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半导体薄膜实现Nd∶YVO_4 1064nm和1342nm双波长激光被动调Q
被引量：
3
1
作者
王加贤
王燕飞
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期35-39,共5页
采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜,测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd∶YVO4双波长激光器速率方程,得到双波长调Q脉冲的数值模拟...
采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜,测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd∶YVO4双波长激光器速率方程,得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd∶YVO4激光器中,SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q,获得20ns的1064nm激光脉冲和19ns的1342nm激光脉冲输出。研究表明,薄膜对1064nm和对1342nm的双光子饱和吸收是双波长激光被动调Q的直接原因;激光器两个支腔输出损耗的差别和薄膜对两个波长的非线性吸收系数的相对值影响了双波长脉冲的宽度和时间间隔。
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关键词
激光器
双波长脉冲
sinx/
si
/sinx
多层薄膜
被动调QNd∶YVO4激光器
双光子吸收
原文传递
题名
半导体薄膜实现Nd∶YVO_4 1064nm和1342nm双波长激光被动调Q
被引量：
3
1
作者
王加贤
王燕飞
机构
华侨大学信息科学与工程学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期35-39,共5页
基金
国家自然科学基金重点项目(60838003)
福建省自然科学基金(2009J01291)资助课题
文摘
采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜,测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd∶YVO4双波长激光器速率方程,得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd∶YVO4激光器中,SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q,获得20ns的1064nm激光脉冲和19ns的1342nm激光脉冲输出。研究表明,薄膜对1064nm和对1342nm的双光子饱和吸收是双波长激光被动调Q的直接原因;激光器两个支腔输出损耗的差别和薄膜对两个波长的非线性吸收系数的相对值影响了双波长脉冲的宽度和时间间隔。
关键词
激光器
双波长脉冲
sinx/
si
/sinx
多层薄膜
被动调QNd∶YVO4激光器
双光子吸收
Keywords
lasers
dual-wavelength pulse
sinx/si/sinx multi-layer film
pas
si
vely Q-switched Nd∶YVO4 laser
two-photon absorption
分类号
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体薄膜实现Nd∶YVO_4 1064nm和1342nm双波长激光被动调Q
王加贤
王燕飞
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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