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Parylene F在V频段MMIC防护上的应用
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作者 仝晓刚 《电子工艺技术》 2024年第1期18-21,共4页
为了验证Parylene F材料在V频段MMIC防护上的应用,设计了薄膜滤波器、铝基和铜基的可调放大器模块。采用真空气相沉积工艺在滤波器、放大器模块上制作Parylene F膜层。测试结果表明:5μm的膜层使滤波器中心频率向左偏移300~350 MHz,其... 为了验证Parylene F材料在V频段MMIC防护上的应用,设计了薄膜滤波器、铝基和铜基的可调放大器模块。采用真空气相沉积工艺在滤波器、放大器模块上制作Parylene F膜层。测试结果表明:5μm的膜层使滤波器中心频率向左偏移300~350 MHz,其插损、矩形系数几乎没有变化;5μm膜层使可调放大器模块增益峰值下降约0.1%~0.2%,正常态、衰减态下的增益均出现了漂移现象,但处理前后的增益曲线趋势基本一致;模块的噪声系数峰值增加了1.12~1.78 dB,正常态与衰减态下的噪声系数曲线均出现了漂移,但处理前后的噪声系数曲线趋势基本一致,且铜基腔体的噪声系数恶化较铝基腔体弱。分析结果表明,通过滤波器、可调放大器的补偿设计,可以实现Parylene F在V频段MMIC防护上的应用。 展开更多
关键词 Parylene f 防护 滤波器 可调放大器
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Nanocomposite TiC/a-C:H film prepared on titanium aluminium alloy substrates by PSII assistant MW-ECRCVD 被引量:2
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作者 马国佳 刘喜亮 +2 位作者 张华芳 武洪臣 彭丽平 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期1105-1110,共6页
Thin films of titanium carbide and amorphous hydrogenated carbon have been synthesized on titanium aluminium alloy substrates by PSII assisted MW-ECRCVD with a mirror field. The microstructure, chemical composition an... Thin films of titanium carbide and amorphous hydrogenated carbon have been synthesized on titanium aluminium alloy substrates by PSII assisted MW-ECRCVD with a mirror field. The microstructure, chemical composition and mechanical property were investigated. Using XPS and TEM, the films were identified to be a-C:H film containing TiC nanometre grains (namely, the so-called nanocomposite structure). The size of TiC grains of nanocomposite TiC/DLC film is about 5 nm. The nanocomposite structure has obvious improvement in the mechanical properties of DLC film. The hardness of a-C:H film with Ti is enhanced to 34 G Pa~ while that of a-C:H film without Ti is about 12 G Pa, and the coherent strength is also obviously enhanced at the critical load of about 35N. 展开更多
关键词 NANOCOMPOSITE TiC/a-c:H diamond like carbon film PSII
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High-Pressure Plasma Deposition of a-C:H Films by Dielectric-Barrier Discharge 被引量:1
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作者 刘昌俊 李阳 +1 位作者 杜海燕 艾宝都 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期1597-1602,共6页
The fabrication of a-C:H films from methane has been performed using dielectric-barrier discharges at atmospheric pressure. The effect of combined-feed gas, such as carbon dioxide, carbon monoxide or acetylene on the ... The fabrication of a-C:H films from methane has been performed using dielectric-barrier discharges at atmospheric pressure. The effect of combined-feed gas, such as carbon dioxide, carbon monoxide or acetylene on the formation of a-C:H films has been investigated. It has been demonstrated that the addition of carbon monoxide or acetylene into methane leads to a remarkable improvement in the fabrication of a-C:H films. The characterization of carbon film obtained has been conducted using FT-IR, Raman and SEM. 展开更多
关键词 METHANE DEPOSITION a-c:H films dielectric-barrier discharge
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Structure and tribological properties of Si/a-C:H(Ag)multilayer film in stimulated body fluid 被引量:1
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作者 Yan-Xia Wu Yun-Lin Liu +5 位作者 Ying Liu Bing Zhou Hong-Jun Hei Yong Ma Sheng-Wang Yu Yu-Cheng Wu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期412-419,共8页
Si/a-C:H(Ag)multilayer films with different modulation periods are prepared to test their potential applications in human body.The composition,microstructure,mechanical and tribological properties in the simulated bod... Si/a-C:H(Ag)multilayer films with different modulation periods are prepared to test their potential applications in human body.The composition,microstructure,mechanical and tribological properties in the simulated body fluid are investigated.The results show the concentration of Ag first decreases and then increases with the modulation period decreasing from 984 nm to 250 nm.Whereas the C content has an opposite variation trend.Notably,the concentration of Ag plays a more important role than the modulation period in the properties of the multilayer film.The a-C:H sublayer of the film with an appropriate Ag concentration(8.97 at.%)(modulation period of 512 nm)maintains the highest sp3/sp2 ratio,surface roughness and hardness,and excellent tribological property in the stimulated body fluid.An appropriate number of Ag atoms and size of Ag atom allow the Ag atoms to easily enter into the contact interface for load bearing and lubricating.This work proves that the Ag nanoparticles in the a-C:H sublayer plays a more important role in the tribological properties of the composite-multilayer film in stimulated body fluid condition. 展开更多
关键词 Si/a-c:H(Ag)multilayer film modulation periods Ag concentration tribological properties
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Optical Characterization of Amorphous Hydrogenated Carbon(a-C:H)Thin Films Prepared by Single RF Plasma Method 被引量:1
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作者 Dogan MANSUROGLU Kadir GOKSEN Sinan BILIKMEN 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第6期488-495,共8页
Methane (CH4) plasma was used to produce amorphous hydrogenated carbon (a- C:H) films by a single capacitively coupled radio frequency (RF) powered plasma system. The system consists of two parallel electrodes... Methane (CH4) plasma was used to produce amorphous hydrogenated carbon (a- C:H) films by a single capacitively coupled radio frequency (RF) powered plasma system. The system consists of two parallel electrodes: the upper electrode is connected to 13.56 MHz RF power and the lower one is connected to the ground. Thin films were deposited on glass slides with different sizes and on silicon wafers. The influence of the plasma species on film characteristics was studied by changing the plasma parameters. The changes of plasma species during the deposition were investigated by optical emission spectroscopy (OES). The structural and optical properties were analyzed via Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) and UV-visible spectroscopy, and the thicknesses of the samples were measured by a profilometer. The sp3/sp2 ratio and the existing H atoms play a significant role in the determination of the chemical properties of thin films in the plasma. The film quality and deposition rate were both increased by raising the power and the flow rate. 展开更多
关键词 a-c:H thin film plasma deposition methane plasma sp3/sp2 ratio
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a-C∶F∶H films prepared by PECVD
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作者 刘雄飞 肖剑荣 +2 位作者 简献忠 王金斌 高金定 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2004年第3期426-429,共4页
Fluorinated amorphous hydrogenated a-C∶F∶H carbon thin films were deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) reactor with CF4 and CH4 as source gases and were annealed in a... Fluorinated amorphous hydrogenated a-C∶F∶H carbon thin films were deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) reactor with CF4 and CH4 as source gases and were annealed in a N2 atmosphere. The properties of these films were evaluated by FTIR spectrometry, UV-VIS spectrophotometry and single-wavelength spectroscopic ellipsometry. A correspondence relativity connection between the deposition rate and technology was found. The chemical bonding structures and the content of CHx and CFx in the films are transformed and the optical band gap decreases monotonically with increasing temperature after annealing. The dielectric constant is increased with decreasing content of F in the films and the optical band gap is decreased with decreasing the content of H in the film. 展开更多
关键词 a-c:f:H薄膜 PECVD 制备 电介质常数 ULSI 光学薄膜
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Effect of Chromium on Structure and Tribological Properties of Hydrogenated Cr/a-C:H Films Prepared via a Reactive Magnetron Sputtering System
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作者 刘龙 周升国 +2 位作者 刘正兵 王跃臣 马利秋 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第2期92-96,共5页
Hydrogenated Cr-incorporated carbon films (Cr/a-C:H) are deposited successfully by using a dc reactive mag- netron sputtering system. The structure and mechanical properties of the as-deposited Cr/a-C:H films are ... Hydrogenated Cr-incorporated carbon films (Cr/a-C:H) are deposited successfully by using a dc reactive mag- netron sputtering system. The structure and mechanical properties of the as-deposited Cr/a-C:H films are characterized systematically by field-emission scanning electron microscope, x-ray diffraction, Raman spectra, nanoindentation and scratch. It is shown that optimal Cr metal forms nanocrystalline carbide to improve the hardness, toughness and adhesion strength in the amorphous carbon matrix, which possesses relatively higher nano-hardness of 15. 7 CPa, elastic modulus of 126.8 GPa and best adhesion strength with critical load (Lc) of 36 N for the Cr/a-C:H film deposited at CH4 flow rate of 20sccm. The friction and wear behaviors of as-deposited Cr/a-C:H films are evaluated under both the ambient air and deionized water conditions. The results reveal that it can achieve superior low friction and anti-wear performance for the Cr/a-C:H film deposited at CH4 flow rate of 20sccm under the ambient air condition, and the friction coetllcient and wear rate tested in deionized water condition are relatively lower compared with those tested under the ambient air condition for each film. Superior combination of mechanical and tribological properties for the Cr/a-C:H film should be a good candidate for engineering applications. 展开更多
关键词 of CR Effect of Chromium on Structure and Tribological Properties of Hydrogenated Cr/a-c:H films Prepared via a Reactive Magnetron Sputtering System in on
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氮掺杂对a-C:F薄膜表面形貌和键结构的影响 被引量:3
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作者 刘雄飞 周昕 高金定 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期42-43,46,共3页
用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响。AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径变小,薄膜更加均匀致密。Raman光谱分析表明... 用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响。AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径变小,薄膜更加均匀致密。Raman光谱分析表明:氮源流量的增加会引起薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升,当r(N2/(CF4+CH4+N2))为68%时,ID/IG由未掺N2时的1.591增至4.847,薄膜的热稳定性增强。 展开更多
关键词 无机非金属材料 a-c:f薄膜 氮掺杂 表面形貌 结构
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ECR-CVD沉积a-C∶F薄膜 被引量:1
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作者 康健 叶超 +2 位作者 辛煜 程珊华 宁兆元 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期490-491,共2页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)技术 ,用苯和三氟甲烷混合气体 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。用红外吸收光谱 (FTIR)和X射线光电子能谱 (XPS)分析了a C∶F薄膜的结构。FTIR结果表明 ,氟主要以C—F、CF2 的形式成键形... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)技术 ,用苯和三氟甲烷混合气体 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。用红外吸收光谱 (FTIR)和X射线光电子能谱 (XPS)分析了a C∶F薄膜的结构。FTIR结果表明 ,氟主要以C—F、CF2 的形式成键形成a C∶F薄膜 ;XPS结果进一步证明a C∶F膜中存在C—F、CF2 键 。 展开更多
关键词 a-c:f薄膜 ECR-CVD 键结合 氟化非晶碳膜
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射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响 被引量:2
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作者 刘雄飞 高金定 +2 位作者 周昕 肖剑荣 张云芳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期14-16,共3页
用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10~14 nm/min之间,主要含... 用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10~14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构. 展开更多
关键词 电子技术 射频功率 a-c:f薄膜 沉积速率 结构
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a-C:F薄膜的工艺及热稳定性研究 被引量:4
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作者 李幼真 刘雄飞 +1 位作者 肖剑荣 张云芳 《真空电子技术》 2004年第3期23-26,共4页
以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中... 以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中进行了退火,研究了薄膜的热稳定性。实验表明,沉积速率在5~8nm/min之间,薄膜表面平整、致密,在300℃内有较好的热稳定性。 展开更多
关键词 PECVD 沉积速率 a-c:f薄膜 表面形貌
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a-C:F薄膜结构与电学性能研究 被引量:1
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作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期36-39,65,共5页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Ma... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱。用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)技术分析了薄膜的化学成分。随着气体流量比R的增大a-C:F薄膜C-C键结构增多,薄膜C/F比增大。a-C:F薄膜的介电常数取决于电子极化并随R的增大而上升。a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机制。随着C-C含量的增大,π价带态和π*导带态之间的带隙减小,电荷陷阱深度减小,陷阱中的电子在场增强热激发作用下更容易进入导带,导致薄膜漏电流增加。 展开更多
关键词 a-c:f 电学性能 ECR-CVD 化学组分
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低介电常数a-C:F薄膜结构和热稳定性研究 被引量:1
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作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期355-357,377,共4页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积的方法以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)技术分析了a-C:F薄膜化学组分.FTIR分析表明a-C:F薄膜中存在CF=C(1680 cm-1)和位于a-C:F... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积的方法以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)技术分析了a-C:F薄膜化学组分.FTIR分析表明a-C:F薄膜中存在CF=C(1680 cm-1)和位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF2=CF (1780 cm-1)结构.C1s峰高斯解叠后结合态与结合能对应关系为:CF3(295 eV),CF2(293 eV),CF(291 eV),C-O(289 eV),C-CFx(x=1~3)(287 eV),以及位于a-C:F薄膜交联结构末端的C-C结合态(285 eV).位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构热稳定性较差,退火后容易生成气态挥发物并导致a-C:F薄膜厚度减小.当C-CFx交联结构增多,且位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构减少时,a-C:F薄膜热稳定性提高. 展开更多
关键词 a-c:f 化学气相沉积 热稳定性 XPS
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氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究 被引量:4
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作者 刘雄飞 肖剑荣 +1 位作者 李幼真 张云芳 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期48-50,共3页
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜是一种电、光学新材料。介绍了它的制备方法,对其制备工艺作了较全面的探讨;分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响;研究了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用,并... 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜是一种电、光学新材料。介绍了它的制备方法,对其制备工艺作了较全面的探讨;分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响;研究了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与制备工艺参数的关联作了详细的论述;指出介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该膜实用化的主要原因。 展开更多
关键词 氟化非晶碳薄膜 热稳定性 物理性质 介电常数 化学气相沉积 CVD
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微波ECR-CVD法制备a-C:F:H膜的红外吸收及其光学带隙 被引量:1
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作者 甘肇强 陆新华 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第2期163-165,176,共4页
改变CHF3 CH4 流量比R =[CHF3] ([CHF3]+[CH4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)方法沉积a C :F :H薄膜。a C :F :H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外 可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流... 改变CHF3 CH4 流量比R =[CHF3] ([CHF3]+[CH4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)方法沉积a C :F :H薄膜。a C :F :H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外 可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流量比R(R <6 4 % )下 ,薄膜的红外特征结构主要以 CF(10 6 0cm- 1 ) , CF2(112 0cm- 1 )以及 CHx(2 80 0~ 30 0 0cm- 1 )的伸缩振动为主 ;在高流量比R(R >6 4 % )下 ,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征 ,典型的红外特征峰是位于 12 2 0cm- 1 处的 -CF2 反对称伸缩振动。薄膜的光学带隙Eg 随流量比R的变化表现为先降后升。进一步研究表明 ,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的CC共轭双键结构 ,使光学带隙Eg 从 2 37到 3 展开更多
关键词 微波ECR-CVD法 光学带隙 a-c:f:H薄膜 傅立叶变换红外光谱 紫外可见光谱 类金刚石碳膜
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a-C∶F∶H薄膜的化学键结构 被引量:1
16
作者 肖剑荣 徐慧 +3 位作者 李幼真 刘雄飞 马松山 简献忠 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1589-1593,共5页
使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C∶F∶H薄膜样品。采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析。研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的... 使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C∶F∶H薄膜样品。采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析。研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C—Fx(x=1,2,3)、C—C、C—H2、C—H3等以及不饱和C C化学键;同时,薄膜中C—C—F键的含量比C—C—F2键的含量要高。在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同。 展开更多
关键词 a—C:f:H薄膜 等离子体增强化学气相沉积 低介电常数 化学键
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功率和温度对a-C:F:H膜表面形貌和结构的影响
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作者 肖剑荣 徐慧 +1 位作者 刘雄飞 马松山 《真空》 CAS 北大核心 2006年第2期21-23,共3页
分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了... 分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜表面形貌,发现低功率下沉积的薄膜表面均匀性好、缺陷少;在低温下沉积的薄膜表面光滑,而高温下粗糙;真空低温退火可使薄膜表面形貌得到改善,但薄膜内空洞增加,退火温度过高,薄膜的结构发生变化,且在薄膜表面发生皲裂现象。用R am an光谱对薄膜内的结构变化进行了进一步的分析。 展开更多
关键词 a-c:f:H薄膜 表面形貌 射频功率 沉积温度 真空退火
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真空退火对a-C:F:H薄膜的结构与光学带隙的影响
18
作者 刘雄飞 肖剑荣 +1 位作者 简献忠 高金定 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期381-384,共4页
使用CF4和CH4为源气体 ,利用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF PECVD)法制备了掺氟非晶碳 (a C :F :H)薄膜 ,并在N2 气氛中进行了不同温度的退火。用原子力显微镜 (AFM)观察了薄膜在退火前后表面形貌的变化 ,发现退火后薄膜表面变得平... 使用CF4和CH4为源气体 ,利用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF PECVD)法制备了掺氟非晶碳 (a C :F :H)薄膜 ,并在N2 气氛中进行了不同温度的退火。用原子力显微镜 (AFM)观察了薄膜在退火前后表面形貌的变化 ,发现退火后薄膜表面变得平坦 ,疏松。用紫外 -可见光透射光谱 (UV VIS)并结合傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和喇曼 (Raman)光谱对薄膜进行了分析 ,获得了薄膜化学键结构和光学带隙的变化情况 ;发现薄膜的化学键结构和光学带隙与真空退火密切相关 ,高温退火后薄膜化学键结构 :CHx(x=1,2 ,3下同 )、F -芳基、CF2 和CF等基团的含量改变 ;薄膜的光学带隙决定于CHx、退火后CHx 含量减少导致薄膜光学带隙的减小。 展开更多
关键词 光学带隙 键结构 a-c:f:H薄膜 化学键 薄膜光学 平坦 非晶碳 真空退火 Cf4 Rf
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SF_6/O_2等离子体刻蚀a-C:F薄膜的研究
19
作者 吴振宇 杨银堂 +1 位作者 汪家友 柴常春 《微细加工技术》 EI 2007年第1期36-40,共5页
以SF6/O2为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C∶F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C∶F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C—CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C—CFx结构的a-C∶... 以SF6/O2为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C∶F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C∶F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C—CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C—CFx结构的a-C∶F薄膜刻蚀速率在O2含量约20%时达到最大,而富CFx结构的a-C∶F薄膜刻蚀速率随O2的增大而减小。AFM分析表明,SF6气体刻蚀a-C∶F薄膜可以有效消除薄膜表面的团聚结构。XPS能谱分析表明,SF6气体刻蚀a-C∶F薄膜样品化学组分未发生变化,而O2气体刻蚀后在样品表面形成富C的a-C∶F层。该研究结果为a-C∶F应用于超大规模集成电路层间介质工艺奠定了必要的实验基础。 展开更多
关键词 a-cf 等离子体刻蚀 表面形貌 XPS
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微波功率对a-C:F薄膜结构和光学性质的影响
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作者 黄峰 程珊华 +3 位作者 宁兆元 杨慎东 叶超 甘肇强 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期32-36,共5页
用苯 (C6H6)和四氟甲烷 (CF4 )混合气体作源气体 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术制备了含氟非晶碳膜 (a C :F)。着重讨论了输入的微波功率对成膜结构和性质的影响。我们对沉积的膜作了膜厚、扫描电子显微表面形貌 (SEM)... 用苯 (C6H6)和四氟甲烷 (CF4 )混合气体作源气体 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术制备了含氟非晶碳膜 (a C :F)。着重讨论了输入的微波功率对成膜结构和性质的影响。我们对沉积的膜作了膜厚、扫描电子显微表面形貌 (SEM)、紫外 -可见光透射谱 (UV -VIS)、傅立叶红外变换 (FTIR)等的测量。结果表明随着微波功率的增加沉积速率一直在上升 ;同时膜中缺陷增多 ;从FTIR的结果我们发现膜中主要以C -F、CF2 和F -芳基成键 ;通过UV -VIS吸收谱的测量的结果我们求出了折射率和光学带隙 ;并且将光学带隙和膜中的sp2 展开更多
关键词 a-c:f 微波功率 结构 光学性质 含氟非晶碳膜 微波电子回旋光振等离子化学气相沉积
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