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金与甘氨酸配合作用实验研究中的某些问题──与毛华海和张哲儒商榷 被引量：1
1
作者 周朝宪 季宏兵 王中良 《地质地球化学》 CSCD 北大核心 1997年第1期92-94,共3页
本文评述了毛华海和张哲儒[1]文中的一些问题，即反应中样品管内实际压力；fo2的确定；样品管材料对实验的影响；配位数确定。
关键词 金 甘氨酸 配合作用 毛华海 张哲儒
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P型杂质Ga在SiO_2-Si内界面分凝规律研究
2
作者 裴素华 修显武 +2 位作者 孙海波 周忠平 张晓华 《科学技术与工程》 2003年第1期71-74,共4页
采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界... 采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。 展开更多
关键词 P型杂质 GA SiO2-Si内界面 分凝效应 钙 掺杂 半导体器件
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开管扩Ga模型的初步建立
3
作者 裴素华 孙海波 +3 位作者 修显武 薛成山 杨利 郭兴龙 《科学技术与工程》 2003年第1期61-64,共4页
依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO_2膜的吸收输运和SiO_2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO_2薄层的表面效应及Si的体内效应... 依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO_2膜的吸收输运和SiO_2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO_2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO_2/Si系下开管扩散Ga的模型。 展开更多
关键词 SiO2/Si系 扩散机理 运动轨迹 分布规律 掺杂 二次离子质谱 开管扩Ga模型
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