7 >
每页显示 20 50 100
Fast Growth of Highly Ordered TiO2 Nanotube Arrays on Si Substrate under High-Field Anodization 被引量:1
1
作者 Jingnan Song Maojun Zheng +7 位作者 Bin Zhang Qiang Li Faze Wang Liguo Ma Yanbo Li Changqing Zhu Li Ma Wenzhong Shen 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2017年第2期3-13,共11页
Highly ordered TiO_2 nanotube arrays(NTAs) on Si substrate possess broad applications due to its high surfaceto-volume ratio and novel functionalities, however, there are still some challenges on facile synthesis. Her... Highly ordered TiO_2 nanotube arrays(NTAs) on Si substrate possess broad applications due to its high surfaceto-volume ratio and novel functionalities, however, there are still some challenges on facile synthesis. Here, we report a simple and cost-effective high-field(90–180V) anodization method to grow highly ordered TiO_2 NTAs on Si substrate,and investigate the effect of anodization time, voltage, and fluoride content on the formation of TiO_2 NTAs. The current density–time curves, recorded during anodization processes, can be used to determine the optimum anodization time. It is found that the growth rate of TiO_2 NTAs is improved significantly under high field, which is nearly 8 times faster than that under low fields(40–60 V). The length and growth rate of the nanotubes are further increased with the increase of fluoride content in the electrolyte. 展开更多
关键词 TiO2 nanotube arrays si substrate Anodization High field Controllable preparation
下载PDF
Low side lobe pattern synthesis using projection method with genetic algorithm for truncated cone conformal phased arrays 被引量:7
2
作者 Guoqi Zeng Siyin Li +1 位作者 Yan Zhang Shanwei L 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE EI CSCD 2014年第4期554-559,共6页
A hybrid method for synthesizing antenna's three dimensional(3D) pattern is proposed to obtain the low sidelobe feature of truncated cone conformal phased arrays. In this method,the elements of truncated cone conf... A hybrid method for synthesizing antenna's three dimensional(3D) pattern is proposed to obtain the low sidelobe feature of truncated cone conformal phased arrays. In this method,the elements of truncated cone conformal phased arrays are projected to the tangent plane in one generatrix of the truncated cone. Then two dimensional(2D) Chebyshev amplitude distribution optimization is respectively used in two mutual vertical directions of the tangent plane. According to the location of the elements,the excitation current amplitude distribution of each element on the conformal structure is derived reversely, then the excitation current amplitude is further optimized by using the genetic algorithm(GA). A truncated cone problem with 8×8 elements on it, and a3 D pattern desired side lobe level(SLL) up to 35 dB, is studied. By using the hybrid method, the optimal goal is accomplished with acceptable CPU time, which indicates that this hybrid method for the low sidelobe synthesis is feasible. 展开更多
关键词 相控阵列 遗传算法 投影法 低旁瓣 方向图综合 共形 混合方法 3D图形
下载PDF
Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术 被引量:2
3
作者 向嵘 王国政 +5 位作者 陈立 高延军 王新 李野 端木庆铎 田景全 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期729-733,共5页
Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6~10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/... Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6~10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。 展开更多
关键词 硅基体 二维通道电子倍增器 微孔列阵 感应耦合等离子体 光电化学刻蚀
下载PDF
凹型Si微透镜阵列的制作 被引量:2
4
作者 何苗 易新建 +2 位作者 程祖海 刘鲁勤 王英瑞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页
提出了一种新的曲率倒易法首次成功地在Si衬底上制作出 6 4× 2 5 6凹柱面折射微透镜阵列 ,扫描电子显微镜 (SEM)显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹柱面阵列 ,表面探针测试结果显示凹微透镜阵列表面光滑、单元重复性好 ,其平均凹深... 提出了一种新的曲率倒易法首次成功地在Si衬底上制作出 6 4× 2 5 6凹柱面折射微透镜阵列 ,扫描电子显微镜 (SEM)显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹柱面阵列 ,表面探针测试结果显示凹微透镜阵列表面光滑、单元重复性好 ,其平均凹深为 2 .6 43μm ,凹深非均匀性为 8.45 % ,平均焦距为 - 47.0 8μm . 展开更多
关键词 si 凹微透镜阵列 氩离子束刻蚀 制作 曲率倒易法
下载PDF
Ag/Si-NPA基底上共吸附R6G和CV的表面增强拉曼散射 被引量:6
5
作者 王永强 王海燕 +1 位作者 马省 李新建 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1306-1311,共6页
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为基底,采用浸渍沉积技术制备了具有较高表面增强拉曼散射(SERS)活性的Ag/Si-NPA衬底,并采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其表面形貌和结构进行了表征.在此基础上,选择罗丹明6G(R6G)和结晶紫(CV)2种生物... 以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为基底,采用浸渍沉积技术制备了具有较高表面增强拉曼散射(SERS)活性的Ag/Si-NPA衬底,并采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其表面形貌和结构进行了表征.在此基础上,选择罗丹明6G(R6G)和结晶紫(CV)2种生物染料分子并采用不同的混合吸附程序对其共吸附状态下的SERS光谱进行了探测.结果表明,当2种分子的溶液浓度均为10-7 mol/L时,无论采用何种浸渍吸附程序,其SERS谱中CV的特征拉曼峰都被R6G完全掩盖.对溶液采用错级配置(R6G和CV的浓度分别为10-9和10-7 mol/L)后,所测SERS谱上获得了分别对应于R6G和CV的分离良好、相对强度匹配、分辨率高的2个SERS特征峰组,从而有利于简化现实混合探测过程中对SERS特征峰的指认和判断. 展开更多
关键词 罗丹明6G 结晶紫 硅纳米孔柱阵列 Ag/si—NPA 表面增强拉曼散射 共吸附
下载PDF
应变Si_(1-x)Ge_x材料掺杂浓度的表征技术 被引量:3
6
作者 戴显英 张鹤鸣 +3 位作者 王伟 胡辉勇 吕懿 舒斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期946-950,共5页
在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上 ,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图 .同时 ,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究 ,提出了采用四探针法表征Si1 -xGex 材料掺杂... 在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上 ,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图 .同时 ,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究 ,提出了采用四探针法表征Si1 -xGex 材料掺杂浓度的技术 .此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容 ,且更加简捷 .此表征技术的可行性通过实验及对Si1 -xGex 展开更多
关键词 sil-xGex材料 四探针 电阻率 掺杂浓度 迁移率模型 表征
下载PDF
基于Si-NPA的BaTiO_3薄膜的电容湿敏性能研究 被引量:3
7
作者 李隆玉 肖顺华 +3 位作者 董永芬 冯春岳 姜卫粉 李新建 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2558-2562,共5页
采用溶胶-凝胶和旋涂技术制备了基于Si-NPA的BaTiO_3薄膜(BaTiO_3/Si-NPA).场发射扫描电镜和X射线衍射实验表明,钙钛矿结构BaTiO_3薄膜很好地覆盖了Si-NPA表面.通过蒸镀双面梳状电极,制作了电容型BaTiO_3/Si-NPA湿敏元件并对其湿敏性能... 采用溶胶-凝胶和旋涂技术制备了基于Si-NPA的BaTiO_3薄膜(BaTiO_3/Si-NPA).场发射扫描电镜和X射线衍射实验表明,钙钛矿结构BaTiO_3薄膜很好地覆盖了Si-NPA表面.通过蒸镀双面梳状电极,制作了电容型BaTiO_3/Si-NPA湿敏元件并对其湿敏性能进行了测试.结果表明,室温下湿敏元件在11%~95%RH范围内具有很高的灵敏度和较快的响应速度,且电容值的对数对湿度呈现出很好的线性.虽然该薄膜湿敏元件在不同湿度下均存在温度漂移,但分析表明这种漂移有可能通过电极设计或信号补偿加以解决. 展开更多
关键词 湿度传感器 硅纳米孔柱阵列(si-NPA) BATIO3 饱和盐水溶液
下载PDF
四探针法测量应变Si_(1-x)Ge_x掺杂浓度 被引量:2
8
作者 戴显英 王伟 +4 位作者 张鹤鸣 何林 张静 胡辉勇 吕懿 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期255-258,280,共5页
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si... 在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷.通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性. 展开更多
关键词 测量 应变 si1-xGex材料 迁移率模型 电阻率 掺杂浓度 四探针 硅锗材料 半导体材料
下载PDF
基于Si-NPA的WO_3薄膜电容湿敏性能 被引量:1
9
作者 董永芬 李隆玉 +2 位作者 冯春岳 姜卫粉 李新建 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期955-960,共6页
采用匀胶旋涂技术将WO3溶胶沉积在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上,经500℃退火制得WO3/Si-NPA复合薄膜。场发射扫描电镜和X射线衍射的表面形貌和结构分析表明,WO3在Si-NPA表面形成连续薄膜,且复合薄膜保持了Si-NPA规则阵列结构的特点。... 采用匀胶旋涂技术将WO3溶胶沉积在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上,经500℃退火制得WO3/Si-NPA复合薄膜。场发射扫描电镜和X射线衍射的表面形貌和结构分析表明,WO3在Si-NPA表面形成连续薄膜,且复合薄膜保持了Si-NPA规则阵列结构的特点。湿敏测试结果显示:在11%到95%的相对湿度范围内,WO3/Si-NPA湿敏元件输出电容强,且随测试频率的增加而单调降低;随着WO3薄膜厚度的增加,湿敏元件灵敏度明显增大,但元件相应的响应/恢复时间却延长。 展开更多
关键词 硅纳米孔柱阵列(si—NPA) WO3 电容型湿敏传感器
下载PDF
BST/Si-NPA复合薄膜的湿敏电容特性研究 被引量:1
10
作者 肖顺华 李隆玉 +1 位作者 姜卫粉 李新建 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1369-1374,共6页
本文采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以Si-NPA为衬底,制备了钛酸锶钡(BST)/Si-NPA复合薄膜,并对其形貌、结构及湿敏电容特性进行了研究。结果表明,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率和退火温度均对湿敏电容特性具有较大影响。在100Hz的测试... 本文采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以Si-NPA为衬底,制备了钛酸锶钡(BST)/Si-NPA复合薄膜,并对其形貌、结构及湿敏电容特性进行了研究。结果表明,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率和退火温度均对湿敏电容特性具有较大影响。在100Hz的测试信号频率下,当环境的相对湿度从11%上升到95%时,BST/Si-NPA湿敏元件的电容增量可达起始值的4400%,显示出较高的湿度敏感性。同时,元件的响应时间和恢复时间均约为42s,表现出较快的时间响应和均衡的吸附/脱附。最后,通过复阻抗法讨论了元件的感湿机理。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 硅纳米孔柱阵列 复合薄膜 湿敏电容特性
下载PDF
沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响
11
作者 富笑男 程莉娜 +2 位作者 罗艳伟 刘琨 王信春 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期40-42,47,共4页
采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性... 采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响。结果表明:在沉积时间小于30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大。这种电学特性变化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出现变化引起的。 展开更多
关键词 硅纳米孔柱阵列(si-NPA) I-V曲线 Au/si-NPA 整流特性
下载PDF
基于基坐标变换的立体阵列的电站锅炉泄漏定位SI算法
12
作者 安连锁 冯强 +2 位作者 沈国清 张世平 王鹏 《现代电力》 2011年第6期50-53,共4页
火电站锅炉炉膛管道泄漏严重危害电站的安全和经济运行。目前的炉膛泄漏定位方法的定位精度低,导致工作量大,因此引入声学测量法,优点在于其可用于高温环境、利于在线实时监测、可远程监测。在声学测量的基础上引入基于立体阵列的球型... 火电站锅炉炉膛管道泄漏严重危害电站的安全和经济运行。目前的炉膛泄漏定位方法的定位精度低,导致工作量大,因此引入声学测量法,优点在于其可用于高温环境、利于在线实时监测、可远程监测。在声学测量的基础上引入基于立体阵列的球型插值法(SI),该算法的定位精度较高并且运算量小。基于SI算法的前提下,选用的立体阵列的定位精度远远高于平面阵列。同时首次采用基坐标变换法来避免理论中负时延值的出现,实际测量中,无法测得负时延值。使用上述方案能有效提高定位精度,基本能保持现场的定位误差在1m以内,可大大减小查缺工作量,缩短停炉时间,带来可观的经济效益。 展开更多
关键词 电站锅炉 泄漏 球型插值法 立体阵列 互相关
原文传递
树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能
13
作者 徐志堃 赵东旭 +4 位作者 孙兰兰 鄂书林 张振中 秦杰明 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期760-763,共4页
用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射... 用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征。通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值。 展开更多
关键词 ZNO si 金属辅助化学腐蚀 水热法 纳米线阵列
下载PDF
WO_3/Si-NPA复合薄膜的电容湿度传感性能研究
14
作者 冯春岳 肖龙 +1 位作者 董永芬 李新建 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第11期57-60,64,共5页
制备了基于硅纳米孔柱阵列(Si—NPA)的WO3/Si—NPA复合薄膜,并对其表面形貌进行了表征,研究了其电容湿度传感性能和基点电容的温度漂移。研究表明:WO3/Si—NPA继承了衬底Si-NPA规则的阵列结构的表面形貌特征,WO3的沉积形成了连... 制备了基于硅纳米孔柱阵列(Si—NPA)的WO3/Si—NPA复合薄膜,并对其表面形貌进行了表征,研究了其电容湿度传感性能和基点电容的温度漂移。研究表明:WO3/Si—NPA继承了衬底Si-NPA规则的阵列结构的表面形貌特征,WO3的沉积形成了连续的WO3薄膜,WO3/Si—NPA是一种典型的纳米复合薄膜。室温下,WO3/Si—NPA的电容值随测试频率的增加而单调减小,但其灵敏度则在100Hz时达到最大值。在此测试频率下,当环境的相对湿度从11%RH增加到95%RH时,元件的电容增量高达16000%,显示WO3/Si-NPA对环境湿度有较高的灵敏度。同时,电容的湿度响应曲线显示出很好的线性。对其基点电容的温度稳定性研究表明:WO3/Si—NPA用作湿度传感的最佳工作温度区为15-50℃。 展开更多
关键词 硅纳米孔柱阵列 WO3 WO3/si—NPA 电容式湿敏元件
下载PDF
Au/Si-NPA复合纳米体系的SERS增强能力研究
15
作者 富笑男 李坤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期791-793,共3页
利用具有准周期结构的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoprous pillar array,Si-NPA)为衬底使用浸渍法制备优化Au/Si-NPA活性基底。并利用最优化制备的Au/Si-NPA活性基底对罗丹明6G(Rhoda-mine 6G,R6G)进行探测,研究其表面增强拉曼散射(surfa... 利用具有准周期结构的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoprous pillar array,Si-NPA)为衬底使用浸渍法制备优化Au/Si-NPA活性基底。并利用最优化制备的Au/Si-NPA活性基底对罗丹明6G(Rhoda-mine 6G,R6G)进行探测,研究其表面增强拉曼散射(surface enhanced Raman scattering,SERS)光谱并对其增强原理进行解释。 展开更多
关键词 金纳米颗粒 表面增强拉曼散射 多孔硅 硅纳米孔柱阵列 浸渍技术
下载PDF
六角晶格多孔Si纳米阵列的制备研究
16
作者 胡明哲 徐达志 《纳米科技》 2012年第3期32-35,79,共5页
采用AAO模板7LAr+磨技术在Si基片上合成了大面积规则的六角纳米孔阵列,阵列六角晶格尺寸及纳米孔深度可由H3PO4扩孔时间、氧化电压、离子磨时间等工艺参数精确控制。孔间距、孔直径与工艺参数的关系为ID=15.8+2.17V和蹄0.905V+0... 采用AAO模板7LAr+磨技术在Si基片上合成了大面积规则的六角纳米孔阵列,阵列六角晶格尺寸及纳米孔深度可由H3PO4扩孔时间、氧化电压、离子磨时间等工艺参数精确控制。孔间距、孔直径与工艺参数的关系为ID=15.8+2.17V和蹄0.905V+0.452TH-20,其中V为氧化电压,TH为H3PO4扩孔时间;孔深度则可被控制为:Y=27.59T-5.44X+21.76,X为AAO模板长径比,T为离子磨时间。该制备方法将可广泛应用于高效荧光发光器件、太阳能光伏器件、气体传感器件和THz受激辐射等光电子器件。 展开更多
关键词 六角晶格 si纳米孔阵列 AAO模板 离子磨
下载PDF
X射线脉冲星Si-PIN探测器阵列研究
17
作者 黄添添 陆阳 《现代防御技术》 北大核心 2017年第3期8-12,21,共6页
X射线脉冲星导航是一种全自主的导航方式,在深空导航领域有着重要的应用前景。针对短时高精度导航的需求,分析了影响导航精度的主要因素,论证了通过增大探测器面积实现较高导航精度前提下缩短探测时间的可行性。在此基础上,提出了采用硅... X射线脉冲星导航是一种全自主的导航方式,在深空导航领域有着重要的应用前景。针对短时高精度导航的需求,分析了影响导航精度的主要因素,论证了通过增大探测器面积实现较高导航精度前提下缩短探测时间的可行性。在此基础上,提出了采用硅-PIN探测器阵列的探测方式,并设计了硅-PIN探测器阵列前端模块及相应的后端处理电路。最后,通过试验验证了硅-PIN探测器阵列的探测方案在扩大探测面积的同时,仍可以保留硅-PIN探测器的优良性能,能够有效缩短探测时间,将来有望应用于X射线脉冲星导航系统。 展开更多
关键词 硅-PIN 探测器阵列 脉冲星 软X射线 短时 高精度 全自主导航
下载PDF
收发系统中Si功率器件的替代设计
18
作者 杨斐 杨景超 +2 位作者 崔敏 康颖 王洁 《火控雷达技术》 2020年第4期63-68,共6页
本文主要介绍一种相控阵雷达中收发系统的功率器件替代设计,设计中采用GaN功率器件替代收发系统中Si功率器件。收发系统包含近百个T/R组件,T/R组件的的功率、相位一致性直接影响雷达的性能指标。本文通过对相关元器件指标的验证试验,解... 本文主要介绍一种相控阵雷达中收发系统的功率器件替代设计,设计中采用GaN功率器件替代收发系统中Si功率器件。收发系统包含近百个T/R组件,T/R组件的的功率、相位一致性直接影响雷达的性能指标。本文通过对相关元器件指标的验证试验,解决了T/R组件完全替代应用及混合装配使用中的功率、相位一致性匹配问题,实现了收发系统功率器件更新换代过程中的替代设计,同时提升了收发系统部分性能指标。 展开更多
关键词 相控阵雷达 收发系统 T/R组件 si功率器件 GaN功率器件
下载PDF
ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能 被引量:3
19
作者 徐玉睿 田永涛 +5 位作者 王文闯 贺川 陈文丽 赵晓峰 王新昌 李新建 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2012年第2期56-61,共6页
通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米... 通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件. 展开更多
关键词 ZnO纳米管阵列 n-ZnONT/p-si异质结构 光致发光 电流-电压曲线
下载PDF
AI-SI法分析X波段机载雷达天线罩 被引量:2
20
作者 史维光 王建 +2 位作者 张云祥 罗天光 郑俊 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2014年第2期67-70,共4页
采用口径积分-表面积分(AI-SI)算法,对带罩机载阵列天线进行了分析。雷达罩的介质反射是引起天线方向图副瓣抬升的主要原因,在传统的AI-SI法分析天线罩过程中没有考虑天线金属阵面对天线罩介质反射的影响,因此,带来较大的计算误差。为... 采用口径积分-表面积分(AI-SI)算法,对带罩机载阵列天线进行了分析。雷达罩的介质反射是引起天线方向图副瓣抬升的主要原因,在传统的AI-SI法分析天线罩过程中没有考虑天线金属阵面对天线罩介质反射的影响,因此,带来较大的计算误差。为了避免上述问题,文中在分析带罩天线过程中,采用了理想源阵列加反射板模型。天线罩总的透射场为阵列天线的一次透射场与反射板产生的二次透射场的叠加。为验证算法的正确性,将AI-SI算法计算结果与CST软件仿真结果进行了比较,两者吻合较好。 展开更多
关键词 AI-si算法 阵列天线 雷达罩
下载PDF
上一页 1 2 7 下一页 到第
使用帮助 返回顶部