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5G技术在UHV换流站中的应用实践 被引量:2
1
作者 李永杰 陆继钊 +1 位作者 吴晨光 赵豫京 《光通信研究》 北大核心 2024年第2期131-136,共6页
【目的】为了更好地支撑特高压(UHV)站点基建管控和智能运检业务需求,国内首次将第五代移动通信技术(5G)用于UHV换流站基建现场。【方法】在实现豫南站5G网络全覆盖的基础上,搭建5G虚拟专网,部署移动边缘计算(MEC)云平台。充分考虑前期... 【目的】为了更好地支撑特高压(UHV)站点基建管控和智能运检业务需求,国内首次将第五代移动通信技术(5G)用于UHV换流站基建现场。【方法】在实现豫南站5G网络全覆盖的基础上,搭建5G虚拟专网,部署移动边缘计算(MEC)云平台。充分考虑前期基建和后期运行的需求,将智能基建工地与后期智慧换流站同步衔接,依托5G优势,融合人工智能(AI)等技术,实现了UHV基建施工现场各类数据的实时采集、统一汇聚。提供了UHV基建的远程视频监控、工程监控预警、基建现场全景呈现、安全隐患识别和专家远程辅助指导等多功能场景的5G解决方案。组织开展了智慧工地、智能巡检和智能管控类5G系列应用,开展了5G网络适配性测试。【结果】文章为豫南换流站业务应用提供了灵活、大带宽和高速率的5G通信手段。有效赋能了UHV换流站内各项业务需求,验证了5G对UHV建设与巡检类业务的承载能力,提升了管理效率,降低了运维成本。【结论】5G在UHV豫南换流站的成功应用,提供了5G+能源互联网的典型UHV变电站解决方案,验证了5G在电力行业的可行性,推动了5G在电力场景的深化应用。 展开更多
关键词 第五代移动通信技术 特高压 虚拟专网 智慧工地 智能巡检
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UHVDC换流变压器油纸绝缘缺陷直流局部放电发展过程 被引量:21
2
作者 聂德鑫 邓建钢 +3 位作者 张连星 杜振波 贺细雄 刘诣 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期3249-3260,共12页
特高压换流变压器绝缘承受的直流电压高,绝缘缺陷劣化发展迅速,且单凭局部放电(PD)量值和放电次数无法对绝缘缺陷的发展阶段进行分析诊断。为此,研究了特高压换流变压器内部油纸绝缘缺陷直流局部放电特征及其发展过程,构建了油纸针-板等... 特高压换流变压器绝缘承受的直流电压高,绝缘缺陷劣化发展迅速,且单凭局部放电(PD)量值和放电次数无法对绝缘缺陷的发展阶段进行分析诊断。为此,研究了特高压换流变压器内部油纸绝缘缺陷直流局部放电特征及其发展过程,构建了油纸针-板等7种局部放电模型。采用阶梯式升压法研究在长期外加电压作用下,绝缘纸板从起始放电到被击穿的整个缺陷发展过程中脉冲电流信号的实时特征及其统计特性,通过拍照的方式给出各模型各发展阶段纸板表面电腐蚀状态,并给出各相应发展阶段电场的空间分布。结果表明:直流局部放电发展过程复杂,初期以大放电脉冲为主,放电频率低,等待恢复时间随机性强;中期和末期以小脉冲放电为主,等待恢复时间均匀分布;临界击穿时等待恢复时间分布集中。结合多种放电模型直流局部放电试验,可断定不同缺陷结构从起始直流局部放电到击穿的过程中,其局部放电的总体发展趋势表现一致。 展开更多
关键词 特高压(uhv) 换流变压器 直流(DC) 局部放电(PD) 油纸绝缘 放电模型 电场
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 被引量:9
3
作者 成步文 李代宗 +5 位作者 黄昌俊 于卓 张春晖 王玉田 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期250-254,共5页
以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了... 以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si1- xGex/Si多量子阱材料的 展开更多
关键词 锗化硅 异质结 uhv/CVD 生长
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弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长 被引量:5
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作者 罗广礼 林小峰 +4 位作者 刘志农 陈培毅 林惠旺 钱佩信 刘安生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期682-685,共4页
利用自制的冷壁石英腔 UHV/CVD设备 ,60 0℃条件下 ,通过 Ge组分渐变缓冲层技术 ,在 Si( 1 0 0 )衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的 Si0 .83Ge0 .17外延层 ,并在其上获得了具有张应变的 Si盖帽层 .另外 ,还在 550℃下生长了同... 利用自制的冷壁石英腔 UHV/CVD设备 ,60 0℃条件下 ,通过 Ge组分渐变缓冲层技术 ,在 Si( 1 0 0 )衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的 Si0 .83Ge0 .17外延层 ,并在其上获得了具有张应变的 Si盖帽层 .另外 ,还在 550℃下生长了同样结构的样品 ,发现此样品厚度明显变薄 ,组分渐变层的应变释放不完全 ,位错网稀疏而且不均匀 ,其上的 Si0 .83Ge0 . 展开更多
关键词 外延层 uhv/CVD 锗化硅
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UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究 被引量:6
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作者 叶志镇 曹青 +6 位作者 张侃 陈伟华 汪雷 李先杭 赵炳辉 李剑光 卢焕明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期565-568,共4页
本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统,在780℃下进行了硅低温外延,取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好。
关键词 uhv/CVD ULSI 外延生长 分子外延
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UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析 被引量:7
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作者 朱培喻 陈培毅 +4 位作者 黎晨 罗广礼 贾宏勇 刘志农 钱佩信 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期464-467,共4页
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法... 本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。 展开更多
关键词 Raman SIGE合金 uhv/CVD 弛豫 应变 硅锗膜 拉曼光谱分析 半导体薄膜
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基于UHV-FTRTPS的特高压交流变压器局部放电试验技术 被引量:10
7
作者 方璐 徐先勇 刘定国 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期225-231,共7页
我国特高压交流变压器局部放电试验的电源大多采用中频发电机组,具有配套装置多、笨重不便操作等缺点。为此,提出了一种基于调频式谐振特高压试验电源(UHV-FTRTPS)的特高压交流变压器局部放电试验方法。该方法试验电源的功率放大器件主... 我国特高压交流变压器局部放电试验的电源大多采用中频发电机组,具有配套装置多、笨重不便操作等缺点。为此,提出了一种基于调频式谐振特高压试验电源(UHV-FTRTPS)的特高压交流变压器局部放电试验方法。该方法试验电源的功率放大器件主要为模拟功率放大器,通过计算与分析高压补偿电抗器的损耗、试验电路的附加损耗、被试特高压交流变压器空载损耗、中间升压励磁变压器损耗得出试验电源的总容量,并以减少试验回路总损耗为目标,确定了试验电源输出电压信号的频率调节范围;同时依据被测试特高压交流变压器现场加压时间和步骤,提出了中间励磁升压变压器台数及档位的2种选择方式;针对试验过程中试验电源输出电压信号中出现的自激振荡干扰和电磁干扰,提出了增加信号屏蔽措施和RC输出滤波器的解决方法。依据理论分析和计算得出了试验电源的总容量≥600 k W,确定了试验电源输出电压信号的频率调节范围为140~155 Hz。现场试验结果表明,被测试特高压交流变压器的局部放电量≤500 p C,验证了提出的局部特高压交流变器局部放电试验方案的正确性、有效性。 展开更多
关键词 调频式谐振特高压试验电源 uhv-FTRTPS 特高压交流变压器 局部放电试验 损耗分析 电磁干扰
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UHV/CVD 设备及其特性 被引量:6
8
作者 雷震霖 赵科新 +7 位作者 余文斌 任国豪 谢琪 余金中 成步文 于卓 王启明 杨乃恒 《真空》 CAS 北大核心 1997年第6期14-17,共4页
本文描述超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)的设计思想、系统的结构和性能,着重介绍超高真空的获得和系统的特点,将为“第二代硅”SiGe/Si异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。
关键词 IC 设计 uhv/CVD 半导体薄膜技术
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H_2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x的影响 被引量:2
9
作者 赵星 叶志镇 +3 位作者 吴贵斌 刘国军 赵炳辉 唐九耀 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期78-81,共4页
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以Si H4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯... 利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以Si H4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得Si H4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理. 展开更多
关键词 选择性外延生长 uhv/CVD SI1-XGEX
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用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn^-型硅外延研究 被引量:1
10
作者 黄文韬 陈长春 +5 位作者 李希有 沈冠豪 张伟 刘志弘 陈培毅 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1666-1671,共6页
利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显... 利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显影响 ,在 70 0℃下生长的 Si外延层的过渡区厚度为 0 .16 μm,而在 5 0 0℃下仅为 0 .0 6 μm,且杂质分布非常陡峭 .X射线双晶衍射分析表明在 70 0℃下生长的 Si外延层的质量很高 .制作的锗硅异质结晶体管(Si Ge HBT)的击穿特性很硬 ,击穿电压为 14 .5 V,在 VCB=14 .0 V下的漏电流仅为 0 .3μA;输出特性很好 ,在 VCE=5 V,IC=3m A时的放大倍数为 6 展开更多
关键词 uhv/CVD 硅外延 杂质分布 SIGE HBT
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UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 被引量:1
11
作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期564-569,共6页
利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子... 利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 。 展开更多
关键词 uhv/CVD 外延生长 锗化硅 表面反应动力学
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UHV/CVD生长SiGe/Si材料分析及应用研究 被引量:2
12
作者 周志文 叶剑锋 《深圳信息职业技术学院学报》 2011年第3期29-32,共4页
以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV/CVD系统在Si(100)衬底上生长了Si1-xGex合金和Si1-xGex/Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金... 以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV/CVD系统在Si(100)衬底上生长了Si1-xGex合金和Si1-xGex/Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加,比例因子为2.57。生长的Si0.88Ge0.12合金样品的界面清晰,表面平整,平均粗糙度仅为0.4 nm,位错密度低于104/cm2。六周期Si0.88Ge0.12/Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe/Si多量子阱均具有很好的晶体质量。 展开更多
关键词 SIGE合金 SiGe/Si多量子阱 外延生长 uhv/CVD
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UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性
13
作者 黄文韬 陈长春 +4 位作者 刘志农 邓宁 刘志弘 陈培毅 钱佩信 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期418-420,424,共4页
 采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量...  采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。 展开更多
关键词 uhv/CVD 多晶锗硅 快速热退火 成核时间 外延
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UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)
14
作者 黄文韬 邓宁 +2 位作者 陈培毅 罗广礼 钱佩信 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期17-22,共6页
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量... 在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量子点中岛状量子点的比例为75%,其直径66nm,高11nm,密度4.5×109cm-2。利用透射电子显微镜分析了垂直自对准的Ge量子点的截面形貌,结果表明多层结构Ge量子点是垂直自对准的。Ge量子点及其浸润层的喇曼谱峰位分别为299cm-1和417cm-1,说明Ge量子点是应变的并且界面存在互混现象。采用光荧光谱分析了Ge量子点的光学特性。 展开更多
关键词 uhv/CVD 自对准生长 GE量子点 超高真空化学汽相淀积设备 自组织生长 垂直自对准 PL谱
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用超高真空扫描隧道显微镜UHV—STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构
15
作者 李艳宁 安白 +3 位作者 福山诚司 横川清志 吉村雅满 胡小唐 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期429-433,共5页
作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了... 作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了特征性的表面超结构。在多晶铌表面 ,作者观测到了 (110 )和 (10 0 )面 ,在 (10 0 )面上形成的是 (n× 1)超结构 ,而在 (110 )面上形成的是 0 2 8nm× 0 4 0nm的周期性超结构。在Nb(0 0 1)表面作者观测到C(2× 2 )的典型结构。AES实验表明 ,不纯物“氧”仍然以氧化物的形式存在于单晶和多晶铌样品中。基于这些实验结果 ,结合铌的微观晶格结构 ,作者给出了所观测到的超结构的合理的解释 。 展开更多
关键词 多晶铌 单晶铌 扫描隧道显微镜 STM 俄歇谱仪 AES 超高真空 uhv Nb 表面超结构
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UHV系统及变压器发展之设想
16
作者 贺以燕 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期28-31,共4页
介绍了UHV系统的发展方式、绝缘水平以及国外变压器和变压器单台极限容量,对下个世纪中国的UHV变压器等科研物质准备工作讲行了设想。
关键词 uhv系统 变压器 发展
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NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除 被引量:5
17
作者 陈高善 程宏昌 +4 位作者 石峰 刘晖 冯刘 任兵 成伟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期205-210,共6页
借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍... 借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍了寻找、排除微颗粒污染物的方法,并由成分分析结果,找到并排除了UHV系统内Mo微颗粒污染物产生的源头。发现在UHV系统内,传递杆等可移动部件的较粗糙表面具有携带、输运、抛撒微颗染污染物的功能。对UHV系统进行了全面的清洗处理,使其恢复到了原有的正常状态。 展开更多
关键词 表面微颗粒污染 uhv系统污染 GaAs光电阴极表面污染 能谱成分分析 线性传递杆
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基于小波-灰色理论的UHV晶闸管管壳裂纹评测
18
作者 马纲 《南通职业大学学报》 2015年第4期110-113,共4页
针对特高压(UHV)晶闸管管壳生产、使用过程中随机性裂纹扩展影响产品质量的问题,运用小波变换理论将非平稳时间序列分解到不同尺度上,对其时间序列进行重构,并结合灰色无偏预测模型对重构后的时间序列进行预测,综合了二者优点,为样本少... 针对特高压(UHV)晶闸管管壳生产、使用过程中随机性裂纹扩展影响产品质量的问题,运用小波变换理论将非平稳时间序列分解到不同尺度上,对其时间序列进行重构,并结合灰色无偏预测模型对重构后的时间序列进行预测,综合了二者优点,为样本少且非平稳时序提供了一种更高精度的预测方法;通过对UHV晶闸管管壳裂纹扩展情况预测实例,证明了小波-灰色无偏预测法效果良好,为其实际应用奠定了理论和实验基础。 展开更多
关键词 uhv晶闸管管壳 小波-灰色理论 裂纹扩展评测
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Study on Effect of UHV Power Grid Construction Schemes on Short Circuit Current
19
作者 Zaihua Li Feng Gao +3 位作者 Qing Wang Shuang Zhang Hongmei Luo Jian Liang 《Journal of Power and Energy Engineering》 2015年第4期200-205,共6页
The commissioning of Southern Hami-Zhengzhou ±800 kV UHVDC transmission project has important significance to heighten operation reliability, transfer capability and supply electric ability of Henan power grid. H... The commissioning of Southern Hami-Zhengzhou ±800 kV UHVDC transmission project has important significance to heighten operation reliability, transfer capability and supply electric ability of Henan power grid. However, short circuit currents of 500 kV buses in the Center of Henan are almost close to the operation upper limitation. In order to decrease the short circuit currents effectively, it’s necessary to strengthen the network structure of Center of Henan power grid and calculate short circuit currents. Two schemes of strengthening the network structure of Center of Henan power grid are studied. The calculated values of short circuit currents of some important 500 kV buses in the two schemes are still bigger than excepted. According to the latest Plan of State Grid, Yubei UHV substation and Zhumadian UHV substation located in Henan power grid. The calculated values of short circuit currents of some important 500 kV buses with the commissioning of Yubei UHV and Zhumadian UHV are qualified. So, reasonable network structure with UHV is suitable to heighten transfer capability and supply electric ability of Henan power grid. 展开更多
关键词 uhv uhvDC Construction Scheme SHORT CIRCUIT CURRENT
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UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用 被引量:1
20
作者 孙伟峰 叶志镇 +1 位作者 朱丽萍 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2111-2114,共4页
为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射... 为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长,跃迁几率有所增加,这将大幅度提高热光电池的吸收效率,同时也为SiGe多量子阱中量子效应的存在提供了实验依据. 展开更多
关键词 多量子阱 窄带隙 热光电池 uhv—CVD 黑体辐射
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